导读:本文包含了掺杂金属氧化物论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:双金属氧化物,催化活性,NO2产率,固溶体
掺杂金属氧化物论文文献综述
楼狄明,决坤有,冯谦,谭丕强,胡志远[1]（2019）在《掺杂双金属氧化物对CDPF理化特性的影响》一文中研究指出采用等体积浸渍法制备了掺杂不同双金属氧化物助剂的催化型颗粒物捕集器(CDPF)样品,通过X射线衍射、X射线光电子能谱技术对样品进行了表征,同时采用程序升温的方法对CDPF小样品进行活性评价。结果表明,掺杂CeO_2+ZrO_2的A2样品较掺杂Fe_2O_3+CeO_2的A1样品、ZrO_2+Fe_2O_3的A3样品晶胞参数最小,生成固溶体浓度最高,结晶度也最高。Fe-Ce双金属氧化物能够较好地促进Pt、Pd贵金属在载体表面的分散情况,并且能够更好地促进催化剂表面吸附氧浓度的提升,提高氧化活性。固溶体的生成可以提高氧空位浓度,但过高的氧空位浓度也会使得氧物种聚集,抑制气相反应物的吸附活化。较A2、A3样品,A1样品对CO、C_3H_8有更好的催化氧化效果,且其有更高的NO_2产率。(本文来源于《《环境工程》2019年全国学术年会论文集（中册）》期刊2019-08-30）
徐志武[2]（2019）在《金属离子掺杂及金属氧化物复合纳米TiO_2的气敏传感器研究》一文中研究指出制浆造纸工业是重污染型工业,长期向环境中排放出大量的废气。本文主要是针对制浆造纸工业环境中产生的NH_3和H_2S为目标气体,以低温液相法合成的锐钛矿纳米TiO_2胶体为基础,为了解决纯的纳米TiO_2气敏传感器工作温度较高、灵敏度较低等缺点,分别通过金属离子掺杂及金属氧化物复合的方式对其进行改性,并研究相关的气敏机理。主要研究内容及结果如下:(1)通过超声掺杂的方式,向纳米TiO_2胶体中掺杂不同浓度的金属离子Fe~(3+)、Cu~(2+)、Ni~(2+)、Co~(2+)来改善纳米TiO_2对NH_3的气敏性。研究结果表明,掺杂摩尔比浓度为20%的Co~(2+)的TiO_2气敏传感器对NH_3的灵敏度最高达到12.171,实现了室温下对NH_3的检测,其对1-50 ppm NH_3的灵敏度达到了3.259-12.171,同时气敏传感器的响应/恢复时间分别不超过19 s和38 s,能够实现室温下对NH_3的快速检测。此外,气敏传感器对NH_3具有优异的选择性、重复性和稳定性。(2)基于α-Fe_2O_3/TiO_2纳米复合材料,采用液相反应工艺制备出了高性能的H_2S气敏传感器。研究结果表明,在工作温度120℃,α-Fe_2O_3的最佳掺杂量50 mol%时,制备的α-Fe_2O_3/TiO_2纳米复合气敏传感器对50 ppm H_2S的灵敏度是纯纳米TiO_2的7倍,对1-50 ppm H_2S的灵敏度达到了3.4-15.6。气敏传感器对50 ppm H_2S的响应/恢复时间分别低至25 s和48 s,同时还具有优异的选择性、重复性和稳定性。相比于大多数文献报道的H_2S气敏传感器的工作温度300℃,其工作温度下降了60%,仅为120℃,延长了气敏传感器的使用寿命,减少了能耗。(3)基于前面金属氧化物复合能提高纳米TiO_2气敏传感器的气敏性能,制备出了金属氧化物复合纳米TiO_2的NH_3传感器。首先通过水热合成纳米CuO、纳米NiO、纳米Co_3O_4,然后和纳米TiO_2分别进行复合。