导读:本文包含了量子电导论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:InAs,GaSb量子阱,太赫兹,光电导,平衡方程方法
量子电导论文文献综述
魏相飞,何锐,张刚,刘向远[1]（2018）在《InAs/GaSb量子阱中太赫兹光电导特性》一文中研究指出太赫兹技术由于具有重大的科学价值及应用前景而引起了广泛关注,其核心问题是性能优异的室温太赫兹辐射源和探测器研究.本文用半经典的玻尔兹曼方程方法研究了In As/Ga Sb量子阱系统中载流子对电磁场的响应,运用平衡方程方法求解玻尔兹曼方程得到了量子阱系统中的光电导,系统地研究了量子阱结构对光电导的影响,揭示了在该量子阱系统中光电导产生的物理机制.研究发现,量子阱结构主要通过调节载流子的能级、浓度和波函数的耦合影响光电导,对称性较好的量子阱结构(8 nm-8 nm)的光电导信号更强,其峰值落在太赫兹区(0.2 THz),并且在低温下器件的性能较好,温度升高则吸收峰略有降低,且光电导峰值发生红移.研究结果表明该量子阱系统可以用作室温太赫兹光电器件.(本文来源于《物理学报》期刊2018年18期）
张帅[2]（2018）在《拓扑绝缘体BiSbTeSe_2的量子霍尔态与电导涨落的研究》一文中研究指出在叁维拓扑绝缘体中,电子能带非平庸的拓扑性导致了其无带隙的表面态,拥有背散射禁戒、自旋螺旋性等特性,使其在新型电子器件中具有独特的应用潜力。早期的Bi基家族二元的拓扑绝缘体材料由于其难以抑制体态载流子的贡献,使得表面态的占比不高,难以实现真正的拓扑表面态输运。经过对材料优化不断的探索,现在已可以经成功地生长出表面态占据主导的拓扑绝缘体材料。在本文中,我们利用的是BiSbTeSe2拓扑绝缘体,这种材料的表面态在低温下占据主导,从而为我们提供了研究拓扑绝缘体表面态独特输运性质的平台。我们通过微加工等手段制备出了 BiSbTeSe2的介观器件。通过输运等手段,我们表征出了其基本的性质。在其介观器件中,我们成功地测量到了拓扑表面态的量子霍尔效应,并测量了非局域电阻的效应。通过调节栅压、磁场、温度等参数,我们可以对这里表面态的量子霍尔效应进行调控,并发现其量子霍尔态可以一直存活到30K以上的温度。我们通过一个简单的图像解释了其不同量子霍尔平台处的特征。并且给出了拓扑表面态理论上的模型分析。为了研究拓扑表面态量子霍尔效应的新奇特性,我们通过磁性的Co团簇对拓扑绝缘体上表面进行修饰。在修饰后的样品上,我们依旧可以测量到量子霍尔效应。然后我们介绍了重整化群流的分析方法,从另一个角度对量子霍尔效应进行分析。通过重整化群流,可以得到其量子化的轨迹。对比磁性团簇修饰前后的重整化群流,我们观测到了一个反常的量子化轨迹。为了解释这个结果,我们提出了一个推迟的朗道能级杂化的模型。这里磁性团簇通过反铁磁耦合在拓扑绝缘体的上表面打开一个塞曼型的能隙,并使零朗道能级偏移到这个能隙的顶端。这样的一个模型成功解释了实验上的量子化轨迹,并且从中我们可以估算出这里所打开的能隙不小于4.8 meV。通过多次的实验测量,我们发现了该结果的可重复性。为了使结论更具有说服性,我们还进行了非磁性的Cu团簇修饰下的量子霍尔效应的比较,发现该实验结果可以印证前面的结论。除了量子霍尔效应,我们还研究了拓扑绝缘体的普适电导涨落现象。在磁场与栅压调控的电阻中,我们分别得到了磁场依赖的和费米能级依赖的拓扑表面态普适电导涨落。并在非局域的测量中,我们也得到了普适电导涨落。通过计算不同磁场下随栅压变化的电导涨落的均方根值可以发现,这个值会随着磁场的增大有一个√2倍的降低,且这个降低所对应的临界磁场约为0.1 T;并且在电子区与空穴区都符合这样的规律。利用随机矩阵理论,从对称性的角度出发,我们发现这样的规律是符合理论预期的,且这样的一个降低是对应着时间反演对称性的打破。(本文来源于《南京大学》期刊2018-05-01）
