论文摘要
运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器（MFIS型铁电场效应晶体管）的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴结构的影响.探究从畴结构的角度直观分析电离辐射效应对存储器损伤的可能原因.证实了界面厚度对BaTiO3（BTO）铁电薄膜的畴结构会产生一定的影响;界面厚度的增加会使90°畴结构发生移动,主要为畴壁的移动,主要原因是界面处的极化小于内部,以及界面处的电势与内部形成的电势差,这些都会引起畴壁的移动,畴壁的移动以及畴壁数量减少,会减少体系的畴壁能,从而降低总体的能量.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 谭鹏飞,李波,王金斌,钟向丽,郭红霞,王芳
关键词: 电离辐射,铁电存储器,相场法,畴结构
来源: 湘潭大学学报(自然科学版) 2019年04期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑,信息科技
专业: 材料科学,工业通用技术及设备,无线电电子学
单位: 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所),湘潭大学材料科学与工程学院,湖南科技大学机械设备与健康维护湖南省重点实验室
基金: 湖南省自然科学基金青年项目(2017JJ3311)
分类号: TB383.2;TN386
DOI: 10.13715/j.cnki.nsjxu.2019.04.005
页码: 30-39
总页数: 10
文件大小: 6087K
下载量: 57
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