研究结果表明,复合摩尔比浓度为50%的纳米NiO/TiO_2气敏传感器气敏性能最好,实现了室温下对NH_3的检测,对1-50 ppm NH_3的灵敏度达到了1.438-10.168。气敏传感器的响应/恢复时间均不超过60 s,能够实现室温下对NH_3的快速检测,同时对NH_3具有良好的选择性、重复性和稳定性。(4)最后研究了金属离子掺杂以及金属氧化物复合对传感器气敏性能影响的机理。金属离子掺杂对传感器气敏性能影响的机理主要通过金属离子的晶格替换改变TiO_2的禁带宽度。而金属氧化物复合对传感器气敏性能影响的机理主要归因于两种金属氧化物异质结的影响,包括势垒调节和费米能级介导的电荷转移效应,电子的传导通道宽度的变化以及协同效应等。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-06-05）
陈谦武[3]（2019）在《过渡金属氧化物及硫化物/异质掺杂碳复合材料的设计，制备与电化学性能研究》一文中研究指出随着能源需求的不断增长和环境污染问题的日益严重,具有能量密度高、循环寿命长、环境友好等优点的锂离子电池逐渐成为新宠。但商用石墨负极由于理论容量低,已无法满足锂/钠离子电池更进一步的发展,金属氧化物/硫化物因为理论容量高、成本低被认为是一种潜在石墨替代材料,然而导电率低,循环过程中体积变化大阻碍了其实际应用。本文通过利用碳化后的导电高分子材料与金属氧化物/硫化物复合,使其电化学性能得到了提升。本论文的主要内容和结果有:(1)氮、硫共掺碳包覆硫化亚铜复合材料(Cu_2S@NSCm):以硝酸铜和硫脲为原料,通过水热、原位聚合、高温煅烧处理获得的N,S共掺碳包覆的Cu_2S复合材料。当其被用作锂离子电池负极材料时,在200 mA g~(-1)和1000 mA g~(-1)电流密度下循环获得的可逆放电容量分别为790.8 mAh g~(-1)和560.1 mAh g~(-1),对应容量保持率为88.4%和99%。在钠离子电池测试中,50次循环后,可以获得182.3mAh g~(-1)的可逆容量。这些性能都明显优于单纯的Cu_2S材料,Cu_2S@NSCm表现出优异电化学性能的原因可归因于其双掺杂的作用,更有利于锂离子嵌入/脱出,碳包覆的结构不仅能提高复合材料的电子导电性,同时也缓解了循环过程中的体积膨胀。(2)氮掺杂碳包覆四氧化叁铁复合材料(Fe_3O_4@NCm):以氯化铁和氢氧化钠为原料经水热法、原位聚合、高温煅烧获得碳包覆Fe_3O_4复合材料,并研究了不同碳含量对性能的影响。通过各种电化学测试方法分析,Fe_3O_4@NCm-60表现出更优异的电化学性能。在常温1000 mA g~(-1)电流密度下循环500周,Fe_3O_4@NCm-60的可逆容量为950 mAh g~(-1),在低温1000 mA g~(-1)的电流密度下循环900周,Fe_3O_4@NCm-60依然可以获得760 mAh g~(-1)的可逆容量,性能优于Fe_3O_4@NCm-0/30/90。材料表现优异电化学性能的原因除了氮掺杂碳包覆的结构提高导电性和缓冲体积变化外,材料自身表现的赝电容特性也可以使其在低温下依然保持良好的性能。(3)氮掺杂碳包覆多孔四氧化叁铁@石墨烯复合材料(Fe_3O_4@NC@rGO):以氯化铁和氢氧化钠为原料通过水热、原位聚合、高温煅烧处理获得Fe_3O_4@NC@rGO复合材料,电化学测试结果表明,Fe_3O_4@NC@rGO具有优异的储锂/储钠性能,当其被用作锂离子电池负极时,在电流密度为200 mA g~(-1)下循环100周,获得的容量为1571 mAh g~(-1);当作为钠离子电池负极材料时,在电流密度为50 mA g~(-1)循环100周,获得的可逆容量为270 mAh g~(-1),要优于单纯的Fe_3O_4,归因于其氮掺杂碳包覆的结构以及碳包覆和石墨烯复合的协同作用。(本文来源于《齐鲁工业大学》期刊2019-06-01）
