导读:本文包含了代微光管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:微光,图象,通道,离子,函数,悬浮液,反馈。
代微光管论文文献综述
徐江涛,程耀进,闫磊,刘蓓蓓,祝婉娉[1]（2012）在《叁代微光管防离子反馈Al_2O_3膜电子轰击放气成分分析》一文中研究指出为了解决防离子反馈Al2O3膜污染对叁代微光管GaAs光电阴极灵敏度的影响,用四级质谱计对制管超高真空室残气、无膜微通道板(MCP)和带Al2O3膜MCP在电子轰击时的放气成份进行分析。结果表明,带Al2O3膜MCP放出有对阴极光电发射有害的C、CO、CO2、NO、H2O2和CXHY化合物,它们来源于Al2O3膜制备过程的质量污染。经过对制膜工艺质量进行改进,制备出了放气量小于2×10-9 Pa且无CXHY化合物气体的Al2O3膜。(本文来源于《应用光学》期刊2012年06期）
杜晓晴,杜玉杰,常本康,宗志园[2]（2003）在《叁代微光管均匀性测试与分析》一文中研究指出利用自行研制的“光电阴极多信息量测试系统”首次对国产叁代微光管中的GaAs光电阴极的均匀性进行了光谱响应测试 ,结果表明该国产叁代微光管存在明显的非均匀性。利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极的材料性能参数 ,发现表面逸出概率不一致是非均匀性的主要原因 ,GaAs材料的少子扩散长度 (1 1 2～ 1 82 ) μm ,与阴极厚度相当 ,后界面复合速率在 (1× 1 0 5～ 1× 1 0 6 )cm/s之间 ,它限制了阴极灵敏度的提高(本文来源于《真空科学与技术》期刊2003年04期）
闫金良,赵银女[3]（1999）在《Ⅲ代微光管后近贴系统MTF研究》一文中研究指出在微通道板（ＭＣＰ）电子光学聚焦理论和输出电子能量分布实验结果基础上提出了ＭＣＰ输出电子角度分布和能量分布的理论模型，导出了Ⅲ代微光样品管后近贴系统调制传递函数（ＭＴＦ）的理论表达式，对Ⅲ代微光管极限分辨力理论计算与测试结果进行比较，最后提出改进Ⅲ代微光管后近贴系统ＭＴＦ的主要技术途径。(本文来源于《应用光学》期刊1999年01期）
闫金良[4]（1998）在《MCP防离子反馈膜及其对Ⅲ代微光管分辨力特性影响研究》一文中研究指出微通道板(MCP)防离子反馈膜本质上是一种超薄非晶态Al_2O_3连续膜,研究MCP防离子反馈膜及其对Ⅲ代微光管分辨力的影响的目的是为提高Ⅲ代微光管的寿命和分辨力性能。 二板骤冷直流离子溅射技术是制备MCP防离子反馈膜的一种可行性方案,其中MCP不浸水工艺制备的掩膜提高了防离子反馈膜的质量,紫外辐射脱膜降低了带膜MCP通道内表面的碳污染。本文实验测试和理论分析了防离子反馈膜和带膜MCP的性能,指出防离子反馈膜能有效地透过电子,阻止反馈离子,调制传递函数近似为1;MCP带膜后增益下降,体电阻增加,暗电流降低,探测效率下降。二极骤冷直流离子溅射技术制备防离子反馈膜的工艺条件是苛刻的,偏离最佳成膜条件不能在MCP上形成连续膜,而且造成MCP通道表面严重碳污染。 为探讨MCP防离子反馈膜对Ⅲ代微光管分辨力的影响,本文推导了Ⅲ代微光管MTF的理论表达式,计算了Ⅲ代微光管的极限分辨力,建立了Ⅲ代微光管的阈值探测理论模型。理论分析和实验结果表明,二极骤冷直流离子溅膜工艺的失败造成McP输出电极深度冷凝大量的碳污染物是导致Ⅲ代微光管极限分辨力低的根本原因。二极骤冷直流离子溅射技术制备成功的防离子反馈膜衰减Ⅲ代微光管的分辨力,但并不严重。 无碳污染的MCP防离子反馈膜新工艺是提高Ⅲ代微光管寿命和分辨力的有效途径。新工艺由自持连续有机衬底的制备、铝膜的沉积和防离子反馈膜的贴附叁道工序组成。新工艺避免了MCP同有机膜的直接接触,MCP的通道内表面不受碳污染。测试结果表明,新工艺不影响MCP的体电阻、暗电流和工作寿命,对MCP的电子增益影响较小,新工艺制备的防离子反馈膜膜层碳含量低。(本文来源于《北京理工大学》期刊1998-06-30）
向世明[5]（1997）在《叁代微光管分辨力特性初步分析》一文中研究指出叁代微光管分辨力特性初步分析向世明（中国兵器工业第二○五研究所西安７１０１００）叁代微光管是各类微光直视和微光电视成像系统的核心器件，在军用夜视和其他科技领域里，有重要使用价值和广泛的市场前景。本文仅就叁代管的ＭＴＦ、分辨力特性、影响因素及其潜力发挥...(本文来源于《大连理工大学学报》期刊1997年S2期）
