论文摘要
以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有宽半导体带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、高击穿强度等特点,特别适合制造工作于高频率、高速度、高温的半导体器件和短波长光电器件,已成为国际半导体器研究与产业化的热点。基于科学计量的方法,本文从专利申请和授权的年度趋势、发明人所在地、专利申请地、专利分类体系分布以及专利权人的角度深入分析了第三代半导体器件专利的整体产出情况、重点技术领域以及研发机构情况,并对我国发展相关产业提出建议。研究表明,近30年来第三代半导体器件专利申请量高速增长,专利的来源地与受理地均为日本、美国、中国和韩国,中国大陆地区在该领域缺少龙头企业,相关研发以大学和科研院所为主,尚需培育市场需求。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 李秾,金言,袁芳,郭丽君
关键词: 第三代半导体器件,专利分析,碳化硅,氮化镓
来源: 情报工程 2019年04期
年度: 2019
分类: 信息科技,经济与管理科学
专业: 无线电电子学,科学研究管理
单位: 中国科学技术信息研究所,中国工程院战略咨询中心,北京师范大学图书馆
基金: 中国科学技术信息研究所重点工作——重点科技领域深度分析与研究2018(ZD2018-01）,青海省“互联网+”绿色产业发展（2018-0303-ZJC-0023）的资助
分类号: G306;TN303
页码: 114-126
总页数: 13
文件大小: 1361K
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标签：第三代半导体器件论文; 专利分析论文; 碳化硅论文; 氮化镓论文;