导读:本文包含了氧化钒薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,二氧化,磁控溅射,点缺陷,突触,温度,低价。
氧化钒薄膜论文文献综述
韦晓莹,李心元,吴环宝,王天鹤,贾晓东[1]（2019）在《光诱导氧化钒薄膜原位太赫兹波调制特性研究》一文中研究指出采用磁控溅射及快速热氧化法在c-Al_2O_3基底制备出高质量的氧化钒薄膜。首先,分析结果表明所制备的氧化钒薄膜表面颗粒大小均匀,表面均方根粗糙度约为16.75 nm,主要成分为VO2和V_2O_5,V~(4+)离子的含量为78.59%,所制备的氧化钒薄膜具有稳定的热致相变特性;其次,光诱导下薄膜的THz波调制特性研究结果显示,随着激励光功率增大,薄膜的THz透过率逐渐减小;最后,经过多次原位反复测试结果表明所制备的氧化钒薄膜具有稳定可逆的THz波调制特性,可应用于太赫兹开关和调制器等集成式太赫兹功能器件。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2019年10期）
原霞,王衍强[2]（2019）在《氧化钒薄膜制备方法专利技术分析》一文中研究指出氧化钒由于其独特的光电性能在红外探测器、光电调节器、智能窗、光存储及传感器等应用领域备受关注。对制备氧化钒薄膜采用的专利技术进行了梳理,对日后氧化钒薄膜的制备及性能优化具有很好的指导意义。(本文来源于《云南化工》期刊2019年05期）
张化福,沙浩,吴志明,蒋亚东,王操[3]（2019）在《太赫兹波段二氧化钒薄膜的研究进展》一文中研究指出在68℃附近,二氧化钒薄膜就能实现低温半导体相和高温金属相之间的一级可逆相变,相变时二氧化钒薄膜的太赫兹透过率和反射率等都会发生急剧的变化。更为重要的是,除了加热之外,其他激励方式,如光照、电场、太赫兹场等也能使二氧化钒薄膜发生相变。这一独特、优异的半导体-金属相变性能使得二氧化钒薄膜在太赫兹开关、调制器等领域具有巨大的应用前景。因此,二氧化钒薄膜已成为太赫兹材料与功能器件方面的一个研究热点。研究工作主要集中在二氧化钒薄膜的制备方法、相变性能及在太赫兹器件领域的应用叁个方面。探究制备高质量二氧化钒薄膜的方法是其获得优异的相变性能及应用的前提条件。在太赫兹波段,二氧化钒薄膜的常用制备方法有脉冲激光沉积法、磁控溅射法及溶胶-凝胶法。脉冲激光沉积法是最早用来研究太赫兹波段二氧化钒薄膜相变性能的薄膜制备方法,该法制备的薄膜质量高、相变性能好。磁控溅射法制备二氧化钒薄膜时,主要采用在氩气/氧气混合气氛下溅射金属钒靶的反应磁控溅射法。然而,利用反应溅射法时,二氧化钒薄膜的成膜条件范围很窄(尤其是氧流量比),不利于薄膜结构及性能的优化。为此,研究者们探索利用二氧化钒陶瓷材料作为溅射靶材来制备二氧化钒薄膜。尽管脉冲激光沉积法和溅射法被广泛应用于制备二氧化钒薄膜,但所需设备复杂且成本高。相比之下,溶胶-凝胶法设备简单、成本低且易于实现掺杂和成分控制,但薄膜附着性差。二氧化钒薄膜的相变性能研究主要包括不同的相变激励方式及相变性能的优化提高两个方面。二氧化钒薄膜的热致相变简单易控,但响应时间长;而光致及电致相变响应快,但实现相变的条件要求高,且调制幅度较小。二氧化钒薄膜相变性能的提高一直颇受关注,优化工艺条件、掺杂及制作超材料结构是目前常用的方法。在应用方面,二氧化钒薄膜主要是被用来制作太赫兹开关和太赫兹线偏振器、可调频滤波器、频率选择表面器及吸收器等太赫兹调制器。本文对近年来太赫兹波段二氧化钒薄膜的制备方法、相变性能以及在太赫兹方面的应用进展进行了综述。(本文来源于《材料导报》期刊2019年15期）
