高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述

高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述

论文摘要

SiC粉体的纯度对生长SiC单晶晶体质量有重要影响。本文介绍了SiC粉体的多种合成方法,并主要阐述了高纯SiC粉体的两种合成方法,最后对高纯SiC粉体的合成工艺进行了展望。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 安振华

关键词: 碳化硅,粉体,自蔓延合成法,半导体材料

来源: 中国粉体工业 2019年02期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑,信息科技

专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备,无线电电子学

分类号: TN304;TQ163.4;TB383.3

页码: 1-3

总页数: 3

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