导读:本文包含了光刻胶图形论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:光刻胶材料,环化橡胶,酚醛树脂,产酸剂
光刻胶图形论文文献综述
李冰,马洁,刁翠梅,孙嘉,李海波[1]（2018）在《光刻胶材料发展状况及下一代光刻技术对图形化材料的挑战》一文中研究指出一、背景光刻胶是制造集成电路的关键材料,其性能直接影响到集成电路芯片上的集成度、运行速度及功耗等性能。在摩尔定律的推动下,集成电路芯片集成度不断提高,光刻胶技术也不断发展,经历了宽谱光刻胶、G/I线光刻胶、248 nm光刻胶、193 nm光刻胶等一系列技术平台,从技术上经历了环化橡胶体系、酚醛树脂-重氮奈醌体(本文来源于《新材料产业》期刊2018年12期）
张玉虎,李亚文,刘小波,马小辉,张旭[2]（2018）在《光刻胶段差对光刻图形的影响与改善》一文中研究指出TFT光刻制程中,光刻胶段差使光胶在同一个光刻平面上,各区域的光刻程度不同,严重影响着光刻图形的质量。文章从光刻胶段差对光刻图形影响的原因进行分析,根据光强在投影光刻机光刻系统中焦点附近与光刻胶内部的变化特点,推导并计算出光刻胶段差区域内光强变化量为零时,光刻系统中光刻平面所应处于的位置,同时结合当前光刻系统焦平面的位置,计算出光刻平面的调整量,并以该调整量对当前光刻平面进行调整。结果表明:对于极限分辨率为2.41μm的投影光刻机,要使厚0.52μm的光刻胶段差内光强变化量为零,光刻平面调整量为9.434 42μm,且对光刻平面调整后10μm后,在DICD(Develop Inspection Critical Dimension)变化量较小的情况下,可显着改善沟道长为2.5μm的GOA(gate drive on array)区域的光刻胶残留。(本文来源于《液晶与显示》期刊2018年08期）
李雅飞,李晓良,马英杰,陈洁珺,徐飞[3]（2018）在《ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响》一文中研究指出采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀,研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明,光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关,压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性,Cl2/Ar比Cl2/BCl3更易使光刻胶发生变性。对于GaAs样品刻蚀,刻蚀气体中Cl2含量越高,刻蚀图形侧壁的横向刻蚀越严重。Cl2/BCl3对GaAs的刻蚀速率比Cl2/Ar慢,但刻蚀后样品的表面粗糙度比Cl2/Ar小。刻蚀InP时的刻蚀速率比GaAs样品慢,且存在图形侧壁倾斜现象。该工作有助于推动在器件制备工艺中以光刻胶作为掩模进行ICP刻蚀,从而提高器件制备效率。(本文来源于《半导体光电》期刊2018年02期）
胡磊,石树正,高翔,何剑,穆继亮[4]（2017）在《AZ4620光刻胶掩膜的氮化硅图形化工艺》一文中研究指出以薄膜体声波谐振器(FBAR)的背腔刻蚀为研究背景,研究了光刻工艺参数设置与光刻图形转移效果的关系。分析了紫外曝光剂量大小对光刻图形面积和边角曲率的影响,优化得到最佳工艺流程,以AZ4620光刻胶为掩膜实现了氮化硅的湿法刻蚀。实验结果表明,曝光剂量为60 mJ、显影时间60 s时,曝光图形化质量最佳;随着氮化硅刻蚀液温度的升高,湿法刻蚀速率不断增大,温度过高导致光刻胶被破坏而不能起到掩膜作用,60℃时刻蚀速率为109.5 nm/min,得到了边线规整、底部平整的微结构。刻蚀后表面分子喇曼位移为单晶硅的波峰(519.354 cm~(-1)),证实氮化硅被完全去除,为氮化硅作掩膜的单晶硅湿法刻蚀提供了一种有效途径。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2017年06期）
于明岩,施云波,赵士瑞,郭晓龙,徐昕伟[5]（2015）在《应用微波技术抑制光刻胶图形的坍塌与黏连》一文中研究指出针对显影工艺中水的表面张力导致的高高宽比抗蚀剂图形的坍塌及黏连,提出了一种基于微波加热的干燥技术来有效改善纳米抗蚀剂图形的干燥效果。该方法利用微波穿透光刻胶结构直接加热光刻胶图形间隙中残存的去离子水,水分子吸收微波的光子能量迅速蒸发,从而有效地抑制光刻胶图形的坍塌与黏连现象。利用提出的基于微波加热的干燥方法,成功获取了高260nm、宽16nm的光刻胶线条组和直径为20nm的光刻胶柱形阵列,其中高高宽比线条组和由15 625根柱子组成的柱形阵列结构没有出现坍塌及黏连情况,验证了在微波产生的交变电场作用下,可以减小水分子团簇,降低水的表面张力。(本文来源于《光学精密工程》期刊2015年01期）