姜磊[3]（2017）在《忆阻器的高速测试及量子化电导研究》一文中研究指出忆阻器是继电阻、电容、电感之后的第四种基本元器件,其阻值能随流经它的电荷的方向和数量的变化而变化。当电荷的变化量低于阻变条件时,其阻值能保持不变。因此忆阻器可以被视作一种具有记忆功能的非线性电阻器件,具有高速、低功耗、高密度、可扩展性强、CMOS电路兼容性良好等优点,是替代闪存的主要候选之一。从它器件的问世到现在已有近十年的发展过程,这期间忆阻器性能获得了大幅提升,许多新的特性也逐渐被人们发现。高速特性和量子化电导特性就是当前基于忆阻器的两大研究热点。研究这两种特性对发展原子尺寸开关、高速多值存储器件、类脑功能器件等领域具有重大的意义。本文首先对传统的忆阻器测试方法和测试系统进行了提升和优化。基于忆阻器的样品结构和封装,设计了具有足够带宽和良好信号完整性的忆阻器高速脉冲测试电路。利用该电路搭建了高速测试平台,实现了对忆阻器的常规测试和高速脉冲测试。结合测试结果对其阻变机理以及多种电学性能进行了展示与分析。本文还对基于AgInSbTe材料忆阻器的量子化电导效应进行了测试,实现了纳秒级环境下在不同量子化电导态间的切换,提出了该效应的形成机理模型,为今后利用该效应研发高速多值存储器件提供了研究对象和理论基础。(本文来源于《华中科技大学》期刊2017-05-01）
储昭栋,何林[4]（2015）在《Zigzag石墨烯纳米带中室温单通道量子电导的物理起因研究(英文)》一文中研究指出最近实验表明,在室温下,锯齿边界石墨烯纳米带(z GNR)在长度1–16微米时测量到的电导率为G0/2=e2/h(Baringhaus等,2014).目前对这一单量子通道的电导尚未有比较好的物理解释.本文提出了用于解释z GNR单通道弹道输运性质的理论模型.该模型中,z GNR边界碳原子的sp3轨道杂化使边界原子的自旋轨道耦合作用增强,这一作用进一步增强了边界态的自旋翻转散射效应.当此效应足够大时,边界自旋态会成为自旋向上与自旋向下的迭加态.此时边界的耦合降低了边界自由度,导致z GNR的电导率下降为G0/2.(本文来源于《Science China Materials》期刊2015年09期）
李丛丛[5]（2015）在《石墨烯中电磁输运性质的研究》一文中研究指出石墨烯是具有六角蜂窝状结构的二维材料,它有许多新奇的电子性质。比如在零能附近的线性色散关系,量子Hall效应和量子自旋Hall效应。二维的石墨烯材料也可以被弯曲成叁维,并出现一些独特的量子输运性质。在平面石墨烯中,pz轨道之间的跃迁积分为t≈3.0eV。而弯曲石墨烯中相邻的pz轨道之间并不是平行的,所以它的跃迁积分应该被修正,修正后的跃迁积分为t0=tcosα,其中α是pz轨道之间的夹角。而在均匀的垂直磁场作用下,研究弯曲石墨烯也成为了研究非均匀磁场作用的有效途径。这也实现了磁场在小尺度内的快速翻转,而这在半导体异质结中却是很难实现的。我们通过采用紧束缚模型和Green函数方法,系统的研究了电场、磁场和弯曲程度对弯曲石墨烯输运性质的影响,并得出了一些有意义的结果:首先,我们研究了弯曲石墨烯在磁场作用下界面态和边缘态的分布,以及Zeeman场存在时弯曲石墨烯的能带结构和量子化电导。我们发现有Zeeman场和无Zeeman场时,弯曲石墨烯的界面态分布和量子化电导有很大的差异。当Zeeman场存在时,我们发现了一个量子自旋Hall态。另外,我们又研究了在磁场存在的条件下,电场对折迭石墨烯的界面态、边界态和量子化电导的调控作用。当Zeeman场存在时,我们发现量子化的电流在边界处分布是非对称的。这些界面态和边界态的分布可以通过外加电场来调控。这为我们宏观调控界面电流和边界电流提供了一个可行的方案。(本文来源于《新疆大学》期刊2015-05-25）