余韵[4]（2019）在《钼掺杂二氧化钒薄膜生长及器件制备》一文中研究指出在氧化钒系列中,二氧化钒(VO_2)由于其优异的相变性能,而且可以掺杂适当的离子来改变VO_2相变温度,通过制备薄膜和纳米结构形式的VO_2并在这些材料中掺杂离子,可以在不同温度下诱导各种光学和电学转换。而研究如何将离子掺入VO_2材料中,并对其相变温度起到调控作用,是具有重要意义的。本论文根据VO_2薄膜研究发展方向和应用方面的需求,以MoO_3和V_2O_5粉末为反应源,通过掺杂Mo离子来调控VO_2的相变温度,并详细的研究了掺杂离子对VO_2形貌、结构、相变性能的影响,以及在光电响应性能上的研究。本文创新地使用蒸汽-固体法(VS)生长Mo掺杂的VO_2薄膜,通过SEM、XRD进行表征,纳米薄膜沿着[110]方向择优生长,是一种高纯度的单晶薄膜。通过设置对照组改变掺杂浓度,测试了在不同掺杂浓度下VO_2薄膜电阻随温度变化曲线。测试结果表明,当Mo的掺杂浓度为9%时,VO_2薄膜的相变温度降至49℃。很显然,利用Mo离子掺杂,能有效降低VO_2相变温度。基于掺杂VO_2薄膜光电响应性能测试,研究了薄膜在532nm、635nm、780nm、808nm不同波长激光器照射下的响应特性,结果表明,Mo掺杂的VO_2薄膜表现出优异的光电行为和良好的再现性。光电流显示出对辐照功率密度的强烈依赖性。随着功率密度的增加,光电流相应地增加。设计了一种以掺杂VO_2薄膜为导电沟道的场效应晶体管(MOSFET)器件,通过光刻、刻蚀、电子束蒸发、磁控溅射沉积等工艺,来完成器件的制备。进行了I_(DS)-V_G传输特性测试、I_(DS)-V_(DS)输出特性测试及可见光、红外光响应特性测试,电学特性表明,改变栅极电压(V_G)的大小,可实现对沟道电阻的调控。光电研究表明,通过增加栅极负电压,可缩短光电流响应时间,且响应速度更快,同时证实了所制备的MOSFET器件具有较高灵敏度和快速响应能力。(本文来源于《东华理工大学》期刊2019-06-14）
郭鹏飞[5]（2019）在《氧化钒薄膜的磁控溅射生长及其光电性能研究》一文中研究指出二氧化钒(VO_2)是一种相变材料,当温度达到相变点时,VO_2发生由低温半导体态到高温金属态的可逆转变,这种变化在数十个纳秒之间,同时伴随着电学和光学性质的突变,如在相变过程中其方块电阻(率)和红外-近红外光学透过反射率的重要改变。基于这一系列优异的光电特性,使得其材料具有较高的实用价值和广阔的应用前景,因此近年来备受广大学者的关注与研究。钒(V)作为3d过渡区的金属元素,具有多价性质,除了不同价态的钒氧化合物以外,同价态的二氧化钒之间存在着多种不同的晶相,因此制备纯相高品质的二氧化钒薄膜仍是此领域的难题。本文以钒系氧化物为研究对象,在硅基底和石英衬底上制备了一系列高品质的VO_2、VO_2(B)和V_2O_3薄膜,意在通过制备工艺提高薄膜的结晶度与纯度,以提升VO_2薄膜的光电性能。借助场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射仪(XRD)对样品的微观结构和品相结构进行表征,通过四探针电阻测试仪和可见-近红外-红外分光光度计测试了样品的变温方阻和透过率。