导读:本文包含了衍射强度振荡论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:RHEED,射角,摇摆曲线,反射式高能电子衍射
衍射强度振荡论文文献综述
陈可明,周铁城,樊永良,盛篪,俞鸣人[1]（1990）在《电子衍射条件对Si(111)外延时反射式高能电子衍射强度振荡的影响》一文中研究指出本文研究了不同电子衍射条件对Si(111)外延时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的影响,在保持生长条件不变的情况下,沿[112]方位观测时,不同入射角下其强度振荡的相位和初始瞬态响应变化很大,甚至会发生180°相位变化,而在[011]方位观测时,其相位的变化不明显,结合Si(111)面的RHEED强度摇摆曲线测量结果,表明这种与电子衍射条件有关的振荡特性变化,实际上反映了由电子多重散射机理引起的RHEED强度振荡两种情形,对RHEED强度的初始瞬态响应机理也作了探讨。(本文来源于《物理学报》期刊1990年12期）
周铁城,陈可明,盛篪[2]（1990）在《反射式高能电子衍射强度振荡的自动测量系统》一文中研究指出本文介绍一套测量反射式高能电子衍射强度振荡的简单而有效的系统,并以此对Si(111)衬底上同质外延Si时的RHEED强度振荡特性进行了观测。(本文来源于《真空科学与技术》期刊1990年04期）
张晓秋,朱战萍,孙殿照,孔梅影,曾一平[3]（1990）在《分子束外延反射式高能电子衍射的强度振荡采集系统及其应用》一文中研究指出在分子束外延(MBE)设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料时观察了RHEED强度振荡现象。并“在位”得到GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料的生长速率和Al_xGa_(1-x)As材料的AlAs摩尔分数,即x值。(本文来源于《真空科学与技术》期刊1990年03期）
陈可明,金高龙,盛篪,周国良,蒋维栋[4]（1990）在《Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察》一文中研究指出本文观察了在Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Si,Ge时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象。其振荡特性表明,外延一定厚度的缓冲层可以改善表面的平整性,较慢的生长速率或中断生长一段时间有利于外延膜晶体质量的提高。Si(100)上外延Si或Ge时,沿[100]和[110]方位观测到的振荡特性均为单原子模式,起因于表面存在双畴(2×1)再构;而Si(111)上外延Ge时,[112]方位观测到的振荡为双原子层模式,但在[110]方位观察到不均匀周期的强度振荡行为。两种衬底上保持RHEED强度振荡对应的Ge外延层最大厚度都为6个原子单层(6ML),刚好跟共度生长的临界厚度h_c值相合。(本文来源于《物理学报》期刊1990年02期）
杨桢,程玉芬,牛世文,李荫远[5]（1975）在《静电场和压电振荡对α-碘酸锂等晶体中子衍射强度的影响》一文中研究指出用中子衍射进行晶体结构的研究,是一个与常规的x射线结构分析方法各具特点、相辅相成的学科要[1].在通常情况下,被研究的晶体样品是处在自然状况下(室温,不加其他物理条件)的,但也有人作过晶体在特殊情况下(低温、高温、高压、磁场……等)的结构分析,目的是探索(本文来源于《物理》期刊1975年01期）
衍射强度振荡论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文介绍一套测量反射式高能电子衍射强度振荡的简单而有效的系统,并以此对Si(111)衬底上同质外延Si时的RHEED强度振荡特性进行了观测。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
衍射强度振荡论文参考文献
[1].陈可明,周铁城,樊永良,盛篪,俞鸣人.电子衍射条件对Si(111)外延时反射式高能电子衍射强度振荡的影响[J].物理学报.1990
[2].周铁城,陈可明,盛篪.反射式高能电子衍射强度振荡的自动测量系统[J].真空科学与技术.1990
[3].张晓秋,朱战萍,孙殿照,孔梅影,曾一平.分子束外延反射式高能电子衍射的强度振荡采集系统及其应用[J].真空科学与技术.1990
[4].陈可明,金高龙,盛篪,周国良,蒋维栋.Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察[J].物理学报.1990
[5].杨桢,程玉芬,牛世文,李荫远.静电场和压电振荡对α-碘酸锂等晶体中子衍射强度的影响[J].物理.1975