导读:本文包含了硅外延层论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:外延,绝缘体,多孔,气相,化学,均匀,真空。
硅外延层论文文献综述
康军亮[1]（2019）在《平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控》一文中研究指出随着现代电子技术的飞速发展,电子元件的精细化程度也不断提高,加工工艺水平直接决定了电子元件的性能。本文结合平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控展开研究,通过实验方法阐述150mm大尺寸硅抛光片硅外延层特征,分别展开厚度均匀性、电阻率均匀性两大部分的调控方法总结。(本文来源于《科技风》期刊2019年09期）
米姣[2]（2019）在《一种重掺磷衬底上硅外延层的生长方法》一文中研究指出为了使一种重掺杂磷衬底类型的硅外延层实际生长情况得到优化,应认识到新型生产工艺条件对外延层生长情况影响以及常规生产工艺条件的不足,并结合硅外延层实际生长需要,制定科学的生产工艺、条件优化方案。该文就一种重掺磷衬底类型硅外延层生长方法进行了分析。(本文来源于《中国新技术新产品》期刊2019年04期）
李明达,李普生,薛兵[3]（2018）在《低功耗肖特基整流器件用200 mm高均匀性硅外延层生长工艺》一文中研究指出200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好且高均匀性的外延层,外延层厚度不均匀性<1. 0%,电阻率不均匀性<1. 1%,无滑移线、雾等缺陷。实验利用光学显微镜、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg-CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、厚度和电阻率等参数。通过精确调节外延炉内的热场和流场分布,结合设计附面层杂质稀释、基座浅层包硅等技术,解决了参数一致性与稳定性问题,实现了高质量200 mm的硅外延层。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2018年36期）
薛兵,陈涛[4]（2017）在《一种重掺P衬底上硅外延层的生长方法》一文中研究指出文章采用化学气相沉积CVD方法[1],在EPI-PRO5000型平板式外延炉上,通过综合采取二次本征法、变流吹扫及低温外延沉积等工艺方法和手段,在5英寸<111>晶向,电阻率(0.7~1.5)×10-3Ω·cm重掺P衬底上,研究成功了一种N/N+型硅外延层的生长方法,产出的硅外延片完全满足客户的使用要求。目前,该项研究成果已经应用于大规模生产中。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2017年24期）
李明达,陈涛,李普生,薛兵[5]（2017）在《平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控》一文中研究指出硅外延层是在硅单晶抛光衬底上采用化学气相沉积方法生长的一层单晶硅薄膜。本实验以150 mm的大尺寸硅抛光片为衬底生长高均匀性外延层,结合傅里叶变换红外线光谱分析(FT-IR)、电阻率测试仪等测试设备对外延层电学参数进行了分析。对平板式外延炉的流场、热场与厚度、电阻率均匀性的相互作用规律进行了研究,最终制备出表面质量良好、片内和片间不均匀性小于1%的外延层。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2017年03期）
岳磊,陈长春,许军,刘志弘,钱佩信[6]（2006）在《UHV/CVD生长本征硅外延层的研究》一文中研究指出在微波双极型晶体管中,收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。普通的常压外延难以生长出杂质浓度变化陡峭的薄外延层。文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究;并采用扩展电阻(SPR)、原子力显微镜(AFM)、双晶衍射(DCXRD)等方法,对外延层的质量进行了评价。采用该外延材料制作的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)器件击穿特性良好。(本文来源于《微电子学》期刊2006年02期）
吴贵斌,叶志镇,崔继锋,黄靖云,张海燕[7]（2004）在《UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制》一文中研究指出为获得亚微米级的薄硅外延层,从而提高硅器件的工作频率,利用自行研制的一台新型超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统生长用于高频器件的超薄外延层,该系统由气路部分、控制部分、主体部分组成,反应室本底真空可达5.0×10-8Pa,能够实现在超净环境下低温、低压外延生长.利用该系统在重掺硅衬底上成功生长出了高质量的亚微米薄硅单晶层,外延层厚度为0.1～0.5μm,掺杂浓度为1×1017cm3,过渡区非常窄,达到了制备高频器件的要求;并在此基础上制备出了高频肖特基二极管原型器件,由IV测试并经过计算,截止频率可达31GHz.(本文来源于《浙江大学学报(工学版)》期刊2004年10期）
闵靖[8]（2003）在《硅外延层中的杂质》一文中研究指出主掺杂质、固态外扩散杂质、气相自掺杂质、系统自掺杂质和金属杂质等五类杂质源是外延层中的常见杂质。主掺杂质决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。金属杂质在外延层中对器件有害。本文系统地介绍了掺杂源的掺杂过程也给出了控制的方法。(本文来源于《集成电路应用》期刊2003年02期）