重点研究了氧化钒薄膜在微测辐射热计和热致变色智能窗方面的应用,系统地讨论了不同制备工艺对氧化钒薄膜的电学方块电阻随温度的变化和光学透过率等性质的影响。论文主要包括以下几个方面:1)分析了VO_2薄膜的相变特性与价态结构,介绍了沉积VO_2薄膜的工艺流程,采用射频磁控溅射法,经过反复试验,我们最终获得了多组在硅和石英衬底上沉积VO_2薄膜的工艺参数,且每组参数制备的样品结晶性良好、可重复性高。此外,在不同衬底上表现出有差异的结晶状况,同一工艺参数下,在单晶硅上制备的薄膜样品的衍射峰总是比石英衬底上的更强,结晶度比石英衬底上制备的薄膜更好。2)根据应用的实际需求和与传感器技术的兼容性等问题,我们以350℃的沉积温度在单抛(100)硅衬底上通过改变氧气流量制备了一系列VO_2薄膜,对其结晶状况、方块电阻随温度变化情况进行了系统的分析。晶面衍射峰的移动说明氧气流量的增加引起了薄膜内部晶格结构的改变,氧气流量的增加导致薄膜晶粒尺寸呈现出逐渐增大的趋势,获得的样品具有优异的电学性能,可作为热敏材料使用。3)通过射频磁控溅射法直接一步在石英衬底上溅射VO_2薄膜,无需后退火程序,简化了复杂的制备工艺,研究了氧气流量对薄膜的物相结构、表面形貌和光电特性的影响,重点分析了样品的透过率随温度的变化。观察到溅射期间氧气流量对沉积薄膜的晶相形成具有显着影响,进而使薄膜的热致变色性能受到影响。我们在石英衬底上生长的高质量纯相VO_2薄膜对智能窗的应用具有很大潜力。4)对亚稳态VO_2(B)、V_2O_3等薄膜材料的制备进行了详细的介绍,通过物相结构、表面形貌、高低温四探针电阻测试等手段对样品的进行了表征。常温下亚稳态VO_2(B)薄膜没有发生半导体-金属的相变现象和热滞后效应,可以应用于非制冷红外探测器。通过沉积获得了沿多种晶相生长的V_2O_3薄膜,可以作为晶种层生长VO_2薄膜以提高后者的结晶度和热致变色性能。(本文来源于《河南大学》期刊2019-06-01）
黄太星[6]（2019）在《点缺陷对二氧化钒薄膜结构和性能的影响研究》一文中研究指出二氧化钒(VO2)薄膜材料是一种具有相变特性的功能薄膜,在红外探测、非制冷红外成像、光控器件、智能窗、可调波段隐身装备和超表面等领域具有应用潜力。VO2相变过程受温度影响,升温降温过程中材料的结构发生从单斜相到四方相转变的一级相变。在相变的同时,VO2单晶薄膜伴随着4～5个数量级的电阻率突变和明显的光学透过率改变,尤其是红外波段的透过率由高变低,可应用于智能光学器件。然而,由于相变潜热的存在,VO2相变过程存在热滞回线,导致其结构和性能与温度不能一一对应,造成了红外伪装、可调谐光波导器件的应用困难。另一方面,VO2的相变温度在60℃左右,远高于室温,这为V02薄膜的广泛应用带来了不便。上述问题已成为制约VO2材料应用的关键难点。空位、替位原子、间隙原子等点缺陷对材料的结构和性能影响很大,可以对材料的晶相、电学和光学等方面的性能产生显着的影响。近年来,点缺陷对VO2材料的相变过程和结构性能的影响成为大家研究的重点,特别是点缺陷对VO2光学性能和电学性能的调控作用能够使我们得到较为理想的相变材料。如果合理的利用缺陷,可以解决VO2材料相变幅度小、存在滞回线和相变温度高等问题。