导读:本文包含了型量子线论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:量子,轨道,空穴,能级,时间,吸收率,磁场。
型量子线论文文献综述
黎明,陈军,宫箭[1]（2014）在《InAs/InP柱型量子线中隧穿时间和逃逸问题的研究》一文中研究指出在有效质量近似和绝热近似下,利用转移矩阵法研究了电子通过In As/In P/In As/In P/In As柱形量子线共振隧穿二极管的输运问题,分析和讨论了电子居留时间以及电子的逃逸过程.详细研究了外加电场、结构尺寸效应对居留时间和电子逃逸的影响.居留时间随电子纵向能量的演化呈现出共振现象;同时,结构的非对称性对电子居留时间有很大的影响,随着结构非对称性的增加,居留时间表现出不同的变化.利用有限差分方法研究了非对称耦合量子盘中电子的相干隧穿逃逸过程.(本文来源于《物理学报》期刊2014年23期）
李忞辉,徐中辉,陈宇光[2]（2014）在《阶梯型量子线中电子自旋极化输运性质的研究》一文中研究指出采用递归格林函数法研究了含Rashba自旋轨道耦合效应的阶梯型量子线中电子自旋极化输运性质.结果表明由于多阶梯结构量子线的纵向不对称性和Rashba自旋轨道耦合效应产生的势阱导致系统中出现了准束缚态,它与连续态耦合,从而使系统电导出现了Fano共振结构.进一步研究发现,随着共振腔长度的增加,系统电导的共振峰数目会增加,幅度也会增强.与单阶结构相比,多阶结构的极化电流更大,并且在特定能量区间出现了若干条禁带.这些效应说明所研究的体系有可能能用来设计自旋电子器件.(本文来源于《江西理工大学学报》期刊2014年05期）
黎明[3]（2013）在《InAs/InP柱型量子线中隧穿时间和逃逸问题的研究》一文中研究指出本文在有效质量近似和绝热近似下,利用转移矩阵法,研究电子通过InAs/InP/InAs/InP/InAs柱形量子线共振隧穿二极管(RTD)输运问题.讨论了电子居留时间以及电子逃逸过程.详细研究了外加电场、结构尺寸效应对居留时间和电子逃逸的影响.我们发现,居留时间随电子纵向能量出现共振现象,电子居留时间在量子盘束缚能级处出现峰值,并且居留时间峰值随共振能量的降低而增大.随着电压增加,盘内能级降低,居留时间的峰值位置向低能级区域移动;居留时间峰值随着外加电场的增大而降低.同时,结构的非对称性对电子居留时间有很大的影响.随着结构非对称性的增加,居留时间表现出不同的变化,其主要由于电子通过整个结构的透射系数和通过单垒透射系数相互竞争的结果.另外,我们利用有限差分方法研究了非对称耦合量子盘中,电子的相干隧穿和逃逸隧穿过程.研究发现,电子在纳米线中两量子盘间相互振荡,右侧垒厚将影响电子逃逸概率,右垒越薄,电子越易从体系中逃逸出去,但对振荡周期基本没有影响.而中间垒厚度对电子在双量子盘间的振荡周期和振幅有较大影响.(本文来源于《内蒙古大学》期刊2013-05-09）
张红,张春元,张慧亮,刘建军[4]（2011）在《外加磁场下抛物型量子线中的带电激子》一文中研究指出在一维等效模型下采用有效差分法对抛物型量子阱线中带电激子的束缚能进行了计算,分析了约束势以及磁场对带电激子束缚能的影响,并对带正电激子(X+)和带负电激子(X-)的情况进行了比较.结果表明:电子和空穴的振子强度对带电激子的稳定性有重要影响,X+的束缚能不总是比X-的大,随着空穴振子强度的增加束缚能的函数曲线将会出现交叉,这同实验得到的结果符合;磁场的存在会增加粒子间的束缚,并且磁场对束缚能的影响同振子强度大小有关.(本文来源于《物理学报》期刊2011年07期）
陈宇光,卜菊萍,肖贤波[5]（2010）在《双T型量子线的电子自旋极化输运性质》一文中研究指出文章研究了一个由两个T型异质结串联耦合量子结构的自旋输运性质。该结构中含有Rashba自旋轨道耦合相互作用。在工作中,计算了电子在自旋极化入射和自旋非极化入射两种情况下,电子在出射端的自旋极化率随体系结构的变化。发现通过适当的设计结构,当电子自旋非极化入射时,在出射端可以得到高达0.9的自旋极化率。其物理机制来源于体系结构引起的电子干涉使自旋向上的电子和自旋向下的电子有不同的透射率。(本文来源于《南昌航空大学学报(自然科学版)》期刊2010年01期）
王松柏[6]（2009）在《低维半导体GaAs圆形和矩型量子线的能带结构》一文中研究指出利用量子力学方法对低维半导体GaAs无限深势阱圆型量子线和有限深势阱矩型量子线的能带结构进行了详细的分析研究,分别得出系统各自的能量表式和波函数表式,并对其束缚态能量存在的必然性和物理意义进行了进一步的分析探讨。(本文来源于《江西科学》期刊2009年04期）
