CVD金刚石热沉封装高功率半导体激光器的热特性

论文摘要

本文以自支撑CVD金刚石膜作为半导体激光器线阵的封装热沉,从而改进其热特性。首先,以电子辅助化学气相沉积（EACVD）制备自支撑金刚石膜。在沉积工艺中,提出了优化O2流量刻蚀非金刚石相,使金刚石膜品质得到改进,从而提高其导热率。然后,测试了基于不同氧流量下制备金刚石热沉封装的半导体激光器线阵的电光特性,并对封装器件的热特性进行了分析。结果表明:通入O2流量为每分钟5 sccm时,制备的金刚石热沉导热率可达1 812.3 WK-1m-1。O2流量5 sccm制备金刚石热沉的封装器件的斜率效率为1.30 W/A,电光转换效率最大值可达60.6%。在连续波30 A时,该封装器件的光谱红移波长为2.02 nm,器件工作温度降低4.9 K。器件的传热路径热阻降低28.4%,表现出优异的可靠性。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 戴玮,李嘉强,曹剑,张志忠,张晓卫,杨保和

关键词: 半导体激光器,金刚石热沉,导热率,热特性

来源: 光电子·激光 2019年03期

年度: 2019

分类: 信息科技,基础科学

专业: 物理学,无线电电子学

单位: 粒子输运与富集技术国防科技重点实验室,核工业理化工程研究院,天津理工大学电信工程学院

基金: 国家重点研发计划(2016YFB0402700),中国博士后科学基金(2017M621045),天津市企业博士后创新项目择优资助(TJQYBSH2017016)资助项目

分类号: TN248.4

DOI: 10.16136/j.joel.2019.03.0308

页码: 227-233

总页数: 7

文件大小: 2341K

下载量: 257

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