导读:本文包含了微晶硅论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,微晶,微结构,光电,磁控溅射,衬底,窗口。
微晶硅论文文献综述
王林青,周永涛,王军军,刘雪芹[1]（2019）在《氢稀释比对磁控溅射低温(100℃)沉积氢化微晶硅薄膜微结构特性的影响（英文）》一文中研究指出在低温(100℃)条件下采用磁控溅射在玻璃和硅(100)衬底上沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究不同氢稀释比对微晶硅薄膜微结构特性的影响。结果表明:薄膜从非晶相过渡到了微晶相当氢稀释比增加到约50%,氢化微晶硅薄膜的结晶率随氢稀释比从40%增加到70%先增加后趋于稳定;薄膜的表面粗糙度随着氢稀释比的增加而增加,氢含量的变化趋势与之相反;所制备的氢化微晶硅薄膜都具有(111)择优取向,与氢稀释比无关,且薄膜结构致密。(本文来源于《Journal of Central South University》期刊2019年10期）
祝祖送,尹训昌,张杰,易明芳,闻军[2]（2019）在《放电功率对微晶硅薄膜的晶化调控及光电性质的影响》一文中研究指出以SiCl_4和H_2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在不同放电功率下沉积微晶硅薄膜,通过调节放电功率实现了微晶硅薄膜的晶化调控和光电性质的优化,并利用Langmuir探针和质谱计分别对等离子体空间的电子特性和中性基团进行在线检测,初步探讨了成膜的微观机理.(本文来源于《四川大学学报(自然科学版)》期刊2019年02期）
鲁媛媛,李贺军,丁旭[3]（2019）在《不同沉积速率下微晶硅薄膜的生长行为研究》一文中研究指出鉴于微晶硅薄膜在沉积过程中先经历一个非晶过渡层才开始晶化的生长特点,试图通过降低薄膜的沉积速率来延长沉积原子在薄膜生长表面的扩散时间,以达到促进晶粒生长的目的。研究结果表明,反应气体气流量的减小可以有效降低薄膜的沉积速率;随着沉积速率的降低,薄膜的表面粗糙度明显减小,且其平均晶粒尺寸有所增大,通过HRTEM甚至能观察到尺寸在10nm以上的晶粒,说明沉积速率的降低对沉积粒子在薄膜生长表面的扩散过程有较大影响;另外,薄膜的少子寿命随着沉积速率的降低逐渐增大,这与薄膜结晶程度和平均晶粒尺寸的变化趋势一致,可见微观结构对电学性能起着决定作用。(本文来源于《功能材料》期刊2019年02期）
康健,马骁,张振友,刘达[4]（2018）在《计算机模拟微晶硅薄膜太阳电池量子效率》一文中研究指出太阳电池的性能参数不仅受到本征层厚度的影响,也受本征活性层晶化率影响。基于AMPS-1D仿真软件,在模拟无缓冲层和最佳缓冲层两种条件下,计算不同本征层厚度和晶化率时电池相关参数。计算数据表明,缓冲层厚度在100 nm时,太阳电池性能最好,且高于无缓冲层情况;量子效率在长波段与本征层晶化率正相关,晶化率提高的同时,电池的短路电流增大,转换效率与填充因子降低。(本文来源于《电源技术》期刊2018年08期）
翁秀章[5]（2018）在《PECVD沉积参数对非晶硅向微晶硅薄膜转化及微结构的影响》一文中研究指出微晶硅薄膜材料既具有非晶硅薄膜材料高的光吸收系数,又具有晶体硅材料的高稳定性、长载流子寿命,以及较小光致衰退效应而被国内外专家与市场肯定。对于微晶硅薄膜材料的研究,国内外一般均采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备,设备简单,技术成熟,低温且大面积均匀性好,材料与电池一次成形,成本低。本文参考国内外的研究成果,分析了硅基薄膜的性能和生长机制,对硅基薄膜的制备方法和沉积工艺进行了初步的探索研究,并研究了PECVD沉积工艺对非晶硅向微晶硅转化以及微结构的影响。论文采取射频(13.56MHz)PECVD系统制备硅基薄膜材料。通过X射线衍射谱,紫外可见光透射谱,红外傅里叶吸收谱,拉曼光谱等对样品薄膜进行表征分析,探索了硅烷浓度、射频功率、沉积温度、沉积压强等参数对非晶硅向微晶硅薄膜材料转化的影响,并探究其对材料的结构性质以及光学特性的影响。研究结果表明:1.采用PECVD系统,以硅烷和氢气为反应气源,通过改变射频功率、硅烷浓度来制备氢化硅基薄膜材料。研究了沉积参数的变化对硅基薄膜材料微结构的影响。