何佳威[4]（2019）在《金属氧化物半导体薄膜晶体管的氢掺杂探究与双层结构设计》一文中研究指出近年来,透明柔性显示器件正处于一个极速发展的过程之中,这进一步地提高了作为关键开关元件的薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFTs)性能要求。氧化物半导体尤其是非晶氧化物半导体,作为目前最主流的TFTs有源沟道层材料,具有许多引人注目的优点,如较高的迁移率,优良的机械柔韧性,较高的光学透明度以及简单的低温制备工艺等,是目前最有潜力替代传统a-Si:H的材料之一。本文针对当前较为热门的ZnO、In_2O_3和InGaZnO等非晶氧化物半导体,采用射频磁控溅射的方式制备了相关器件,对它们进行了氢掺杂效应的探究和双层结构的设计,具体相关内容如下:首先,我们使用磁控溅射制备了ZnO、In_2O_3和InGaZnO TFTs,并对它们分别进行了氢等离子体处理,处理时间从0~12 min变化。当氢等离子体处理时间从当0 min增加到5 min,ZnO:H-TFTs的阈值电压不断负偏,从1.1 V减小-23.4 V,处理时间增大到8 min以上时,器件无法关断。当处理时间从0 min增加到12 min,ZnO:H-TFTs的迁移率从3.8 cm~2/Vs增大到14.3 cm~2/Vs;当氢等离子体处理时间从0 min增加到9 min,InGaZnO:H-TFTs的阈值电压不断负偏,从0.1 V减小-27.1 V,当处理时间增大到10 min以上时,器件无法关断。然而,与ZnO-TFTs不同的是,当处理时间从0 min增加到12min,InGaZnO:H-TFTs的迁移率出现减小的情况,0 min时为26.0 cm~2/Vs,3 min时迁移率达到最高(36.6 cm~2/Vs),继续增加处理时间,迁移率减小。然而,当时间增加到12min时,器件无法关断;In_2O_3-TFTs与ZnO-TFTs和InGaZnO-TFTs不同,随着氢等离子体处理时间的不断增加,转移特性曲线先左移然后右移,器件的开态电流经历了先增加后减小的过程。当处理时间从0 min增加到6 min,器件的阈值电压不断负偏,从-4.5V减小-35.2 V,迁移率从35.0 cm~2/Vs增大到55.9 cm~2/Vs,当处理时间继续增加,器件的阈值电压从-35.2 V增大到-19.2 V,,迁移率从55.9 cm~2/Vs减小到30.8 cm~2/Vs。其次,我们使用磁控溅射在室温条件下制备了高迁移率双层InGaZnO/In_2O_3薄膜晶体管。首先,我们研究了不同厚度组合和薄膜沉积顺序对双层器件性能的影响,结果得到InGaZnO(5 nm)/In_2O_3(20 nm)TFTs具有最好的电学性能,迁移率达到64.4 cm~2/Vs,亚阈值摆幅为204 mV/dec,开关比为2.5×10~7和回滞电压为1.8 V。并且在我们使用high-k栅极绝缘层(HfO_2和Si_3N_4)后,薄膜晶体管具有更高的迁移率,分别为67.5 cm~2/Vs和79.1 cm~2/Vs,且器件的亚阈值摆幅值得到了进一步的改善,分别为85 mV/dec和92mV/dec。