导读:本文包含了施主杂质论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:GeSe单层,杂质态,第一性原理计算
施主杂质论文文献综述
熊宗刚,杜娟,张现周[1]（2019）在《二维GeSe纳米片五族和七族原子掺杂的受主和施主杂质态（英文）》一文中研究指出采用第一性原理的计算方法研究GeSe纳米片结构掺杂Ⅴ和Ⅶ族元素对其电子结构、形成能和跃迁能级的影响.结果表明:无论是掺杂Ⅴ族还是Ⅶ族元素,体系的形成能均随杂质半径的增加而增加.Ⅴ族元素掺杂体系的跃迁能级随杂质原子半径的增加而降低,而Ⅶ元素掺杂的体系却随杂质原子半径的增加而增加.其中,F、Cl、Br和I的掺杂为n型施主浅能级杂质,而N、P和As掺杂为p型受体深能级杂质.为相关的实验研究提供了理论参考.(本文来源于《计算物理》期刊2019年06期）
廖冠松[2]（2017）在《二维量子环中带负电荷施主杂质的非线性光学性质研究》一文中研究指出本论文在有效质量近似下,应用谐振子基展开法和Talmi-Moshinsky系数研究了带负电荷(D~-)的施主量子环中电子的能级和相应的波函数表达式,以及通过对变化的外加磁场强度下系统能谱的特征曲线进行比较揭示了外加磁场对带负电的施主量子环系统能级性质的影响,最后再利用密度矩阵法根据所求的能级和波函数的解析解进一步对量子环中电子的非线性光学性质进行研究。研究发现,随着半导体量子环内的D-系统内线性和非线性极化率的改变,外部磁场的变化会在跃迁能量中引起光震荡现象。结果表明,通过改变外部磁场和半导体量子环的宽度控制D-系统的频移及线性和非线性极化率的密度。峰位和峰高在线性和非线性极化率中均出现了光震荡,意味着可以通过光学实验对D~-系统进行观测。(本文来源于《广州大学》期刊2017-05-01）
王广新[3]（2016）在《圆柱形GaAs量子环中施主杂质束缚能的磁场效应》一文中研究指出在有效质量近似理论下,利用变分法,计算了外磁场下圆柱形GaAs量子环中类氢施主杂质基态束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量子环尺寸(内径、外径、高度)、杂质位置以及磁场强度间的变化规律。结果表明:施主杂质束缚能随着量子环内径的增大而增大。随着量子环高度、外径的增大施主杂质束缚能逐渐减小。中心施主杂质束缚能随着磁场强度的增大逐渐减小。另外,当杂质离子从量子环的内表面被移至外表面时,施主杂质束缚能先增大后减小,有一最大值。(本文来源于《华北理工大学学报(自然科学版)》期刊2016年03期）
黄锦胜,陈国贵[4]（2014）在《施主杂质量子点的光折射率》一文中研究指出利用精确对角化方法计算了两个电子在施主杂质抛物势量子点的能量和波函数,通过密度矩阵方法得到光折射率改变量的表达式,在这基础上计算了杂质量子点由1 S态跃迁到1 P态的光折射率改变量,并对杂质的电荷量不同的杂质量子点的结果进行分析.(本文来源于《广西民族大学学报(自然科学版)》期刊2014年04期）
宋东明,谢刚,马卓煌,陈丽娟,张艺[5]（2013）在《多晶硅材料制备中施主杂质磷的模拟计算研究》一文中研究指出多晶硅是主要功能半导体材料。磷作为主要施主杂质,其含量直接影响多晶硅的半导体性能。多晶硅制备普遍采用改良西门子工艺,在密闭、复杂的动态工艺系统中,磷存在的化合物、含量及转化,无法实际有效掌握、但又非常重要;利用Aspen plus等软件对流程中主要的工艺系统模拟计算,并结合热力学反应分析,研究磷的分布规律、存在形式和量化含量;研究发现磷的主要化合物类型除PCl3,在还原或氢化炉这种高温、富氢条件下,PCl3会转化成PH3。在还原过程中磷存在富集效应。尾气回收解析塔解析效果的好坏影响着磷去除效果。研究结果表明,若要使还原多晶硅产品符合国标太阳能叁级磷≤7.74ppba的要求,则对本文建立的模拟工艺流程,需要精馏前、后的SiHCl3中P应分别≤2557 ppbw和1.79ppbw。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2013年03期）
解文方[6]（2013）在《椭球量子点中施主杂质的叁阶非线性光学极化率(英文)》一文中研究指出在有效质量近似下,采用变分方法,研究椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质.基于计算能量和波函数,以典型的半导体材料砷化镓为例,讨论椭球量子点的几何尺寸和各向异性度对施主杂质的叁阶非线性极化率的影响.结果显示这些因素对椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质有强烈的影响.(本文来源于《广州大学学报(自然科学版)》期刊2013年02期）
尹新,王海龙,龚谦,封松林[7]（2013）在《GaInAsP/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能》一文中研究指出在有效质量近似下,利用变分法对Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响。计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,束缚能达到最大值;外加电场使得电子波函数从阱中心偏移,引起束缚能的非对称分布;Ga与As组分的变化使得阶梯阱的势能高度发生变化,从而明显地影响阱中氢杂质束缚能。计算结果对一些基于半导体阶梯型量子阱的光电子器件的设计制作有一定的指导意义。(本文来源于《量子电子学报》期刊2013年02期）
