论文摘要
半导体激光器是现代通讯领域的核心器件.研究和开发具有高稳定性、高功率、高光束质量、窄线宽的单模半导体激光器是目前半导体激光器研究领域的一个重要的研究方向.本文在窄脊型边发射半导体激光器的结构基础上,提出并研制了一种在980 nm波段附近的利用有源多模干涉波导结构作为激光器的主要增益区,利用增益耦合式分布反馈光栅对激光器的纵向模式进行调制的新型边发射半导体激光器芯片结构.通过对比实验可以看出,这种激光器相较于一般的分布反馈式半导体激光器,其具有更高的斜率效率和输出功率;而相较于一般的多模干涉波导激光器,这种激光器具有更高的光束质量和更好的稳定性.同时,由于在芯片设计和制造过程中采用了表面刻蚀形成的高阶分布反馈光栅,这种激光芯片的制造无需二次外延,只需要微米量级精度的i线光刻即可实现,是一种制备工艺较为简单、制造成本较低、利于商用量产的芯片结构.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 邱橙,陈泳屹,高峰,秦莉,王立军
关键词: 分布反馈光栅,有源多模干涉波导,边发射半导体激光器
来源: 物理学报 2019年16期
年度: 2019
分类: 基础科学,信息科技
专业: 物理学,无线电电子学
单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学国家重点实验室,中国科学院大学
基金: 国家自然科学基金(批准号:51672264,11874353,61727822,61674148)资助的课题~~
分类号: TN248.4
页码: 218-227
总页数: 10
文件大小: 1565K
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标签：分布反馈光栅论文; 有源多模干涉波导论文; 边发射半导体激光器论文;