导读:本文包含了透射电子显微分析论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电子显微镜,电子,棱柱,衬底,结构,硅片,磨削。
透射电子显微分析论文文献综述
朱良奎[1]（2015）在《结晶微孔材料的透射电子显微分析》一文中研究指出随着材料科学的发展,材料种类也越来越丰富,微孔材料因为具有大的比表面积、分子选择性等优点,而被广泛应用于气体吸附与分离、离子交换以及催化等领域。但一种材料是否有应用价值、有多大的应用前景,与其结构性质是紧密相关的,因此对材料的结构进行研究有着十分重要的意义。微孔材料根据其结晶性划分,包含了无定形的微孔材料(如活性炭、PAF等)已及结晶的微孔材料(如分子筛、金属-有机骨架材料等)。无定形材料由于在原子量级为无序排列或者为短程有序,因此很难用一个确切的结构模型来描述,因此我们研究的重点是结晶微孔材料的结构问题。传统的研究晶体结构的主要手段有:单晶X-射线衍射法(SXRD)、粉末X-射线衍射法(PXRD)以及透射电子显微分析(TEM)等叁种方法。本论文主要运用透射电子显微学方法来研究沸石分子筛(Zeolite)和金属-有机骨架材料(Metal-Organic Frameworks,MOFs)的结构问题,特别是利用一种全新的透射电子显微分析技术——叁维电子衍射断层重构(Electron Diffraction Tomography,EDT)技术来解析分子筛和金属-有机骨架材料的结构。本文主要包含以下几个部分:第一章是绪论部分,概述了微孔材料和透射电子显微镜的发展历史,简单介绍了传统的透射电子显微学的应用以及取得的成果,并重点讲述了叁维电子衍射断层技术(EDT)的发展背景、工作原理。另外,也对叁维电子衍射断层重构的研究工具——RED软件做了详细介绍等。第二章,主要介绍了传统的透射电子显微学在沸石分子筛材料的结构研究中的应用。首先,我们利用高分辨透射电子显微术(High Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)研究了A相富集Beta分子筛中的A、B相层错共生的缺陷问题。并在原子级层面分析了其A、B相的堆积方式,计算了不同样品颗粒中A相所占的比例。其次,我们研究了多级孔Beta分子筛材料的孔壁结晶情况,以及样品整体的结晶性,并证明了该样品颗粒整体上是高度有序的结晶微介孔复合材料。最后,我们还研究了多级孔ZSM-5分子筛样品颗粒的结晶状况,以及构成样品颗粒的纳米片的生长取向问题。第叁章,主要探索了EDT技术在MOFs材料的结构分析中应用的可行性。目前,利用EDT技术解析分子筛结构已经有了大量报道,但利用EDT技术来解析MOFs材料的结构尚未有报道,因此我们计划将EDT技术拓展到MOFs材料的结构解析领域。金属锆的MOFs具有着良好的稳定性,而Ui O-66便是其中的典型代表。Ui O-66具有粒径尺寸均一(一般在100-300nm)、稳定性良好,因此很适合用EDT技术来尝试解析它的结构。我们在用EDT方法获得Ui O-66的骨架结构之后,将其与HRTEM直接“观察”得到的结果进行了比较,发现两者是吻合的,最后我们又将其与PXRD精修得到的结构的原子位置进行了比较,发现RED方法获得结果与PXRD结果的原子位置坐标基本相同,仅有一个氧原子(O2)的位置坐标有较大的偏差(0.35?),其他原子的位置坐标偏差均小于0.1?。这说明EDT技术应用于金属-有机骨架材料的结构解析是可行的。第四章,我们主要应用了EDT技术来研究了MOFs材料——JUC-32的端基氧原子。材料端基原子(或原子团)的性质在很大程度上决定了材料的物理化学性质,因此对材料端基原子的研究具有重要的意义。随着透射电子显微技术的进步,特别是球差校正电镜的出现,利用透射电子显微镜直接“观察”到金属氧化物中的氧原子已经实现。但想要“观察”到氧原子就需要很高的放大倍率,此时单位面积电子辐照剂量也非常高,对样品损伤也十分严重,因此利用球差校正电镜只能研究在电子束辐照下非常稳定的材料。而绝大多数MOFs材料在电子束作用下都很不稳定,因而很难用球差校正电镜直接“观察”来研究。而利用其他电子显微学方法来研究MOFs材料的端基原子的文献也鲜有报道,因此利用EDT技术来研究确定JUC-32端基氧原子位置就有着十分重要的意义。