本文紧紧围绕点缺陷对VO2薄膜结构性能的影响,采用激光脉冲沉积制备并调控VO2薄膜的点缺陷含量,采用共聚焦拉曼等表征方法手段测试材料相变过程,并基于等效媒质法和Drude-lorentz模型,研究了点缺陷对VO2结构和性能的影响,主要研究成果如下:(1)利用脉冲激光沉积技术制备了纯相的VO2薄膜,研究了不同氧分压条件下退火对样品的光电性能的影响,发现随着退火过程中氧分压的增加,薄膜相组成发生了从V2O3到VO2再到V2O5的转变;通过共焦拉曼显微成像技术观察到VO2薄膜在166 cn-1处出现了新的拉曼散射峰,这是在VO2和V2O5相中出现V4+/V5+混合价态区域。这些区域不参与金属-绝缘体相变过程,正如其持续且相对稳定的拉曼散射峰强度,直到高温区域;通过变温椭偏仪的测试拟合出在不同相变状态下材料的n,k值,采用Drude-lorentz模型和等效媒质理论对VO2薄膜的光学性质进行了拟合,得出了氧缺陷和VO2薄膜电学、光学性能变化状态的对应关系,特别是与材料光学常数的定量关系。(2)利用脉冲激光沉积技术制备了 Hf4+离子掺杂VO2薄膜,研究了 Hf4+离子缺陷对VO2薄膜性能的影响,发现相比于未掺杂VO2薄膜,Hf4+离子掺杂VO2可以显着减小金属-绝缘体相变过程中的滞回线宽度。掺杂后的薄膜电阻展现出明显的金属-绝缘体相变(MIT)特性,且电阻变化在2-3个数量级。当掺杂浓度为1 at.%和3 at.%时,薄膜的相变滞回线宽度分别从8.3℃减小到1.9℃和2.7℃。通过拉曼光谱分析,发现Hf4+离子掺杂会导致V-O振动模式发生蓝移,而对V-V振动声子模式几乎没影响;掺杂浓度为1 at.%和3 at.%样品的中红外热辐射成像结果表明该条件下制备的薄膜在加热和冷却过程中几乎没有滞回线现象。利用脉冲激光沉积技术将Hf4+离子掺杂VO2薄膜沉积在硅微环型器表面,研究了 Hf4+离子掺杂VO2薄膜对硅基微环型器性能的影响,发现该种薄膜可以对硅微环型器谐振峰位置和品质因子进行有效变温调控。(3)利用PLD技术制备了Hf4+/W4+离子掺杂VO2薄膜,研究了共掺杂对VO2薄膜性能的影响,发现当Hf4+离子掺杂浓度为1 at.%时,随着W4+离子掺杂浓度增加,(011)晶面的衍射强度逐渐增强,说明其结晶性不断改善。同时,对所制备的样品进行电学测试,其温度-电阻关系曲线表明Hf4+/W4+离子共掺VO2薄膜显着减小了材料的相变温度并使其相变滞回线宽度变窄。以上研究结果为理解不同氧化学量的氧化钒薄膜系统的相演化、MIT过程和光学性质提供了依据。同时,Hf4+离子掺杂和Hf4+/W4+离子共掺杂可显着减小VO2薄膜的相变温度并使其相变滞回线宽度变窄,这说明这种材料在红外伪装和热辐射控制应用中具有很好的潜力。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-21）
唐亚华[7]（2019）在《基于二氧化钒薄膜的太赫兹可调超表面结构研究》一文中研究指出太赫兹波特殊的频率范围使其具备一些独特性质,在无线通信、无损检测及传感等方面受到越来越多的关注,而这些应用的实现都需要一些调制器件来更好的操纵太赫兹波。许多天然材料对太赫兹辐射没有响应,超材料的出现解决了这一问题,将具有可调谐性的材料与超材料结合可以实现对太赫兹波的动态调控。大部分太赫兹调制器在谐振频点处都呈现带阻特性,具有比较高的插入损耗,不利于器件的安装调试。VO_2是一种在外界激励作用下电导率可以发生5个数量级变化的可调谐性材料,因此本论文利用VO_2薄膜设计了电控常开型的可调超表面器件来解决这一问题。