然后,我们研究了不同衬底温度下生长的InGaZnO和In_2O_3单层器件的电学特性,两种器件完全不同的电学性能变化趋势说明了两种材料起主导作用的缺陷类型是不同的。我们基于此提出了InGaZnO和In_2O_3薄膜间的缺陷自补偿效应。为了验证这个机制,我们首先通过SILVACO/Atlas系统得到了与实验测量一致的仿真结果,并根据第一性原理计算对器件进行了模拟仿真,观察到In-O键的形成;接着我们使用X射线光电子能谱分析了InGaZnO(5 nm),InGaZnO(5 nm)/In_2O_3(2 nm)和InGaZnO(5 nm)/In_2O_3(5 nm)叁种薄膜的O 1s能谱,随着In_2O_3薄膜厚度从2 nm增加5 nm,氧空位的不断减少以及M-O键的不断增加意味着缺陷自补偿效应的存在;最后,低频噪声能谱分析也进一步地验证了平均缺陷密度的减小。最后,我们制备了ZnO/In_2O_3、Al_2O_3/In_2O_3和Ga_2O_3/In_2O_3 TFTs,研究了它们的电学性能。ZnO/In_2O_3、Al_2O_3/In_2O_3和Ga_2O_3/In_2O_3 TFTs的迁移率均得到不同程度的提升,分别为46.2 cm~2/Vs、55.4 cm~2/Vs和47.5 cm~2/Vs;阈值电压分别为-2.3 V、-6.8 V和0.2 V。ZnO/In_2O_3 TFTs中由于In_2O_3高于ZnO的费米能级而导致ZnO薄膜中的电子往In_2O_3层迁移,从而导致ZnO薄膜中靠近ZnO/In_2O_3接触界面处的电子耗尽以及内建电场的形成,降低了In_2O_3的电阻率,增加了迁移率同时导致阈值电压的偏移;Al_2O_3和In_2O_3接触时形成2D电子沟道,In_2O_3中的O脱离到Al_2O_3引起簇式自掺杂,导致In_2O_3发生半金属化,从而增大了开态电流并使得阈值电压负偏。Ga_2O_3和In_2O_3接触时,由于In_2O_3相比于Ga_2O_3的能级补偿(~0.27 eV)很低,导致In_2O_3层向Ga_2O_3发生载流子注入,从而增加了器件的电导率,增强了性能。(本文来源于《武汉大学》期刊2019-05-01）
马裕杰,王倩倩,余柯涵[5]（2019）在《微波等离子体处理的金属氧化物/叁维氮掺杂石墨烯负极材料及其钠离子的电池应用》一文中研究指出钠离子电池具有资源丰富,价格低廉,环境友好等优势,已经逐渐成为储能领域的研究热点。叁维石墨烯(3DG)负载的锡基材料(SnO_2)和3DG负载的铁基材料(Fe_2O_3)由于理论容量大、无毒性、价格低廉而成为理想的负极材料,其中3DG可以改善金属氧化(本文来源于《2019年第四届全国新能源与化工新材料学术会议暨全国能量转换与存储材料学术研讨会摘要集》期刊2019-04-20）
袁博韬[6]（2019）在《金属氧化物修饰及Fe~(3+)掺杂TiO_2的制备研究》一文中研究指出二氧化钛与其他半导体相比,是一种良好的、具有发展前景的光催化材料。在光催化领域,TiO_2广泛地应用于光催化降解有机物、光催化产氢等场景,但二氧化钛作为光催化材料存在两点明显不足:首先,二氧化钛的禁带较宽,只能吸收紫外光,对可见光基本没有响应;另外光生电子空穴对复合速率较快,光生载流子利用效率较低。针对其存在的问题,人们希望可以通过修饰或掺杂改性提高二氧化钛光催化剂的活性,扩展其光响应范围至可见光波段。在本文中,我们采用了阳极氧化法制备出的TiO_2纳米管阵列结构,具有排列整齐、高度有序等特点,并且在后续实验中被用作为一种“纳米反应器”去引入杂质来修饰或掺杂。