高秀敏[6]（1993）在《叁代微光管光阴极台屏玻璃及其黑化》一文中研究指出通过试炼、试测、分析,确定一种满足技术要求的与GaAlAs半导体匹配的光阴极台屏玻璃配方。对该玻璃表面黑化,采用了离子交换氢还原法、玻璃中掺杂着色离子法、表面涂覆法以及溶胶凝胶法。经过试验分析,得出了玻璃表面涂覆法和溶胶凝胶法是使玻璃表面黑化的可行途径。(本文来源于《应用光学》期刊1993年03期）
何振华[7]（1989）在《Ⅱ代微光管金属玻璃封接壳体清洗及处理工艺的研究》一文中研究指出微光器件制造过程中,金属玻璃封接壳体的清洗和处理的常规工艺流程如下:去油——化学抛光——检漏——去油——真空除气——流入装配工序。这种传统工艺的缺点主要有两点:一是,除气前去油工艺,金属表面未能获得新鲜的表面原子层,壳体表面吸附的各种重金属离子,各种气体及氧化物难于彻底去净;二是,真空除气处理过程(本文来源于《应用光学》期刊1989年06期）
田丽云[8]（1989）在《提高二代微光管荧光屏表面质量的探讨》一文中研究指出二代微光管内的放电现象是一个十分复杂的问题,为了解决后近贴放电问题(屏与微道板),要求屏的表面在450倍显微镜下观察没有大的“凸起点”。在20/30TZ101(仿XX1380)管和二代薄片管的研制中,通过大量的实验,总结了一套提高二代管荧光屏表面质量的理论和方法。采用超声分选和改变电介质浓度的新方法解决了屏表面的“大凸起点”问题,提高了沉淀屏表面的质量。在改变涂(?)工艺的同时,建立了一套标准化配方的新工艺规范。工艺稳定,重复性好,使屏的良品率达到80%以上。由此,基本上解决了后近贴放电问题。(本文来源于《红外技术》期刊1989年03期）
王金堂[9]（1984）在《二代微光管等九项科研成果通过鉴定》一文中研究指出一九八四年十二月一日至四日,国防科工委和兵器工业部在西安召开了二代微光技术成果鉴定会。兵器工业部二○五所研制的GZⅡ—20/30T型二代微光管、KWT—36型和KWT—70型微通道板、离子交换光学纤维面板(含面板玻璃和低熔点微晶封接玻璃)、GZⅡ—20/30T型二代微光管小型高压电源、耐高场强荧光屏、二代管信噪比测试仪、荧光屏特性测试仪、象管综合测试台等九项科研成果在会上一致通过了鉴定。(本文来源于《应用光学》期刊1984年06期）
程伟龄[10]（1984）在《Ⅰ代与Ⅱ代微光管及其变种管型的综合评述》一文中研究指出本文试图通过对这几种类型微光管的综合评述,为有关工程技术人员在确定选用方案时提供参考。同时也作为向有关行政领导干部提出优选技术发展方案的一项技术建议。(本文来源于《应用光学》期刊1984年02期）
代微光管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用自行研制的“光电阴极多信息量测试系统”首次对国产叁代微光管中的GaAs光电阴极的均匀性进行了光谱响应测试 ,结果表明该国产叁代微光管存在明显的非均匀性。利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极的材料性能参数 ,发现表面逸出概率不一致是非均匀性的主要原因 ,GaAs材料的少子扩散长度 (1 1 2～ 1 82 ) μm ,与阴极厚度相当 ,后界面复合速率在 (1× 1 0 5～ 1× 1 0 6 )cm/s之间 ,它限制了阴极灵敏度的提高
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
代微光管论文参考文献
[1].徐江涛,程耀进,闫磊,刘蓓蓓,祝婉娉.叁代微光管防离子反馈Al_2O_3膜电子轰击放气成分分析[J].应用光学.2012
[2].杜晓晴,杜玉杰,常本康,宗志园.叁代微光管均匀性测试与分析[J].真空科学与技术.2003
[3].闫金良,赵银女.Ⅲ代微光管后近贴系统MTF研究[J].应用光学.1999
[4].闫金良.MCP防离子反馈膜及其对Ⅲ代微光管分辨力特性影响研究[D].北京理工大学.1998
[5].向世明.叁代微光管分辨力特性初步分析[J].大连理工大学学报.1997
[6].高秀敏.叁代微光管光阴极台屏玻璃及其黑化[J].应用光学.1993
[7].何振华.Ⅱ代微光管金属玻璃封接壳体清洗及处理工艺的研究[J].应用光学.1989
[8].田丽云.提高二代微光管荧光屏表面质量的探讨[J].红外技术.1989
[9].王金堂.二代微光管等九项科研成果通过鉴定[J].应用光学.1984
[10].程伟龄.Ⅰ代与Ⅱ代微光管及其变种管型的综合评述[J].应用光学.1984
论文知识图