第五章,我们利用EDT技术成功解析了一种新型磷铝分子筛PST-6的结构骨架,并将其结果与HRTEM照片分析的结果进行了对比,发现两者是基本吻合的,再次证明了叁维电子衍射断层重构技术可以广泛应用于复杂分子筛的结构解析。总结,本论文讨论了传统透射电子显微学在材料结构研究中的应用,将EDT技术对比传统的结构解析方法的做了对比,探讨了EDT技术在MOF材料的结构解析中的运用的可行性,最后我们利用EDT技术成功解析了结构未知的磷铝分子筛PST-6的骨架结构。我们的研究工作为EDT技术的进一步完善和发展做出了积极的贡献。也为电子显微学方法在材料结构研究中的应用与推广产生了极大的促进作用。(本文来源于《吉林大学》期刊2015-12-01）
朱良奎,张大梁,裘式纶[2]（2014）在《金属有机骨架(MOFs)结构的透射电子显微分析》一文中研究指出金属有机骨架(Metal organic framework,MOF)配位聚合物作为一类重要的多孔材料具有诸多独特的性能.新型MOF材料的结构表征与确定一直是该研究领域的关键性研究问题.由于单晶X-射线衍射等结构测定方法对晶体尺寸有一定限制,小尺寸MOF新材料的晶体结构确定一直是亟待解决的科学难题.透射电子显微分析方法(Transmission electron microscopy,TEM)作为纳米尺寸晶体材料最有力的结构表征手段之一,已经被逐渐应用于MOF新材料领域,展现出了巨大的应用潜力.本文以几个国内外有代表性的工作为例,浅析TEM在MOF材料领域的发展现状.(本文来源于《中国科学:化学》期刊2014年02期）
齐阔[3]（2012）在《多层纳米线透射电子显微术分析和磁性研究》一文中研究指出多层纳米线以其特有的结构在基础物理研究和纳米器件应用领域具有重要的价值。透射电子显微镜(TEM)具有全面表征和分析纳米单体的功能,对多层纳米线阵列和单根多层纳米线微纳尺度下结构和成份的研究将为探讨纳米线阵列的磁性和形貌之间的关系,以及单根多层纳米线的电学和磁学性质奠定基础,这有助于推动纳米器件和磁记录材料的进步。本论文利用阳极氧化铝(AAO)模板和双脉冲电化学沉积法制备了NiCu/Cu、 NiFe/Cu和NiCo/Cu多层纳米线。首先对NiCu/Cu、NiFe/Cu和NiCo/Cu多层纳米线进行了TEM分析,利用高分辨场发射透射电子显微镜的透射电子显微模式(TEM)、扫描透射电子显微模式(STEM)以及高分辨透射电子显微像(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)、会聚束电子衍射(CBED)、X射线能谱(EDX)点线面元素分析等功能分析了多层纳米线的生长状态、元素分布、化学组成以及多层界面的性质。其次通过振动样品磁强计(VSM)测量了NiCu/Cu、NiFe/Cu及NiCo/Cu多层纳米线阵列的磁性。多层纳米线连续生长、表面平滑,平均直径在40nm到50nm,呈现多晶结构。磁性层呈棒状或片状,非磁性层的厚度为5-15nm。对于非磁性层厚度小于10nm的NiCu/Cu纳米线,NiCu层和Cu层之间存在过渡层,其长度平均为1.5nm,且在Cu层两侧形貌差别大。多根NiFe/Cu多层纳米线平行排列的趋势明显,相邻纳米线的NiFe层和Cu层的生长周期高度一致,NiFe/Cu多层纳米线的化学组成为(Ni6oFe4o/Cu)n,磁性层长宽比为1。NiCo/Cu多层纳米线磁性层长宽比为3,Ni在磁性层中均匀分布；Co在磁性层中的一端出现含量陡增,Cu的厚度约为20nm,其化学组成为(Ni80Co20/Cu)n。影响多层纳米线磁化状态的因素主要包括纳米线的形状各向异性、磁晶各向异性、非磁性层的尺度、当外加磁场垂直于纳米线阵列时在相邻磁性层和相邻纳米线之间产生的偶极相互作用场。(本文来源于《兰州大学》期刊2012-05-01）
郑翔,于荣,谢琳,吴浩,朱静[4]（2011）在《Au和Fe二十面体的高分辨透射电子显微像模拟与应变分析》一文中研究指出像差校正在透射电子显微镜中的实现不仅提高了高分辨透射电镜的分辨率,也使人们得以直接测量材料中的原子构型。二十面体是金属与合金催化剂颗粒所具有的一种典型的结构形式,可看作由二十个四面体组成多重孪晶结构。它们在任何一个方向的投影都是两个或更多四面体的迭加,这使得它们的高分辨图像的解释变得困难。本研究构建了9种不同条件下的二十面体小颗粒模型,利用多片层法模拟颗粒的高分辨透射电子显微图像。通过对比高分辨电镜模拟像的定量分析结果与相应的结构模型,结果表明要获得精确的定量分析结果,有必要选择合适的分析区域。在特定区域,晶面间距的测量误差约2%～4%;而在其它区域,误差可达8%～10%。(本文来源于《电子显微学报》期刊2011年Z1期）