在改性纳米管的工艺过程中,一方面利用金属氧化物修饰TiO_2纳米管,即采取纳米管盛装金属盐溶液再利用热分解法制备的方法,该方法能够制备出良好的纳米管异质结构薄膜,并且通过表征测试以及光催化结果分析得到其制备方法的可行性和光催化的效果,紫外光辐射不同前驱液以及浓度条件下,ZnO/TiO_2异质结构薄膜、CeO_2/TiO_2异质结构薄膜可降解甲基橙最优值分别约为55%、17%,而可见光下,Cu_2O/TiO_2异质结构薄膜可降解甲基橙最优值约为15%。另一方面,本文还提出了铁离子掺杂TiO_2纳米管的新型制备方式,即利用含Fe~(3+)盐溶液低温诱导TiO_2直接结晶,制备Fe~(3+)掺杂的TiO_2纳米管,该方法比较新颖且通过多次试验得出低温诱导结晶的条件与制备流程,通过表征及测试得出了Fe~(3+)掺杂后紫外光下光催化效果有所提升,即0.2mol/L的Fe~(3+)掺杂的TiO_2纳米管的光催化活性较为良好,对紫外光或者可见光的响应较强并且在可见光下拓展了TiO_2的光响应范围,具有良好的光催化结果。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-03-30）
王振东,张振,徐广新[7]（2019）在《掺杂双金属氧化物对CDPF催化性能的影响》一文中研究指出制备了掺杂不同双金属氧化物Fe_2O_3-CeO2 (Fe-Ce)、CeO2-ZrO_2 (Ce-Zr)和ZrO_2-Fe_2O_3 (Zr-Fe)的催化型柴油机颗粒物捕集器(CDPF)样品,采用活性评价系统研究掺杂成分对CDPF催化性能的影响。结果表明,对CO、C3H8和NO的催化活性方面,按照强弱顺序依次为Fe-Ce,Zr-Fe,Ce-Zr;抗劣化性能方面,3种CDPF新鲜样品对CO,NO的催化均具有较强的抗劣化性,对C3H8催化的抗劣化性能强弱依次为Ce-Zr,Fe-Ce,Zr-Fe;选择性方面,新鲜样品对CO、C3H8和NO的选择性强弱依次为Fe-Ce,Zr-Fe,Ce-Zr;老化样品对CO和NO的选择性为Fe-Ce,Ce-Zr,Zr-Fe,高温时对C3H8的选择性强弱依次为Fe-Ce,Zr-Fe,Ce-Zr。(本文来源于《贵金属》期刊2019年01期）
王慧[8]（2019）在《Bi~（3+）/稀土离子掺杂金属氧化物荧光粉的制备及荧光特性研究》一文中研究指出稀土掺杂发光材料在光通讯、激光、照明、增强植物光合作用等领域具有非常重要的应用价值。但是目前的发光离子绝大多数采用f-f跃迁的叁价稀土离子,存在吸收弱、谱线窄、发光波段固定等缺点,极大限制了实际应用。另外,随着传统接触式传感器存在灵敏度低,响应慢的缺点而越来越无法满足实际需求,因而非接触式光学温度传感器被广泛研究。因此,基于以上关键问题,开展了下述几个方面的研究:1、BaGd_2O_4:Bi~(3+),Eu~(3+)荧光粉荧光特性和能量传递研究:运用传统高温固相法制备了BaGd_2O_4:Bi~(3+),Eu~(3+)荧光粉。采用X射线衍射、扫描电子显微镜以及光谱学手段系统研究了荧光粉的晶体结构和荧光性能。在BaGd_2O_4:Bi~(3+)荧光粉中,获得位于337 nm的宽带吸收和432 nm的蓝光发射。通过电四极-电四极相互作用的能量传递方式,实现337 nm激发下,Bi~(3+),Eu~(3+)掺杂BaGd_2O_4荧光粉从蓝光到红光可调。表明Bi~(3+)能有效拓宽BaGd_2O_4基质中Eu~(3+)的紫外吸收以及增强Eu~(3+)在紫外激发下的荧光发射。