首先,本论文用CST电磁仿真软件优化常见的电谐振单元,并结合埋栅电极进行共面馈电,设计了两种基于VO_2薄膜的常开型超表面器件;这两种超表面调制器件可以同时对太赫兹波的幅度和相位进行调制,对相应谐振频点处的电场分析得到两种器件的调控机理。然后利用半导体制造工艺技术制备了上述设计的常开型超表面器件。为了对其调制性能进行表征,利用THz时域光谱系统,对制备好器件的进行透射率测试;并与仿真得到的曲线进行对比分析,提出并实施了改善器件性能的方案。最后利用透射式太赫兹连续波测试系统对器件的调制速度进行测试,并分析了SiO_2薄膜的加入对器件调制速度的影响。本论文设计的这两种常开型太赫兹可调超表面器件的插入损耗均小于等于2dB,最大调制深度都在90%以上,图形化VO_2薄膜后调制器件的最大相位差为116°。从实验的测试结果中可以看到,测试曲线与仿真曲线变化趋势相同,完成了对仿真设计的验证。并通过排除硅衬底的影响,提升了器件的透射率。加入SiO_2薄膜来改善VO_2薄膜的电学性能,测试发现SiO_2薄膜的加入可以提升器件的调制速度,为研制调制性能更好的太赫兹器件提供新思路。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
杨仁辉[8]（2019）在《硅基氧化钒薄膜的制备及其相变性能研究》一文中研究指出二氧化钒(VO_2)由于其在热、电、光等触发条件下的金属-绝缘体转变(metal-to-insulator,MIT)而在过去几十年中得到了广泛的研究。MIT伴随着电学和光学特性的突然的和大的变化,这使得VO_2成为电学、光学开关和调制应用的有巨大前途的材料。我们可以使用诸如热、光、电的外部激发来控制氧化钒膜的相变,使得VO_2膜对远红外光呈现透射和不透射状态,实现对远红外光波的调制。为了促成VO_2薄膜在远红外波段调制器件上的应用,VO_2薄膜应满足以下叁个方面的性能要求:(1)绝缘状态具有高的远红外线透射率;(2)较大的远红外调制幅度;(3)较窄的滞回宽度。在满足这叁个条件的前提下,可以使器件具有好的稳定性和可靠性、高的响应率和效率。与热致相变驱动的调制器件相比,电致相变驱动的调制器件能够与高速电子系统更好的兼容,研究VO_2薄膜的电致相变特性也很重要。本论文在分析国内外研究现状基础上,为了制备良好远红外调制性能的VO_2薄膜,做了以下的工作:(1)使用原子层沉积技术(Atomic layer deposition,ALD)在高阻Si衬底上制备了氧化铝(Al_2O_3)薄膜作为生长VO_2薄膜的缓冲层,Al_2O_3缓冲层的引入对氧化钒膜的热致相变特性有很大影响。实验结果表明:在Al_2O_3缓冲层厚度为40nm,VO_2薄膜厚度为300nm时,与300nm厚无缓冲层的VO_2薄膜相比,390 cm~(-1)处的调制幅度由51.2%提升到71.3%,在280 cm~(-1)处的调至幅度由18.0%提升到40.2%,而热滞回线宽度从18.5~oC降至11.8~oC,增强了VO_2薄膜的相变特性。(2)深入研究Al_2O_3缓冲层对于VO_2薄膜的影响,研究了不同厚度Al_2O_3缓冲层对于VO_2薄膜的影响以及相同缓冲层厚度条件下不同VO_2薄膜厚度对于相变特性的影响。实验结果表明,Al_2O_3缓冲层厚度越厚,对VO_2薄膜相变性能的优化越明显,而相同厚度Al_2O_3缓冲层条件下,且VO_2薄膜厚度在一定区间内时,厚度越薄,其相变性能越好,表明缓冲层对于VO_2薄膜的优化随着薄膜厚度的增加而减弱。(3)在ITO导电玻璃上制备VO_2薄膜,以ITO为底电极,研究VO_2薄膜在垂直方向上的电致相变特性。实验结果表明,VO_2薄膜的厚度影响着其电致相变的性能,同时其电致相变性能的变化趋势与其热致相变性能及结晶情况密切相关。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
