氧氩比对磁控溅射CuO薄膜特性的影响

氧氩比对磁控溅射CuO薄膜特性的影响

论文摘要

采用射频磁控溅射法利用铜靶在硅片和蓝宝石衬底上制备CuO薄膜,研究氧氩比对CuO薄膜的晶体结构、表面形貌和光电特性的影响。X射线衍射测试结果显示,较低的氧氩比下,薄膜样品由Cu2O和CuO组成;在氧氩比达到5∶35时,薄膜成份仅为CuO;且随着氧氩比的增加,CuO薄膜由(002)取向逐渐转向(111)取向。扫描电子显微镜图像显示CuO薄膜均匀,随氧氩比增加晶粒尺寸逐渐变小。光学测试结果显示,CuO薄膜在近红外区域具有良好的透射性,利用吸收值经过线性外推法测得禁带宽度为1.6~1.8 eV。电学测试结果显示,制备的薄膜样品均为p型导电;且随氧氩比的增加,CuO薄膜样品迁移率由0.027 cm2/(V·s)增加至0.201 cm2/(V·s),载流子浓度由近1021cm-3减小至1019cm-3,电阻率减小1 kΩ·cm。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 实验步骤
  • 2 结果与讨论
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 李静杰,付宏远,周毅坚,项国姣,张子旭,赵洋,李新忠,王辉

    关键词: 薄膜,磁控溅射,氧氩比,晶体结构,光电特性

    来源: 半导体技术 2019年11期

    年度: 2019

    分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

    专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备

    单位: 河南科技大学物理工程学院

    基金: 国家自然科学基金资助项目(61674052,11404097),河南省高等学校重点科研项目(20A140012),河南科技大学大学生研究训练计划(SRTP)项目(2019206,2019208),河南科技大学物理与工程学院大学生研究训练计划(SRTP)项目(wlsrtp201910)

    分类号: TB383.2;TQ131.21

    DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.11.011

    页码: 888-892

    总页数: 5

    文件大小: 1367K

    下载量: 74

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