周敏祺[6]（2013）在《通过硬件参数调整解决功率MOS产品接触层特殊图形光刻胶倒胶缺陷的方案》一文中研究指出作为光刻工艺中的主要缺陷之一，光刻胶倒胶缺陷对于最终的产品良率有着极大的影响。光刻胶倒胶缺陷的产生，很大一部分原因是由于晶圆表面接触角不佳。光刻的六甲基二硅胺烷（HMDS）涂布工艺正是改善晶圆表面接触角的关键步骤。本课题的研究目的在于通过硬件参数的调整，进一步提高和优化光刻HMDS涂布工艺的能力，解决功率MOS产品A特殊图形的倒胶问题，提高产品良率。本课题的意义在于目前国内外各工厂对于HMDS涂布工艺能力的提高主要基于对工艺程式的优化调整，而对于HMDS涂布腔本身的硬件参数条件并未有所改善，基本使用设备供应商所提供的标准参数。对硬件参数条件对于工艺能力的影响的研究非常缺乏。在这样的条件下，对于整个HMDS涂布工艺能力的提高程度有限且具有相当的局限性。通过硬件参数的调整，提高光刻HMDS涂布工艺的能力，解决特殊图形的倒胶问题，提高产品良率。并通过实验得到相关硬件参数与HMDS涂布工艺能力之间的关系，来获得最好的硬件参数条件。通过设计实验，确定HMDS蒸汽浓度、反应腔体真空度、HMDS蒸汽更新速率与接触角之间的关系。以鼓泡式HMDS药液罐为例，找出鼓泡氮气压力与稀释氮气压力与HMDS蒸汽浓度之间的关系。并随之找出两者对于接触角的影响。通过实验找出HMDS蒸汽流量与反应腔体排气量对于HMDS蒸汽速率的影响，并找出该两者对于接触角的影响。实验得出对于该功率MOS而言最优的硬件设定（鼓泡氮气压力、稀释氮气压力、反应腔体真空度、蒸汽流量、反应腔体排气量）。实验结果证明本课题研究获得的硬件参数条件应用于实际生产能够改进HMDS涂布工艺能力，对倒胶现象的解决起到很大的作用。(本文来源于《上海交通大学》期刊2013-05-01）
刘方,汪凌,袁安波,唐利,李贝[7]（2008）在《光刻胶斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响》一文中研究指出分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响。采用工艺实验测定了斜坡处不同光刻胶厚度屏蔽离子注入的效率,并通过工艺监测确定g线光刻的图形侧墙斜坡角度。定量分析了g线光刻典型的斜坡角度下图形侧墙对离子注入后图形特征尺寸的影响。该研究结果可为CCD的设计和工艺制作提供参考。(本文来源于《半导体光电》期刊2008年06期）
李春燕,王宇,张霞,范惠娟,孙强[8]（2005）在《图形反转双层光刻胶金属剥离技术》一文中研究指出金属剥离技术是用于空间用太阳电池电极的关键工艺技术。为了实现真空蒸镀直接剥离7 mm金属层的目的,开发了图形反转双层光刻胶金属剥离技术。采用图形反转胶和正型光刻胶,实现了理想的光刻胶剖面图形,检测表明金属厚度达到7 μm。此技术已经用于高效太阳电池的批量生产中。空间环模条件考核表明此工艺制作的电极满足空间环境的要求。(本文来源于《电源技术》期刊2005年03期）
微言[9]（1994）在《光刻胶图形塌陷机理》一文中研究指出光刻胶图形塌陷机理＝Ｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｒｅｓｉｓｔｐａｔｔｅｒｎｃｏｌｌａｐｓｅ［刊，英］／Ｔａｎａｋａ，Ｔ，…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ，Ｓｏｃ，－１９９３，１４０（７）．－１１５～１１６采用原子力显微镜对清洗液中的图形进行测量来研究光刻胶...(本文来源于《微电子学》期刊1994年04期）
韩阶平,侯豪情,邵逸凯[10]（1994）在《适用于剥离工艺的光刻胶图形的制作技术及其机理讨论》一文中研究指出研究了AZ－1350胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术，并对一些机理性问题进行了讨论。(本文来源于《真空科学与技术》期刊1994年03期）
光刻胶图形论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
TFT光刻制程中,光刻胶段差使光胶在同一个光刻平面上,各区域的光刻程度不同,严重影响着光刻图形的质量。文章从光刻胶段差对光刻图形影响的原因进行分析,根据光强在投影光刻机光刻系统中焦点附近与光刻胶内部的变化特点,推导并计算出光刻胶段差区域内光强变化量为零时,光刻系统中光刻平面所应处于的位置,同时结合当前光刻系统焦平面的位置,计算出光刻平面的调整量,并以该调整量对当前光刻平面进行调整。结果表明:对于极限分辨率为2.41μm的投影光刻机,要使厚0.52μm的光刻胶段差内光强变化量为零,光刻平面调整量为9.434 42μm,且对光刻平面调整后10μm后,在DICD(Develop Inspection Critical Dimension)变化量较小的情况下,可显着改善沟道长为2.5μm的GOA(gate drive on array)区域的光刻胶残留。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光刻胶图形论文参考文献
[1].李冰,马洁,刁翠梅,孙嘉,李海波.光刻胶材料发展状况及下一代光刻技术对图形化材料的挑战[J].新材料产业.2018
[2].张玉虎,李亚文,刘小波,马小辉,张旭.光刻胶段差对光刻图形的影响与改善[J].液晶与显示.2018
[3].李雅飞,李晓良,马英杰,陈洁珺,徐飞.ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响[J].半导体光电.2018
[4].胡磊,石树正,高翔,何剑,穆继亮.AZ4620光刻胶掩膜的氮化硅图形化工艺[J].微纳电子技术.2017
[5].于明岩,施云波,赵士瑞,郭晓龙,徐昕伟.应用微波技术抑制光刻胶图形的坍塌与黏连[J].光学精密工程.2015
[6].周敏祺.通过硬件参数调整解决功率MOS产品接触层特殊图形光刻胶倒胶缺陷的方案[D].上海交通大学.2013
[7].刘方,汪凌,袁安波,唐利,李贝.光刻胶斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响[J].半导体光电.2008
[8].李春燕,王宇,张霞,范惠娟,孙强.图形反转双层光刻胶金属剥离技术[J].电源技术.2005
[9].微言.光刻胶图形塌陷机理[J].微电子学.1994
[10].韩阶平,侯豪情,邵逸凯.适用于剥离工艺的光刻胶图形的制作技术及其机理讨论[J].真空科学与技术.1994