张帆[9]（2019）在《低价钒缓冲层辅助制备氧化钒薄膜及其性能研究》一文中研究指出二氧化钒(VO_2)薄膜具有良好相变性能,在开关调制、可调谐滤波、传感器等领域的商业应用前景广阔。在低于相变温度或较低的温度下,VO_2薄膜呈绝缘或半导体相,阻值很高且光透过率高,但是随着温度升高超过相变温度后,VO_2薄膜会快速变成金属相,阻值呈数量级下降。目前氧化钒相变的研究以热致、电致、光致为主,通过这些诱导信号使其处于绝缘和金属的两种不同状态,实现调制开关的作用。作为调制开关类器件,VO_2薄膜应满足:较大的相变幅度,较低的相变温度,较小的回线宽度。为了达到这个要求,一般通过掺杂,缓冲层等手段,但是掺杂会破坏氧化钒结构,进而降低相变幅度,通过牺牲相变幅度来达到相应目的,而缓冲层意味着多一道复杂的工艺,如原子层沉积、脉冲激光法等。于是本论文主要围绕一体化制备缓冲层和氧化钒薄膜,通过低价钒缓冲层来优化氧化钒的相变性能为基点,开展了以下工作:(1)研究不同缓冲层对氧化钒薄膜的相变特性具有优化的作用,其中溅射时氩氧流量比为98:0.5缓冲层的成分中有最多含量的V~(3+),达到84.6%,对氧化钒薄膜的相变增益最大,其相变幅度为819,相变温度为58.2℃,回线宽度为10.3℃。(2)随着缓冲层厚度的增加,薄膜的相变幅度在降低,而回线宽度也在减小,只是随着缓冲层厚度的增加回线宽度变窄的幅度在减小。当缓冲层厚度20nm时,回线宽度只有5.4℃,相变幅度为423,相变温度为53.2℃。(3)在没有缓冲层的情况下,在350℃的退火温度下制备出来的30nm厚的氧化钒薄膜不具有相变特性,而相同条件下,有缓冲层辅助制备的氧化钒薄膜具有相变特性。此外,还研究了在350℃退火温度下,不同氧含量对氧化钒薄膜性能的影响,发现相变性能先增大后减小,在溅射时氩氧流量比为98:4时获得了最优的氧化钒薄膜,相变幅度为491,回线宽度为6.8℃以及相变温度为53.5℃。(4)在光学调制应用的研究中,发现缓冲层的氧化钒薄膜光学调制能力比没有缓冲层的氧化钒薄膜高,且回线宽度更窄,相变温度更低。其中溅射缓冲层时氩氧流量比为98:0.4,溅射氧化钒时氩氧流量比98:1,在400℃退火的复合薄膜光学性能最好调制幅度76.2%,相变温度56.23℃,回线宽度8.17℃。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
秦浩鑫[10]（2019）在《氧化钒薄膜阻变特性及仿神经突触行为研究》一文中研究指出近年来,作为第四类无源电路基础器件的忆阻器赢得了社会各界的广泛关注。忆阻器因其拥有着独特非线性特性、低功耗、结构简明易集成以及电阻记忆特性,在各领域研究人员眼中已经成为未来智能计算机的理想原件,它具备的信息处理与存储同步化的特点也将是人类突破冯·诺依曼瓶颈的关键。目前已有大量的氧化物(TiO_2、WO_x和HfO_2等)被用于构造忆阻器件,并进行神经突触模拟以及神经网络构建。氧化钒作为一种过渡金属氧化物,一直受到广泛关注。其中,M相二氧化钒(VO_2)的电致相变使其在智能窗、光电开关和光存储方面具有很大的应用潜力,但其相变机理一直存在很大的争议。