实验结果表明,随着射频功率的增加,薄膜中氢含量也相应地增大,而光学带隙表现出先增大后减小的规律。当硅烷浓度逐渐降低时,薄膜材料的光学带隙相应地降低,并从非晶硅薄膜逐渐向微晶硅薄膜材料转变,且薄膜材料在晶向(111)方向的晶粒尺寸达到了10.92nm。因此,在高沉积压强、大射频功率、低硅烷浓度条件下可以有效优化并改善硅基薄膜材料的质量,使其从非晶硅薄膜向微晶硅薄膜材料过渡。2.利用PECVD沉积系统,以硅烷和氢气为气源,通过改变衬底温度来制备微晶硅薄膜材料。研究结果表明:随着衬底温度的升高,薄膜中的氢含量在逐渐降低,而薄膜材料中微结构因子表现出相反的趋势,薄膜的晶相表现为从非晶逐渐向微晶转变,且当衬底温度为200℃时,薄膜样品的晶化率达到最大为68.7%。光学带隙表现出单调递减的规律。最终结果表明,优化的其它参数条件下,当衬底温度为200℃时,可以有效地促使非晶硅薄膜向微晶硅薄膜材料转变,即最优衬底沉积温度为200℃。3.利用PECVD沉积系统,以硅烷和氢气为气源,通过变化沉积压强来研究硅基薄膜材料的微结构。研究结果表明:薄膜样品的光学带隙随着沉积压强的升高而减小,薄膜逐渐从非晶态向微晶态转化,且薄膜样品的晶化率从51.6%增加到62.8%。薄膜氢含量减小而结构因子随之增大,薄膜样品表面会呈现出一些不均匀性现象。(本文来源于《内蒙古师范大学》期刊2018-06-04）
翁秀章,周炳卿,谷鑫[6]（2018）在《PECVD沉积参数对非晶硅向微晶硅薄膜转化的影响》一文中研究指出采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,以硅烷和氢气为反应气源,通过改变射频功率、硅烷浓度来制备氢化硅基薄膜材料。研究了沉积参数的变化对硅基薄膜材料微结构的影响。通过红外吸收谱、紫外可见光谱以及X射线衍射谱对样品材料进行表征。实验结果表明,随着射频功率的增加,薄膜中氢含量也相应地增大,而光学带隙表现出先增大后减小的规律。当硅烷浓度逐渐降低时,薄膜材料的光学带隙相应地降低,并从非晶硅薄膜逐渐向微晶硅薄膜材料转变,且薄膜材料在(111)方向的晶粒尺度达到了10.92 nm。实现了在高沉积压强、大射频功率、低硅烷浓度条件下可以有效优化改善硅基薄膜质量。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2018年02期）
彭文博,刘大为,高虎,杨彦斌,黄艳红[7]（2017）在《P型微晶硅氧薄膜光电性能研究》一文中研究指出本工作采用甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了P型微晶硅氧窗口层薄膜,讨论了P型微晶硅氧的光电特性随硼烷掺杂率的变化。采用紫外-可见透射光谱,拉曼光谱,傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR),暗电导测量对薄膜的光电特性进行了表征。结果表明,P型微晶硅氧材料均表现为微晶态,随着硼烷掺杂率增加,晶化程度逐步降低,暗电导率快速减小,光学带隙持续降低。该结果可归因于硼烷掺杂的增加抑制晶化使得非晶成分增多,有效掺杂率降低导致薄膜电导率下降,另一方面,对硅氧物相分离的阻碍作用导致薄膜带隙下降。硼烷掺杂率为0.4%样品的电导率高达0.158 S/cm且光学带隙为2.2 e V,兼具高透射性和良好电导率,可作为高效硅基太阳电池的窗口层。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2017年11期）
靳果,袁铸,胡居涛[8]（2017）在《P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究》一文中研究指出以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等,研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响,并在此基础上做进一步的参数优化,得到更高电导的微晶硅薄膜;将其应用于PEN衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,得到6%的初始效率。(本文来源于《电源技术》期刊2017年07期）