汪壮兵,梁齐[7]（2004）在《抛物线型量子线中束缚极化子基态能变分计算》一文中研究指出费曼路径积分的变分方法是计算束缚极化子基态能的最有效方法。文章给出了抛物线型量子线中束缚极化子的哈密顿量 ,运用费曼路径积分的变分方法统一推导出抛物线型量子线约束势中杂质库仑束缚势下极化子的基态能 ,讨论了量子阱的一些特殊情况 :有、无杂质库仑束缚势的量子点和有、无杂质库仑束缚势的量子阱束缚势的量子阱 ,以及自由极化子(本文来源于《合肥工业大学学报(自然科学版)》期刊2004年07期）
王传奎,江兆潭[8]（2001）在《Y型量子线中电子弹道输运性质》一文中研究指出对有限长 Y型量子线中的电子弹道输运性质进行了量子力学计算 .该有限长的量子结构分与两半无限长的量子通道相连 ,当施加一偏压时 ,量子通道分别可作为电子的发射极和收集极 .采用了转移矩阵方法和截断近似技术 .计算结果表明 ,当结构对于 x轴对称时 ,在入射电子的能量小于量子结构的第一个横向本征模时 ,电导存在着两个峰 ;当结构对于 x轴不对称时 ,电导则存在着叁个峰 .进一步分析表明 ,这些峰来自于电子共振隧穿量子结构中的量子束缚态 .该结构对于经典粒子来说是非束缚体系 .当结构对于 x轴对称时 ,较高能级是双重简并的 ,而当结构对于 x轴不对称时 ,该能级的简并度消除(本文来源于《半导体学报》期刊2001年03期）
郭子政,吴晓薇,周培勤[9]（2000）在《T型量子线的电子结构计算》一文中研究指出在周期性边界条件下 ,利用平面波展开计算了T型量子线的电子结构 .通过构造能级的拟合公式 ,由小数目平面波展开得到的能量值求得原来只能借助大数目平面波展开才能得到的能量值 ,避免了大型矩阵的对角化 ,并给出了计算实例 .(本文来源于《内蒙古师大学报(自然科学汉文版)》期刊2000年02期）
郭康贤,陈传誉[10]（2000）在《激子效应对双曲型量子线中非线性光学吸收率的影响(英文)》一文中研究指出本文研究了双曲型量子线的叁阶非线性光学吸收率，着重研究了激子对其影响，并且利用密度矩阵算符理论导出了叁阶非线性光学吸收率的解析表达式．最后，以Ａ１ＧａＡｓ／ＧａＡｓ双曲型量子线为例作了数值计算．数值结果表明，当线宽增加时，激子效应对叁阶非线性光学吸收率的影响越来越弱，特别是，当线宽接近于扩散长度时，激子效应将显着减弱．(本文来源于《光子学报》期刊2000年06期）
型量子线论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用递归格林函数法研究了含Rashba自旋轨道耦合效应的阶梯型量子线中电子自旋极化输运性质.结果表明由于多阶梯结构量子线的纵向不对称性和Rashba自旋轨道耦合效应产生的势阱导致系统中出现了准束缚态,它与连续态耦合,从而使系统电导出现了Fano共振结构.进一步研究发现,随着共振腔长度的增加,系统电导的共振峰数目会增加,幅度也会增强.与单阶结构相比,多阶结构的极化电流更大,并且在特定能量区间出现了若干条禁带.这些效应说明所研究的体系有可能能用来设计自旋电子器件.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
型量子线论文参考文献
[1].黎明,陈军,宫箭.InAs/InP柱型量子线中隧穿时间和逃逸问题的研究[J].物理学报.2014
[2].李忞辉,徐中辉,陈宇光.阶梯型量子线中电子自旋极化输运性质的研究[J].江西理工大学学报.2014
[3].黎明.InAs/InP柱型量子线中隧穿时间和逃逸问题的研究[D].内蒙古大学.2013
[4].张红,张春元,张慧亮,刘建军.外加磁场下抛物型量子线中的带电激子[J].物理学报.2011
[5].陈宇光,卜菊萍,肖贤波.双T型量子线的电子自旋极化输运性质[J].南昌航空大学学报(自然科学版).2010
[6].王松柏.低维半导体GaAs圆形和矩型量子线的能带结构[J].江西科学.2009
[7].汪壮兵,梁齐.抛物线型量子线中束缚极化子基态能变分计算[J].合肥工业大学学报(自然科学版).2004
[8].王传奎,江兆潭.Y型量子线中电子弹道输运性质[J].半导体学报.2001
[9].郭子政,吴晓薇,周培勤.T型量子线的电子结构计算[J].内蒙古师大学报(自然科学汉文版).2000
[10].郭康贤,陈传誉.激子效应对双曲型量子线中非线性光学吸收率的影响(英文)[J].光子学报.2000
论文知识图
