论文摘要
较之于传统硅器件,新出现的增强型氮化镓晶体管GaN HEMTs(gallium nitride high electron mobility transistors)具有很高的开关速度和高功率密度的特性,可以为直流变换器提供有效的改进。为了解决GaN HEMT在硬开关应用场合下的波形振荡并提高功率密度和效率,采用半桥LLC谐振变换器为本次应用的拓扑结构。以减小损耗为目的,优化了LLC的谐振参数和死区时间。在400 V输入电压、开关频率300 kHz和输出电压18 V电流12 A的测试条件下,效率达到95.59%。最后对变换器的损耗来源进行分析,损耗的理论计算值接近实际测量值,证明了方法具有一定的实用性。
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类型: 期刊论文
作者: 姚盛秾,韩金刚,李霞光,范辉,汤天浩
关键词: 增强型氮化镓晶体管,半桥,软开关,损耗分析
来源: 电源学报 2019年03期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑
专业: 电力工业
单位: 上海海事大学物流工程学院,上海电机学院电气学院
分类号: TM46
DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.83
页码: 83-90
总页数: 8
文件大小: 1259K
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标签：增强型氮化镓晶体管论文; 半桥论文; 软开关论文; 损耗分析论文;