王新鹏,孙晓燕,介万奇,罗林,王涛[5]（2010）在《碲铟汞晶体的透射电子显微分析》一文中研究指出采用垂直布里奇曼法,生长出直径为30mm的Hg3In2Te6晶体。通过透射电子显微镜观察Hg3In2Te6晶体和第二相粒子的形貌,并利用选区电子衍射技术分析其物相。结果表明:晶锭基体的物相为Hg0.5In0.33Te;同时观察到了HgTe、In2Te3等第二相,尺寸为10～40nm。推测晶体发生分解是形成第二相的原因。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2010年03期）
张银霞,郜伟,康仁科,郭东明[6]（2008）在《单晶硅片磨削损伤的透射电子显微分析》一文中研究指出为了揭示硅片自旋转磨削加工表面层损伤机理,采用透射电子显微镜对硅片磨削表面层损伤特性进行了分析.结果表明:粗磨Si片的损伤层中有大量微裂纹和高密度位错;半精磨和精磨Si片的损伤层中除了微裂纹和位错外,还存在非晶硅和多晶硅(Si-I相和Si-III相).从粗磨到半精磨,Si片的非晶层厚度从约0nm增大到约110nm;从半精磨到精磨,Si片的非晶层厚度由约110nm减小至约30nm,且非晶层厚度的分布均匀性提高.从粗磨到精磨,Si片损伤深度、微裂纹深度及位错滑移深度逐渐减小,材料的去除方式由脆性断裂方式逐渐向塑性方式过渡.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年08期）
曾冬梅,王涛,查钢强,张继军,介万奇[7]（2007）在《CdZnTe晶体缺陷的透射电子显微分析》一文中研究指出采用透射电子显微镜对 CdznTe 晶体材料的缺陷特性进行了分析．在(111)面的透射电镜明场像中,观察到了棱柱位错环、位错墙、沉淀相、层错及倾斜的孪晶界面．应力是位错形成的主要原因,棱柱位错环的产生是由于沉淀相粒子在基体上产生错配应力；而位错网络与位错墙是两种热应力联合作用于晶体边缘的结果．晶体生长过程中,液固界面生长形态从平界面向胞状界面发展产生的沉淀相村度不同于由于 Te 原子溶解度的回退产生的沉淀相衬度．CdZnTe 晶体中的堆跺层错和孪晶与固液界面的稳定性相关．(本文来源于《第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（10）》期刊2007-11-01）
刘平[8]（2007）在《分析型透射电子显微术在材料工业中的应用:双相不锈钢断裂韧性的研究(英文)》一文中研究指出不同的热加工工艺导致双相不锈钢2205(50/50铁素体/奥氏体)产生了不同的断裂韧性,尤其是断裂韧性降至不可接受的低值。本文通过分析透射电子显微镜研究其显微结构,对这种现象提供了解释。尤其是对断裂韧性的急剧变化提出了试验上的观察与分析,获得正确且有效的解决此类问题的方法。β-Cr2N相沿{110}α原子平面析出是导致断裂韧性降低,特别是在低温下的断裂韧性大幅降低的根本原因。因为在韧性至脆性转变温度时形变的机制为位错的移动性,而沿{110}α原子平面析出的β-Cr2N相阻碍了位错的运动,导致α铁素体的脆性,从而使材料整体脆化。材料经1200℃退火随即空气冷却到室温之后,断裂韧性恢复到正常值,是由β-Cr2N相的溶解所致。α-Fe(Cr)→α-Fe+α′-Cr相变(又常称为在475℃失稳分解)导致断裂韧性在低温与室温下都急剧下降是由富铬的铁素体α′-Cr固有的脆性所引起。将材料加热致800℃后随即急冷至室温后,断裂韧性恢复到正常值。这是由于材料经加热将α-Fe+α′-Cr相溶解并经急冷而避免了α-Fe(Cr)→α-Fe+α′-Cr相变的再发生。本研究中观察到的析出相的尺寸均为纳米量级,只有应用分析透射电子显微镜后才可得以同时获得其形态、化学成分以及晶体学的结果,从而解释断裂韧性变化的根本的原因,并找出解决问题的办法。(本文来源于《电子显微学报》期刊2007年05期）