于丽娜,黎明,安艳辉[9]（2017）在《基于AMPS软件的微晶硅太阳电池最佳性能预测》一文中研究指出以太阳电池模拟软件AMPS-1D为基础研究窗口层厚度、前端接触势垒等因素对微晶硅薄膜太阳电池的p层势垒和内建电势的影响,同时预测该因素对太阳电池性能的影响。研究结果表明,前端接触势垒越大,微晶硅太阳电池的性能越好,当前端接触势垒小于1.32 eV时,p层厚度对电池性能的影响显着,当p层厚度为14 nm时,所得微晶硅太阳电池的性能最佳。(本文来源于《电源技术》期刊2017年06期）
刘翼鸣[10]（2017）在《微晶硅锗太阳电池的仿真与优化》一文中研究指出现如今,电力系统中的主要光伏电源是晶体硅太阳电池。由于晶体硅太阳电池在继续提高转换效率和降低成本方面都遇到了困难,这使其上网电价远高于传统能源的上网电价。相比之下,硅基薄膜太阳电池具有成本低,弱光响应好等优点,将其用于光伏发电有望进一步节省成本,降低光伏并网电价。目前,影响其竞争力的主要因素是转换效率较低。微晶硅锗是近几年被提出应用于薄膜太阳电池中的新型窄带隙材料,具有吸收系数高,红外光响应好等特点,将其应用于迭层硅基薄膜太阳电池的底电池中,可以有效提高电池的光电转换效率。本文采用计算机仿真的方式对微晶硅锗太阳电池进行研究,通过新结构的提出以优化其光电性能。首先,应用太阳电池仿真软件wxAMPS建立并优化了本征层具有渐变带隙结构的微晶硅锗太阳电池,与具有相同锗含量非渐变电池相比,其转换效率提高了36%。并且在传统线性渐变结构的基础上,优化出了一种沿曲线渐变的新型电池结构,使得优化后的曲线渐变微晶硅锗太阳电池转换效率达到13.82%。然后,在微晶硅锗太阳电池的p/i界面添加了非晶硅锗缓冲层,并从锗含量和厚度两个方面对缓冲层进行优化,使电池的短路电流和开路电压进一步得到提高,转换效率提升4.5%。最后,建立了非晶硅/非晶硅锗/微晶硅/微晶硅锗四结迭层太阳电池,并将优化后的曲线渐变微晶硅锗电池用于四结电池的底电池,使得迭层电池的转换效率达24.8%。同具有相同锗含量的非渐变微晶硅锗电池以及微晶硅电池作为底电池时相比,四结电池的效率分别提高8.7%和16.7%。研究结果显示了微晶硅锗在硅基薄膜太阳电池中的应用潜力。(本文来源于《东北电力大学》期刊2017-05-01）
微晶硅论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以SiCl_4和H_2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在不同放电功率下沉积微晶硅薄膜,通过调节放电功率实现了微晶硅薄膜的晶化调控和光电性质的优化,并利用Langmuir探针和质谱计分别对等离子体空间的电子特性和中性基团进行在线检测,初步探讨了成膜的微观机理.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
微晶硅论文参考文献
[1].王林青,周永涛,王军军,刘雪芹.氢稀释比对磁控溅射低温(100℃)沉积氢化微晶硅薄膜微结构特性的影响（英文）[J].JournalofCentralSouthUniversity.2019
[2].祝祖送,尹训昌,张杰,易明芳,闻军.放电功率对微晶硅薄膜的晶化调控及光电性质的影响[J].四川大学学报(自然科学版).2019
[3].鲁媛媛,李贺军,丁旭.不同沉积速率下微晶硅薄膜的生长行为研究[J].功能材料.2019
[4].康健,马骁,张振友,刘达.计算机模拟微晶硅薄膜太阳电池量子效率[J].电源技术.2018
[5].翁秀章.PECVD沉积参数对非晶硅向微晶硅薄膜转化及微结构的影响[D].内蒙古师范大学.2018
[6].翁秀章,周炳卿,谷鑫.PECVD沉积参数对非晶硅向微晶硅薄膜转化的影响[J].人工晶体学报.2018
[7].彭文博,刘大为,高虎,杨彦斌,黄艳红.P型微晶硅氧薄膜光电性能研究[J].人工晶体学报.2017
[8].靳果,袁铸,胡居涛.P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究[J].电源技术.2017
[9].于丽娜,黎明,安艳辉.基于AMPS软件的微晶硅太阳电池最佳性能预测[J].电源技术.2017
[10].刘翼鸣.微晶硅锗太阳电池的仿真与优化[D].东北电力大学.2017
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