SrTiO3晶界层电容陶瓷的介电性能与晶粒大小的关系

论文摘要

采用二次烧结法制备SrTiO3（STO）多晶陶瓷,研究瓷片介电性能与烧结温度和晶粒大小的关系.实验结果表明,STO晶粒尺寸随烧结的温度呈现先升高后下降的变化,相应的介电常数与晶粒变化类似,即随着温度升高先升后降.在保证还原性气体比例不变的条件下,STO瓷片的介电性能在1 440℃烧结2 h时达到最佳,介电常数为24 000,损耗在0. 02左右,温度系数小于20%.该结果基本达到Ⅲ类瓷技术标准,可广泛用于低频高介电路中.

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类型: 期刊论文

作者: 李慧娟,董浩,石大为,何创创,庞锦标,杨昌平

关键词: 介电陶瓷,晶界层电容,介电常数,二次烧结法

来源: 湖北大学学报(自然科学版) 2019年02期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 湖北大学物理与电子科学学院

基金: 国家自然科学基金(11674086),贵州省经济和信息化委员会技术创新项目(2017021)资助

分类号: TQ174.1

页码: 137-141+146

总页数: 6

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标签：介电陶瓷论文;  晶界层电容论文;  介电常数论文;  二次烧结法论文;