吉跃仁[6]（2014）在《正常金属/绝缘层/正常金属/f波超导体量子点接触的微分电导（英文）》一文中研究指出在Blonder–Tinkham–Klapwijk理论的框架下,计算了正常金属/绝缘层/正常金属(N/I/N)/f波超导体量子点接触的隧道谱.结果表明:在单模情况下,当f22 x-y波超导体的a轴与正常金属/f22 x-y波超导体间的界面夹角α为零度时,零偏压电导随绝缘层到界面的距离(L)变化,这导致了隧道谱中零偏压电导峰的出现或消失;当α=π/4,零偏压附近的电导随绝缘层势垒的增加,从零偏压电导峰逐渐变成了V型结构,能隙内的谱线出现尖谷,并随L的变化发生谷裂.N/I/N/f波超导体量子点接触隧道谱的这些特征与N/I/N/d波和N/I/N/p波超导体量子点接触隧道谱的特征不同,利用这些特征,我们能把f波超导体与d波和p波超导体区别开.(本文来源于《低温物理学报》期刊2014年04期）
涂星辰,王明郎,侯士敏[7]（2014）在《氧掺杂的银量子点接触结构中1.3G_0电导的微观起源》一文中研究指出金属量子点接触结构自1998年第一次被报道后,就成为了表面科学、新型电子器件等领域的研究热点之一。实验和理论结果都已证实,诸如碱金属或者金、银等贵金属的点接触结构,在低偏压下的电导为1.0 G0(G0=2e/h为单位量子电导)。但是,若在这些量子点接触结构中引入其它原子或分子杂质,其电导性质则会出现很大变化。例如,Aradhya等人在室温大气环境下利用原子力显微镜和扫描隧道显微镜研究了银量子点接触结构的电导[1],发现除1.0 G0外在～0.4 G0和～1.3 G0还存在电导峰;他们猜想～0.4 G0电导可能来源于氧原子桥连在银量子点接触中形成的"串联"构型(AgO-S,Fig.1(b)),而～1.3 G0电导则可能来源于氧原子在银量子点接触中形成的"并联"构型(AgO-P,Fig.1(c))。为了深入理解O原子掺杂的银量子点接触结构的导电机制,我们利用非平衡格林函数与密度泛函理论相结合方法(NEGF+DFT)研究了几种银量子点接触构型(Fig.1(a)-(d))的电子输运特性。我们的计算结果表明,AgO-P构型的低偏压电导远低于1.0 G0从而对～1.3 G0电导峰没有贡献;进一步结合力学特性计算结果,我们推测～1.3 G0电导可能起源于有两个氧原子对称掺杂的银量子点接触构型(Fig.1(d))。(本文来源于《中国化学会第29届学术年会摘要集——第01分会：表面物理化学》期刊2014-08-04）
陈明伦,梁敢,曹艳华,王礼胜,勾庆东[8]（2014）在《电子通过量子点输运的微分电导》一文中研究指出采用格林函数方法,计算了电子通过量子点输运的微分电导,计算结果显示电导与偏压关系曲线中出现一个狭窄的电导尖峰和一个展宽的电导峰,与实验观测一致,本文分析了两个电导峰出现的物理原因.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2014年01期）
宁文婷,金彪[9]（2014）在《铁磁-量子点-超导体异质结中的自旋电导(英文)》一文中研究指出分析铁磁-量子点-超导体异质结中,量子点内存在自旋翻转相互作用时的自旋输运问题.采用非平衡格林函数方法,计算隧穿自旋流和自旋电导.结果表明,即使在一般温度和自旋极化强度下,自旋电导依赖于铁磁体内交换场方向,产生可控的巨自旋磁阻效应.(本文来源于《中国科学院大学学报》期刊2014年01期）
贺泽龙,张迪,白云峰[10]（2012）在《点间耦合强度对平行耦合叁量子点体系电导的影响》一文中研究指出利用非平衡格林函数方法,通过一个平行耦合叁量子点系统的电导被研究。电导作为电子能级的函数被数值计算。通过调整点间隧穿耦合强度,共振峰可以转变为Fano反共振峰。此外,在电导能谱中观察到2个Fano反共振峰和一个Breit-Wigner共振峰。(本文来源于《黑龙江工程学院学报(自然科学版)》期刊2012年04期）
