基于偏硼酸钡晶体的电光补偿型光学磁场传感器

论文摘要

提出并实验验证了基于偏硼酸钡（β-BaB2O4,BBO）晶体的电光补偿型磁场传感器。磁场传感单元主要由单块BBO晶体和两个偏振器组成。采用光强度调制的传感方式,被测磁场和法拉第磁光效应引起的BBO晶体输出光强度变化可以由外加电压产生的电光强度调制来补偿。在电光补偿后的输出光传感信号不变的条件下,可以通过测量外加补偿电压间接实现磁场的测量。利用一块尺寸为4 mm×4 mm×20 mm的BBO晶体实验测量了167 Gs范围内的工频磁场,通过设置晶体主光轴与光传播方向的夹角为0.76°,可以有效降低电光补偿电压,约为0.018 3 V·Gs-1,比以往的实验结果降低了约30倍。

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类型: 期刊论文

作者: 王露,李长胜

关键词: 光学磁场传感器,法拉第磁光效应,偏硼酸钡晶体,电光补偿

来源: 光电子·激光 2019年08期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工,自动化技术

单位: 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院光电工程系,北京航空航天大学微纳测控与低维物理教育部重点实验室

分类号: TQ132.35;TP212

DOI: 10.16136/j.joel.2019.08.0141

页码: 797-803

总页数: 7

文件大小: 1409K

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标签：光学磁场传感器论文;  法拉第磁光效应论文;  偏硼酸钡晶体论文;  电光补偿论文;