陶瓷硅论文_卢希龙,代让让,曹春娥,黄钢

导读:本文包含了陶瓷硅论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:衬底,陶瓷,薄膜,色料,多晶硅,生物,材料。

陶瓷硅论文文献综述

卢希龙,代让让,曹春娥,黄钢[1](2015)在《高能球磨活化红土制备陶瓷硅铁红色料》一文中研究指出以红土和氧化铁为原料,外加少量矿化剂,通过高能球磨活化工艺,采用固相法合成了硅铁红色料。研究了不同高能球磨活化时间对色料呈色的影响,对红土的化学成分进行了分析。结果表明:景德镇红土的主要化学成分为Si O2﹑Al2O3和Fe2O3,另外还有少量的K2O﹑Na2O和Ti O2。高能球磨活化工艺很好地促进了硅铁红色料的呈色,以红土93.7%﹑氧化铁6.3%,外加3%的硼砂作为矿化剂,高能球磨活化15 h所得色料呈色最佳,其色度值为:L*=38.21﹑a*=21.24﹑b*=11.87。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2015年07期)

张美丽,翟万银,常江[2](2009)在《新型硅酸盐生物陶瓷硅锌矿的制备及性能研究》一文中研究指出引言:由先天性因素以及后天因素如创伤、疾病等造成的骨缺损是临床认识上的常见病,也是骨科紧张治疗解答的难题之一。传统的修复手段,如自体骨移植,异体骨移植虽然能在一定程度上解决部分问(本文来源于《2009年上海市医用生物材料研讨会论文汇编》期刊2009-12-19)

廖华,林理彬,刘祖明[3](2003)在《陶瓷硅材料的制备及其特性》一文中研究指出文章研究了用来作为多晶硅薄膜太阳电池衬底的陶瓷硅材料的制备方法及其结构。对不同烧结条件制备的样品进行了 XRD和 SEM的测试和分析。测试分析的结果表明 :形成了表面平整的陶瓷硅材料。用此方法可以获得性能良好的硅太阳电池衬底材料。(本文来源于《云南师范大学学报(自然科学版)》期刊2003年04期)

廖华,林理彬,刘祖明,李景天,刘强[4](2003)在《陶瓷硅衬底上沉积多晶硅薄膜研究》一文中研究指出本文采用陶瓷硅作为衬底材料,用RTCVD沉积制备了多晶硅薄膜。对薄膜的SEM表面形貌进行分析表明:薄膜的结构和形貌与沉积温度和衬底状况有关,高温下可以沉积得到大晶粒且致密的薄膜。应用Scherrer公式估算了薄膜的晶粒尺寸,与SEM图的结果相一致。Hall测量分析了薄膜的性能,薄膜的迁移率随沉积温度的增加而增加,电阻率随沉积温度的增加而降低。(本文来源于《21世纪太阳能新技术——2003年中国太阳能学会学术年会论文集》期刊2003-06-30)