同时,非晶氧化钒(VO_x)作为变价金属氧化物,其电学特性对外场具有显着的依赖性,这意味着VO_x可能是优良的忆阻材料。本论文通过调节VO_2与环境之间的热交换,深入研究了电驱动晶化VO_2相变中焦耳热的重要地位;并控制溅射过程中的氧通量,制备了双层VO_x忆阻器件,进行神经突触的生物活动模拟研究,获得的主要结果如下:(1)在石英与硅两种导热系数不同的衬底上制备晶化VO_2薄膜后,在制冷条件下进行电驱动相变时发现,相变电压要高于未制冷条件下的相变电压。石英基底VO_2薄膜的相变电压从45V增加到了81.7V,而Si/SiO_2基底VO_2薄膜在未制冷条件下,相变电压为56.1V,但制冷后在106V电压下仍无相变发生。这归因于硅具有更高的导热系数,制冷条件可以更好地导走加电时产生的焦耳热,有力地证明了晶化VO_2电驱动相变中焦耳热的重要作用。(2)采用双层非晶VO_x结构进行了神经突触的生物活动模拟。双层非晶VO_x在直流扫描测试中电阻变化稳定,并且在对长时程增强/抑制效应(LTP/LTD)、双脉冲易化现象(PPF)、脉冲时间依赖可塑性(STDP)的模拟中获得的电学结果与生物神经活动相吻合,并且性能稳定可重复性高。(3)对双层非晶VO_x忆阻器的遗忘特性的研究中,证明了其遗忘特性与反复学习现象与人类遗忘活动相吻合,并提出了辅助遗忘脉冲法对双层非晶VO_x忆阻器的遗忘过程进行调制,有效地改变了遗忘曲线的弛豫时间和记忆保留百分比。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
氧化钒薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
氧化钒由于其独特的光电性能在红外探测器、光电调节器、智能窗、光存储及传感器等应用领域备受关注。对制备氧化钒薄膜采用的专利技术进行了梳理,对日后氧化钒薄膜的制备及性能优化具有很好的指导意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氧化钒薄膜论文参考文献
[1].韦晓莹,李心元,吴环宝,王天鹤,贾晓东.光诱导氧化钒薄膜原位太赫兹波调制特性研究[J].红外与激光工程.2019
[2].原霞,王衍强.氧化钒薄膜制备方法专利技术分析[J].云南化工.2019
[3].张化福,沙浩,吴志明,蒋亚东,王操.太赫兹波段二氧化钒薄膜的研究进展[J].材料导报.2019
[4].余韵.钼掺杂二氧化钒薄膜生长及器件制备[D].东华理工大学.2019
[5].郭鹏飞.氧化钒薄膜的磁控溅射生长及其光电性能研究[D].河南大学.2019
[6].黄太星.点缺陷对二氧化钒薄膜结构和性能的影响研究[D].电子科技大学.2019
[7].唐亚华.基于二氧化钒薄膜的太赫兹可调超表面结构研究[D].电子科技大学.2019
[8].杨仁辉.硅基氧化钒薄膜的制备及其相变性能研究[D].电子科技大学.2019
[9].张帆.低价钒缓冲层辅助制备氧化钒薄膜及其性能研究[D].电子科技大学.2019
[10].秦浩鑫.氧化钒薄膜阻变特性及仿神经突触行为研究[D].电子科技大学.2019
论文知识图
![(R)和VO2(M)的晶格结构差异[25]](http://image.cnki.net/GetImage.ashx?id=1012473948.nh0006&suffix=.jpg)