在植物照明方面具有一定的应用前景。2、SrY_2O_4:Yb~(3+),Er~(3+)荧光粉的温度传感特性研究:在980 nm激光激发下,通过调节Yb~(3+)离子的含量,实现从蓝光到红光的可调发射。通过基于热耦合能级的荧光强度比技术对其测温性能进行了研究,获得其最大相对灵敏度S_R为1.32%K~(-1)。循环测试显示具有良好的可重复性。结果表明:SrY_2O_4:Yb~(3+),Er~(3+)荧光粉有希望作为光学温度计的候选材料。3、BaGd_2O_4:Bi~(3+),Sm~(3+)荧光粉的测温性能研究:在337 nm紫外光的激发下,实现BaGd_2O_4:Bi~(3+),Sm~(3+)荧光粉的可调发光。通过温度依赖光谱研究,获得最大绝对灵敏度值S_A为1.64%K~(-1)。表明BaGd_2O_4:Bi~(3+),Sm~(3+)荧光粉在温度传感领域具有潜在的应用。(本文来源于《浙江师范大学》期刊2019-03-17）
彭晓,田礼熙,张帮彦,王小兰,董志宏[9]（2019）在《镍铝涂层晶粒细化与金属氧化物掺杂改性研究》一文中研究指出包埋渗铝获得的镍铝涂层是一种最早使用的Al_2O_3膜热生长型高温涂层。自20世纪50年代应用于航空发动机热端部构件的高温防护以来,进一步提高其抗高温氧化性能的机理和技术研究延续至今。基于对合金氧化及Al_2O_3膜热生长机制的理解,提出了晶粒细化与特定金属氧化物掺杂可提升镍铝涂层抗氧化性能的观点,介绍了涂层晶粒细化与金属氧化物弥撒掺杂方法,讨论了这些结构和成分改性影响涂层抗高温氧化性能的关键因素:包括Al_2O_3膜生长速度、亚稳态相向稳态相转变、涂层的黏附性以及涂层与合金基体的互扩散。这些新的研究结果有望为进一步挖掘渗铝涂层的应用潜力、延长其服役寿命提供理论和试验基础。(本文来源于《航空制造技术》期刊2019年03期）
乐红志,李福功,王昕,刘金蝉,毕建波[10]（2018）在《过渡金属氧化物对Sm掺杂氧化铈材料烧结行为及性能的影响》一文中研究指出本文研究了掺杂过渡金属氧化物(NiO、CuO、V_2O_5、MnO)对Ce_(0.8)Sm_(0.2)O_(1.9)(SDC)材料烧结行为、力学和热学性能的影响。结果表明:掺杂过渡金属离子可以在不同程度上促进SDC电解质材料的烧结,提高SDC电解质材料力学性能,但对材料热膨胀系数的影响相对较小。其中,NiO、CuO对SDC材料烧结行为和力学性能的影响较为显着。(本文来源于《现代技术陶瓷》期刊2018年06期）
掺杂金属氧化物论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
制浆造纸工业是重污染型工业,长期向环境中排放出大量的废气。本文主要是针对制浆造纸工业环境中产生的NH_3和H_2S为目标气体,以低温液相法合成的锐钛矿纳米TiO_2胶体为基础,为了解决纯的纳米TiO_2气敏传感器工作温度较高、灵敏度较低等缺点,分别通过金属离子掺杂及金属氧化物复合的方式对其进行改性,并研究相关的气敏机理。主要研究内容及结果如下:(1)通过超声掺杂的方式,向纳米TiO_2胶体中掺杂不同浓度的金属离子Fe~(3+)、Cu~(2+)、Ni~(2+)、Co~(2+)来改善纳米TiO_2对NH_3的气敏性。研究结果表明,掺杂摩尔比浓度为20%的Co~(2+)的TiO_2气敏传感器对NH_3的灵敏度最高达到12.171,实现了室温下对NH_3的检测,其对1-50 ppm NH_3的灵敏度达到了3.259-12.171,同时气敏传感器的响应/恢复时间分别不超过19 s和38 s,能够实现室温下对NH_3的快速检测。