廖华[5](2003)在《薄膜太阳电池及其陶瓷硅衬底材料的制备和电子辐照研究》一文中研究指出光伏发电技术越来越受到世界各国的关注。太阳电池可以直接将太阳能转化为电能,具有极大的可再生性,既清洁安全,无污染,也不会影响生态环境,所以越来越被人们所认识、接受。在太阳电池的研究和发展中,薄膜太阳电池是人们研究的热点课题,国际太阳电池的研究正在向薄膜化的方向发展。目前最有前途的薄膜太阳电池是碲化镉薄膜太阳电池、铜铟硒薄膜太阳电池和硅薄膜太阳电池等。碲化镉薄膜太阳电池研究获得了较高的转换效率,已经出现在光伏市场。而该太阳电池中的镉(Cd)是重金属,Cd的化合物与Cd一样有毒,它可以通过呼吸进入人类或其它动物体内造成危害。废弃和破损的组件必须有效的处理。铜铟硒薄膜太阳电池研究也达到了较高的转换效率,但是铟资源的有限性能否满足该太阳电池大规模应用仍有问题。在众多的太阳电池材料中,硅在自然界中储量丰富,无毒、无污染,是人们研究最多,最成熟的材料。目前有叁种硅薄膜太阳电池的形式,非晶硅薄膜、多晶硅薄膜和单晶硅薄膜太阳电池。而非晶硅薄膜太阳电池存在光致衰退效应未能解决,其应用受到限制。单晶硅薄膜太阳电池,由于单晶硅薄膜制备的复杂性,应用仍存在问题。所以,多晶硅薄膜太阳电池具有高效率和稳定性的特点成为国际光伏界研究的热门课题之一。然而薄膜太阳电池需要一种衬底材料作为支撑,衬底材料是多晶硅薄膜太阳电池实现高效率的关键。 本文综述了硅薄膜太阳电池的研究现状、发展趋势及其存在的主要问题,分析了多晶硅薄膜太阳电池的衬底材料,首次提出了采用陶瓷硅材料作为多晶硅薄膜太阳电池衬底材料的思想,并进行了全面深入的研究和实验。成功地制备了陶瓷硅材料,分析研究了陶瓷硅材料的性能和机理。用(快速热化学气相沉积)RTCVD方法在陶瓷硅、镁铝尖晶石透明陶瓷及石墨衬底材料上沉积制备了多晶硅薄膜,测试分析了多晶硅薄膜的性能。对多晶硅薄膜和多晶硅薄膜太阳电池进行了电子辐照研究。得到了以下一些新结果: 1、研究了陶瓷硅材料的制备方法及其性能和机制。 首次采用高压低温法成功地制备了陶瓷硅材料,得到了最佳制备条件为:600℃,2.3GPa,10分钟。这一条件下可以获得无氧化硅相或基本无氧化硅相的陶瓷硅材料。在最佳烧结条件下制备的陶瓷硅材料具有高密度(2 .18岁cm3,约为理论密度的94%)和高硬度(6<H<7),其机械性能满足了多晶硅薄膜衬底材料的要求。这些结果都未见报导。 又用热力学关系证明了制备致密陶瓷材料的压力和温度关系。在低压情况下,温度几乎接近熔点(1400℃),制备的陶瓷尚不够致密;而当压力增高,温度下降至约熔点的1/2,就可得到致密的陶瓷,又可不出现硅的氧化。此结果未见报导。 对温度升高陶瓷硅中硅的氧化增加用化学动力学作出了解释。由于硅与氧发生的化学反应为:si(s)+O2(g)一si02(s),反应中氧气为气态。压力增加时,为使系统平衡,化学反应必须向右进行,因此压力是有利于氧化反应的。 分别用高纯度的Al粉和BZO3粉为掺杂剂,以1%和2%的重量比掺入硅粉中,在高压低温下制备了陶瓷硅材料,经Hall测量材料的载流子浓度发现:虽掺杂浓度较高,而陶瓷硅的载流子浓度却还很低,表明杂质可能大部分处于填隙位置而不是替代位置。并未改善陶瓷硅的电导率。此研究结果也未见报道。 2、研究了以陶瓷硅、镁铝尖晶石透明陶瓷及石墨等为衬底沉积多晶硅薄膜。 采用快速热化学气相沉积(Rl,CVD)方法在以上叁种不同衬底上,不同的温度(873℃,970℃,1070℃,1150℃)条件下成功地制备了多晶硅薄膜:以H:为载气,siHZCI:为产生si的生长气体,BZ氏为掺杂气体,用于实现硼(B)的掺杂,形成P型多晶硅薄膜。 首次在陶瓷硅衬底材料上沉积制备了多晶硅薄膜。薄膜晶粒为随机取向,性能与沉积温度有关,高温条件沉积的薄膜结构均匀、致密,具有较大的晶粒尺寸(约10卜m)。 首次在镁铝尖晶石透明陶瓷衬底材料上成功地沉积制备了多晶硅薄膜。薄膜具有择优取向,其择优晶向为(220),薄膜具有较高的迁移率48.2cmZ.v-l.s一,。 在石墨衬底材料上沉积制备的多晶硅薄膜,晶粒取向与沉积温度有关。低温条件下(873℃,970℃)为随机取向:高温条件下(1070℃,1 150℃)为择优取向,择优晶向为(220)。有关晶粒取向随温度变化的研究结果尚未见报导。 3、研究了多晶硅薄膜及多晶硅薄膜太阳电池的电子辐照效应。 利用四川大学原子核科学技术研究所的JJ一2型静电加速器对多晶硅薄膜和多晶硅薄膜太阳电池进行了电子辐照试验。电子能量为IMeV,电子注量分别为:一x 1014/emZ,1 x 1015/emZ和1 x 1016/emZ。 多晶硅薄膜在低注量的电子辐照后,电阻率减小,这是电离效应所致。而在高注量的电子辐照后,多晶硅薄膜的电阻率期加很大,是由一j一原子的位移锁伤造成。而辐照后多晶硅薄膜的迁移率退化与辐照注量的关系近似为直线关系。表明实验结果与理论结果△(与-工一土一K,中林协。具有较好的一致性。 经多晶硅薄膜太阳电池的电子辐照结果与薄单晶硅太阳电池(本文来源于《四川大学》期刊2003-03-20)

刘家臣,杨正方,袁启明[6](1994)在《热处理ZTM/SiC陶瓷硅物种变化的分析》一文中研究指出本文运用XPS研究,对两种条件热处理过程中莫来石/ZrO_2/SiC_p陶瓷硅物种的变化作了研究,并结合热处理前后材料性能的改变,分析了热处理过程中硅物种变化对材料性能的影响。(本文来源于《94'全国结构陶瓷、功能陶瓷、金属/陶瓷封接学术会议论文集》期刊1994-10-20)

陶瓷硅论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

引言:由先天性因素以及后天因素如创伤、疾病等造成的骨缺损是临床认识上的常见病,也是骨科紧张治疗解答的难题之一。传统的修复手段,如自体骨移植,异体骨移植虽然能在一定程度上解决部分问

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

陶瓷硅论文参考文献

[1].卢希龙,代让让,曹春娥,黄钢.高能球磨活化红土制备陶瓷硅铁红色料[J].中国陶瓷.2015

[2].张美丽,翟万银,常江.新型硅酸盐生物陶瓷硅锌矿的制备及性能研究[C].2009年上海市医用生物材料研讨会论文汇编.2009

[3].廖华,林理彬,刘祖明.陶瓷硅材料的制备及其特性[J].云南师范大学学报(自然科学版).2003

[4].廖华,林理彬,刘祖明,李景天,刘强.陶瓷硅衬底上沉积多晶硅薄膜研究[C].21世纪太阳能新技术——2003年中国太阳能学会学术年会论文集.2003

[5].廖华.薄膜太阳电池及其陶瓷硅衬底材料的制备和电子辐照研究[D].四川大学.2003

[6].刘家臣,杨正方,袁启明.热处理ZTM/SiC陶瓷硅物种变化的分析[C].94'全国结构陶瓷、功能陶瓷、金属/陶瓷封接学术会议论文集.1994

论文知识图

烧结温度对碳化硅多孔陶瓷支撑体断口...光纤式反应器的实验装置示意图陶瓷粘结剂含量(10wt%~25wt%)对碳化...制备工艺条件不同的碳化硅多孔陶瓷支...陶瓷粘结剂含量对碳化硅多孔陶瓷支撑...造孔剂类型对碳化硅多孔陶瓷渗透率k...

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