刘卫丽[9]（2002）在《多孔硅外延层转移SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究》一文中研究指出SOI技术和多孔硅纳米发光技术研究是当今微电子与光电子研究领域的前沿课题，本文根据科学院创新工程研究工作的需要，开展了多孔硅外延层转移ELTRAN-SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究，获得的主要结果如下： 系统研究了硅片掺杂浓度、掺杂类型和阳极氧化条件等因素对多孔硅结构、单晶性能和表面状态的影响，发现多孔硅与衬底并不是严格的四方畸变，在多孔硅/硅衬底的界面上，多孔硅的晶格与衬底完全一致，但在孔的边缘，多孔硅的晶格发生弛豫。研究结果为多孔硅衬底上材料的生长和光学性能的研究提供了良好的实验依据。 首次采用超高真空电子束蒸发的方法在多孔硅上成功地外延出晶体质量和电学性能良好的单晶硅。深入研究了影响外延的各种因素，特别是多孔硅的孔隙率和外延温度对外延层质量的影响，发现多孔硅的预氧化可以有效地阻止外延时B的扩散，外延层中主要的缺陷是沿着{111}面生长的层错。从晶体生长动力学角度分析了多孔硅上外延硅的生长机理。 研究了多孔硅在HF/H_2O_2溶液中的腐蚀行为，发现多孔硅的腐蚀以孔内腐蚀为主，腐蚀液通过毛细效应进入纳米孔内，孔壁被腐蚀掉后使得多孔硅整层同时坍塌。多孔硅在HF/H_2O_2溶液中的腐蚀速率比体硅的高几个数量级。 优化了外延条件，结合低温键合与多孔硅的剥离技术，在国内首次用多孔硅外延层转移技术成功地制备出了SOI材料。分析表明，ELTRAN-SOI的顶层硅厚度均匀，单晶质量优良；界面清晰、陡直；电学特性优异。 首次研究了碳等离子体注入对多孔硅的改性，得到了强蓝光发射，详细研究了退火温度对发光强度的影响，发现在400℃时达到最大值，并探讨了相关的机理。这一研究结果为硅基蓝光材料的制备提供了一种新的技术。 深入研究了等离子体浸没式氢注入硅的发光性能，发现在700—1000nm范围内获得低温荧光，当退火温度为400℃时荧光强度达最大。从600℃退火的注氢样品上获得白色室温电致发光。根据对注氢样品的结构和成分分析结果，分析了可能的发光原因。 摘 要 首次研究了硅中碳氢共注样品的发光性能c发现在适当碳含量的碳化硅样品中注入氢可以获得室温蓝光发射，追火温度对荧光有明显的影响。分析表明该荧光可能与碳化硅／硅的界面有关，氢在此起重要的作用。 探索硕－究了用脉冲檄光沉积的方法在多孔硅衬底上制备BST薄膜。发现多孔硅的孔隙率对BST的晶粒尺寸有明显的影I’向，与相同条件下在体硅衬底上生长的SST薄膜相比，其晶体质量有所改善。＊ST与多孔硅界面处的非晶＊ST是山于田T多孔硅的界面相互扩散引起的。多孔硅衬底上的＊盯结构为高灵敏度、低热噪音的红外探测器的制备提供了新材料。(本文来源于《中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）》期刊2002-07-01）
刘卫丽,多新中,张苗,沈勤我,王连卫[10]（2001）在《多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究》一文中研究指出用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散射/沟道谱(RBS/C)和扩展电阻(SPR)的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料也作了研究,结果表明P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能,用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅,并且,在一定浓度的HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率,保证了上层硅厚度的均匀性。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2001年04期）
硅外延层论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了使一种重掺杂磷衬底类型的硅外延层实际生长情况得到优化,应认识到新型生产工艺条件对外延层生长情况影响以及常规生产工艺条件的不足,并结合硅外延层实际生长需要,制定科学的生产工艺、条件优化方案。该文就一种重掺磷衬底类型硅外延层生长方法进行了分析。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅外延层论文参考文献
[1].康军亮.平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控[J].科技风.2019
[2].米姣.一种重掺磷衬底上硅外延层的生长方法[J].中国新技术新产品.2019
[3].李明达,李普生,薛兵.低功耗肖特基整流器件用200mm高均匀性硅外延层生长工艺[J].科学技术与工程.2018
[4].薛兵,陈涛.一种重掺P衬底上硅外延层的生长方法[J].科技创新与应用.2017
[5].李明达,陈涛,李普生,薛兵.平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控[J].电子元件与材料.2017
[6].岳磊,陈长春,许军,刘志弘,钱佩信.UHV/CVD生长本征硅外延层的研究[J].微电子学.2006
[7].吴贵斌,叶志镇,崔继锋,黄靖云,张海燕.UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制[J].浙江大学学报(工学版).2004
[8].闵靖.硅外延层中的杂质[J].集成电路应用.2003
[9].刘卫丽.多孔硅外延层转移SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究[D].中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）.2002
[10].刘卫丽,多新中,张苗,沈勤我,王连卫.多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究[J].功能材料与器件学报.2001
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