此外,气敏传感器对NH_3具有优异的选择性、重复性和稳定性。(2)基于α-Fe_2O_3/TiO_2纳米复合材料,采用液相反应工艺制备出了高性能的H_2S气敏传感器。研究结果表明,在工作温度120℃,α-Fe_2O_3的最佳掺杂量50 mol%时,制备的α-Fe_2O_3/TiO_2纳米复合气敏传感器对50 ppm H_2S的灵敏度是纯纳米TiO_2的7倍,对1-50 ppm H_2S的灵敏度达到了3.4-15.6。气敏传感器对50 ppm H_2S的响应/恢复时间分别低至25 s和48 s,同时还具有优异的选择性、重复性和稳定性。相比于大多数文献报道的H_2S气敏传感器的工作温度300℃,其工作温度下降了60%,仅为120℃,延长了气敏传感器的使用寿命,减少了能耗。(3)基于前面金属氧化物复合能提高纳米TiO_2气敏传感器的气敏性能,制备出了金属氧化物复合纳米TiO_2的NH_3传感器。首先通过水热合成纳米CuO、纳米NiO、纳米Co_3O_4,然后和纳米TiO_2分别进行复合。研究结果表明,复合摩尔比浓度为50%的纳米NiO/TiO_2气敏传感器气敏性能最好,实现了室温下对NH_3的检测,对1-50 ppm NH_3的灵敏度达到了1.438-10.168。气敏传感器的响应/恢复时间均不超过60 s,能够实现室温下对NH_3的快速检测,同时对NH_3具有良好的选择性、重复性和稳定性。(4)最后研究了金属离子掺杂以及金属氧化物复合对传感器气敏性能影响的机理。金属离子掺杂对传感器气敏性能影响的机理主要通过金属离子的晶格替换改变TiO_2的禁带宽度。而金属氧化物复合对传感器气敏性能影响的机理主要归因于两种金属氧化物异质结的影响,包括势垒调节和费米能级介导的电荷转移效应,电子的传导通道宽度的变化以及协同效应等。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
掺杂金属氧化物论文参考文献
[1].楼狄明,决坤有,冯谦,谭丕强,胡志远.掺杂双金属氧化物对CDPF理化特性的影响[C].《环境工程》2019年全国学术年会论文集（中册）.2019
[2].徐志武.金属离子掺杂及金属氧化物复合纳米TiO_2的气敏传感器研究[D].华南理工大学.2019
[3].陈谦武.过渡金属氧化物及硫化物/异质掺杂碳复合材料的设计，制备与电化学性能研究[D].齐鲁工业大学.2019
[4].何佳威.金属氧化物半导体薄膜晶体管的氢掺杂探究与双层结构设计[D].武汉大学.2019
[5].马裕杰,王倩倩,余柯涵.微波等离子体处理的金属氧化物/叁维氮掺杂石墨烯负极材料及其钠离子的电池应用[C].2019年第四届全国新能源与化工新材料学术会议暨全国能量转换与存储材料学术研讨会摘要集.2019
[6].袁博韬.金属氧化物修饰及Fe~(3+)掺杂TiO_2的制备研究[D].电子科技大学.2019
[7].王振东,张振,徐广新.掺杂双金属氧化物对CDPF催化性能的影响[J].贵金属.2019
[8].王慧.Bi~（3+）/稀土离子掺杂金属氧化物荧光粉的制备及荧光特性研究[D].浙江师范大学.2019
[9].彭晓,田礼熙,张帮彦,王小兰,董志宏.镍铝涂层晶粒细化与金属氧化物掺杂改性研究[J].航空制造技术.2019
[10].乐红志,李福功,王昕,刘金蝉,毕建波.过渡金属氧化物对Sm掺杂氧化铈材料烧结行为及性能的影响[J].现代技术陶瓷.2018