曾冬梅,王涛,介万奇[9]（2005）在《碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析》一文中研究指出采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析,观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形貌和Te沉淀周围的棱柱位错环.认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的,而沉淀相在基体中的析出与基体形成错配应力,又造成位错的增殖.Te沉淀与棱柱位错两种缺陷是相互依存的.(本文来源于《半导体学报》期刊2005年09期）
韩培德,杨海峰,张泽,段树坤,滕学公[10]（1998）在《半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析》一文中研究指出运用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高分辨透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）对金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的（０００１）ＧａＮ／（１１１）ＭｇＡｌ２Ｏ４异质结构中的缓冲层进行了观察和分析，发现在该衬底上最初的低温沉积是一厚度为５ｎｍ的六方相岛状界面薄层(本文来源于《半导体学报》期刊1998年10期）
透射电子显微分析论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
金属有机骨架(Metal organic framework,MOF)配位聚合物作为一类重要的多孔材料具有诸多独特的性能.新型MOF材料的结构表征与确定一直是该研究领域的关键性研究问题.由于单晶X-射线衍射等结构测定方法对晶体尺寸有一定限制,小尺寸MOF新材料的晶体结构确定一直是亟待解决的科学难题.透射电子显微分析方法(Transmission electron microscopy,TEM)作为纳米尺寸晶体材料最有力的结构表征手段之一,已经被逐渐应用于MOF新材料领域,展现出了巨大的应用潜力.本文以几个国内外有代表性的工作为例,浅析TEM在MOF材料领域的发展现状.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
透射电子显微分析论文参考文献
[1].朱良奎.结晶微孔材料的透射电子显微分析[D].吉林大学.2015
[2].朱良奎,张大梁,裘式纶.金属有机骨架(MOFs)结构的透射电子显微分析[J].中国科学:化学.2014
[3].齐阔.多层纳米线透射电子显微术分析和磁性研究[D].兰州大学.2012
[4].郑翔,于荣,谢琳,吴浩,朱静.Au和Fe二十面体的高分辨透射电子显微像模拟与应变分析[J].电子显微学报.2011
[5].王新鹏,孙晓燕,介万奇,罗林,王涛.碲铟汞晶体的透射电子显微分析[J].人工晶体学报.2010
[6].张银霞,郜伟,康仁科,郭东明.单晶硅片磨削损伤的透射电子显微分析[J].半导体学报.2008
[7].曾冬梅,王涛,查钢强,张继军,介万奇.CdZnTe晶体缺陷的透射电子显微分析[C].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（10）.2007
[8].刘平.分析型透射电子显微术在材料工业中的应用:双相不锈钢断裂韧性的研究(英文)[J].电子显微学报.2007
[9].曾冬梅,王涛,介万奇.碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析[J].半导体学报.2005
[10].韩培德,杨海峰,张泽,段树坤,滕学公.半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析[J].半导体学报.1998
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