量子电导论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在叁维拓扑绝缘体中,电子能带非平庸的拓扑性导致了其无带隙的表面态,拥有背散射禁戒、自旋螺旋性等特性,使其在新型电子器件中具有独特的应用潜力。早期的Bi基家族二元的拓扑绝缘体材料由于其难以抑制体态载流子的贡献,使得表面态的占比不高,难以实现真正的拓扑表面态输运。经过对材料优化不断的探索,现在已可以经成功地生长出表面态占据主导的拓扑绝缘体材料。在本文中,我们利用的是BiSbTeSe2拓扑绝缘体,这种材料的表面态在低温下占据主导,从而为我们提供了研究拓扑绝缘体表面态独特输运性质的平台。我们通过微加工等手段制备出了 BiSbTeSe2的介观器件。通过输运等手段,我们表征出了其基本的性质。在其介观器件中,我们成功地测量到了拓扑表面态的量子霍尔效应,并测量了非局域电阻的效应。通过调节栅压、磁场、温度等参数,我们可以对这里表面态的量子霍尔效应进行调控,并发现其量子霍尔态可以一直存活到30K以上的温度。我们通过一个简单的图像解释了其不同量子霍尔平台处的特征。并且给出了拓扑表面态理论上的模型分析。为了研究拓扑表面态量子霍尔效应的新奇特性,我们通过磁性的Co团簇对拓扑绝缘体上表面进行修饰。在修饰后的样品上,我们依旧可以测量到量子霍尔效应。然后我们介绍了重整化群流的分析方法,从另一个角度对量子霍尔效应进行分析。通过重整化群流,可以得到其量子化的轨迹。对比磁性团簇修饰前后的重整化群流,我们观测到了一个反常的量子化轨迹。为了解释这个结果,我们提出了一个推迟的朗道能级杂化的模型。这里磁性团簇通过反铁磁耦合在拓扑绝缘体的上表面打开一个塞曼型的能隙,并使零朗道能级偏移到这个能隙的顶端。这样的一个模型成功解释了实验上的量子化轨迹,并且从中我们可以估算出这里所打开的能隙不小于4.8 meV。通过多次的实验测量,我们发现了该结果的可重复性。为了使结论更具有说服性,我们还进行了非磁性的Cu团簇修饰下的量子霍尔效应的比较,发现该实验结果可以印证前面的结论。除了量子霍尔效应,我们还研究了拓扑绝缘体的普适电导涨落现象。在磁场与栅压调控的电阻中,我们分别得到了磁场依赖的和费米能级依赖的拓扑表面态普适电导涨落。并在非局域的测量中,我们也得到了普适电导涨落。通过计算不同磁场下随栅压变化的电导涨落的均方根值可以发现,这个值会随着磁场的增大有一个√2倍的降低,且这个降低所对应的临界磁场约为0.1 T;并且在电子区与空穴区都符合这样的规律。利用随机矩阵理论,从对称性的角度出发,我们发现这样的规律是符合理论预期的,且这样的一个降低是对应着时间反演对称性的打破。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
量子电导论文参考文献
[1].魏相飞,何锐,张刚,刘向远.InAs/GaSb量子阱中太赫兹光电导特性[J].物理学报.2018
[2].张帅.拓扑绝缘体BiSbTeSe_2的量子霍尔态与电导涨落的研究[D].南京大学.2018
[3].姜磊.忆阻器的高速测试及量子化电导研究[D].华中科技大学.2017
[4].储昭栋,何林.Zigzag石墨烯纳米带中室温单通道量子电导的物理起因研究(英文)[J].ScienceChinaMaterials.2015
[5].李丛丛.石墨烯中电磁输运性质的研究[D].新疆大学.2015
[6].吉跃仁.正常金属/绝缘层/正常金属/f波超导体量子点接触的微分电导（英文）[J].低温物理学报.2014
[7].涂星辰,王明郎,侯士敏.氧掺杂的银量子点接触结构中1.3G_0电导的微观起源[C].中国化学会第29届学术年会摘要集——第01分会：表面物理化学.2014
[8].陈明伦,梁敢,曹艳华,王礼胜,勾庆东.电子通过量子点输运的微分电导[J].原子与分子物理学报.2014
[9].宁文婷,金彪.铁磁-量子点-超导体异质结中的自旋电导(英文)[J].中国科学院大学学报.2014
[10].贺泽龙,张迪,白云峰.点间耦合强度对平行耦合叁量子点体系电导的影响[J].黑龙江工程学院学报(自然科学版).2012