候文秀,危书义,夏从新[8]（2013）在《激光场和温度对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中施主杂质态的影响》一文中研究指出利用有效质量近似和变分原理,研究了激光场和温度对GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中基态施主束缚能的影响.结果显示,基态施主束缚能随着激光场的增强而减小,尤其是对于量子阱中心处的杂质,激光场的影响更明显.而且激光场对窄阱中杂质的施主束缚能有明显的影响.基态施主束缚能随着温度的增加而减小,随着Al含量的增加而增加,随着量子阱宽的增大而减小.并且随着阱宽的进一步增大,束缚能减小的趋势变慢.(本文来源于《河南师范大学学报(自然科学版)》期刊2013年02期）
黄锦胜,林少光,林凯燕,陈国贵[9]（2013）在《外加磁场下类氢施主杂质量子点中的激子》一文中研究指出利用精确对角化方法计算了外加磁场下类氢施主杂质量子点中的激子的束缚能,发现系统的束缚能随着量子点的束缚势的增大而减小,随着外加磁场的增大而减小.(本文来源于《五邑大学学报(自然科学版)》期刊2013年01期）
郑冬梅,王宗篪[10]（2012）在《应变纤锌矿GaN/Al_χGa_(1-χ)N柱形量子点中类氢施主杂质态结合能的压力效应》一文中研究指出考虑应变,在有效质量、有限高势垒近似下,变分研究了纤锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中类氢施主杂质态结合能随流体静压力、杂质位置及量子点结构参数(量子点高度、半径、Al含量)的变化关系.结果表明,类氢施主杂质态结合能随流体静压力增大而增大,且在量子点尺寸较小时,流体静压力对杂质态结合能的影响更为显着.受流体静压力的影响,杂质态结合能随量子点高度、半径的增加而单调减少,且变化趋势加剧;随A1含量增加而增大的趋势变缓.无论是否施加流体静压力,随着类氢施主杂质从量子点左界面沿材料生长方向移至右界面,杂质态结合能在量子点的右半部分存在一极大值.流体静压力使得极大值点向量子点中心偏移.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2012年04期）
施主杂质论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本论文在有效质量近似下,应用谐振子基展开法和Talmi-Moshinsky系数研究了带负电荷(D~-)的施主量子环中电子的能级和相应的波函数表达式,以及通过对变化的外加磁场强度下系统能谱的特征曲线进行比较揭示了外加磁场对带负电的施主量子环系统能级性质的影响,最后再利用密度矩阵法根据所求的能级和波函数的解析解进一步对量子环中电子的非线性光学性质进行研究。研究发现,随着半导体量子环内的D-系统内线性和非线性极化率的改变,外部磁场的变化会在跃迁能量中引起光震荡现象。结果表明,通过改变外部磁场和半导体量子环的宽度控制D-系统的频移及线性和非线性极化率的密度。峰位和峰高在线性和非线性极化率中均出现了光震荡,意味着可以通过光学实验对D~-系统进行观测。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
施主杂质论文参考文献
[1].熊宗刚,杜娟,张现周.二维GeSe纳米片五族和七族原子掺杂的受主和施主杂质态（英文）[J].计算物理.2019
[2].廖冠松.二维量子环中带负电荷施主杂质的非线性光学性质研究[D].广州大学.2017
[3].王广新.圆柱形GaAs量子环中施主杂质束缚能的磁场效应[J].华北理工大学学报(自然科学版).2016
[4].黄锦胜,陈国贵.施主杂质量子点的光折射率[J].广西民族大学学报(自然科学版).2014
[5].宋东明,谢刚,马卓煌,陈丽娟,张艺.多晶硅材料制备中施主杂质磷的模拟计算研究[J].功能材料与器件学报.2013
[6].解文方.椭球量子点中施主杂质的叁阶非线性光学极化率(英文)[J].广州大学学报(自然科学版).2013
[7].尹新,王海龙,龚谦,封松林.GaInAsP/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能[J].量子电子学报.2013
[8].候文秀,危书义,夏从新.激光场和温度对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中施主杂质态的影响[J].河南师范大学学报(自然科学版).2013
[9].黄锦胜,林少光,林凯燕,陈国贵.外加磁场下类氢施主杂质量子点中的激子[J].五邑大学学报(自然科学版).2013
[10].郑冬梅,王宗篪.应变纤锌矿GaN/Al_χGa_(1-χ)N柱形量子点中类氢施主杂质态结合能的压力效应[J].原子与分子物理学报.2012