导读:本文包含了钛酸锶钡陶瓷论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:钛酸钡,陶瓷,结构,热电,缺陷,晶粒,温度。
钛酸锶钡陶瓷论文文献综述
张煜坤,赵鹏,李卓,苏兴华,景明海[1]（2019）在《闪烧技术制备致密钛酸锶钡基陶瓷的研究》一文中研究指出通过闪烧法制备Na离子掺杂钛酸锶钡基陶瓷,研究了外加不同直流电场强度条件下钛酸锶钡基陶瓷的相结构、微观形貌和快速烧结致密化原因。结果表明,在330 V/cm、440 V/cm、550 V/cm和660 V/cm不同电场强度下,相结构均为纯钙钛矿结构,平均晶粒尺寸随电场的增加而减小,闪烧起始温度随电场的升高而降低,当电场强度达到660 V/cm时,其烧结温度为800℃。(本文来源于《压电与声光》期刊2019年06期）
[2]（2019）在《东华大学开发出柔性钛酸钡陶瓷纳米纤维膜》一文中研究指出金属氧化物陶瓷支撑着电子和能源等多种现代技术的发展。然而,金属氧化物陶瓷通常又硬又脆,弯曲时容易破裂或折断。这种机械响应限制了其在可穿戴电子纺织品等新兴领域中的应用。近日,东华大学俞建勇院士及丁彬研究员带领的纳米纤维研究团队开发出了柔性钛酸钡陶瓷纳(本文来源于《印染》期刊2019年21期）
董子红[3]（2019）在《Gd~(3+)、Nb~(5+)掺杂锆钛酸钡陶瓷结构及介电性能的研究》一文中研究指出实验以分析纯的乙酸钡、硝酸氧锆、钛酸丁酯、NH_3·H_2O(氨水)、Gd_2O_3、Nb_2O_5、Mn(CH_3COO)_2·4H_2O、C_4H_6MgO_4·H_2O为原料,采用溶胶-凝胶法制备Gd~(3+)掺杂Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3基陶瓷。通过XRD结构测试、SEM形貌测试和介电性能测试。结果表明Gd~(3+)掺杂Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷在常温下仍为钙钛矿型结构,Gd~(3+)掺杂量为0.5 mol%时,常温介电常数最大,介电损耗最小。再以Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3+0.5 mol%Gd~(3+)陶瓷为基体,掺杂不同比例的Nb~(5+),制备Gd_2O_3、Nb_2O_5复合掺杂Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷。通过XRD晶体结构测试、SEM形貌测试和介电性能测试实验,得出Gd~(3+)掺杂量为0.5 mol%、Nb~(5+)掺杂量为0.75 mol%时,复合掺杂BZT陶瓷的介电性能为最优。(本文来源于《陶瓷》期刊2019年09期）
宗伟,刘宏波[4]（2019）在《钛酸锶-铁酸铋电子陶瓷制备及介电性能研究》一文中研究指出钛酸锶-铁酸铋固溶体(SrTiO_3-BiFeO_3)是一种新型的多铁性电子材料,在信息存储、能量存储等电力、电子器件中有非常重要的应用前景。采用固相法制备了SrTiO_3掺杂量为20%(mol)的BiFeO_3电子材料,即Bi_(0.8)Sr_(0.2)Fe_(0.8)Ti_(0.2)O_3(0.2STO-0.8BFO);并研究了合理的制备工艺条件、固溶体的晶体结构以及该材料的电学性能。结果表明,0.2STO-0.8BFO电子陶瓷材料的合理烧结条件为980℃烧结2 h;X射线衍射分析表明0.2STO-0.8BFO仍然为类似于纯铁酸铋的菱方钙钛矿结构;介电、铁电测量表明该材料具有较大的介电常数、良好的容温特性和可极化特性。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2019年08期）
翟芸翎[5]（2019）在《放电等离子烧结的钛酸锶钡基无铅陶瓷的介电性能研究》一文中研究指出本文系统研究了放电等离子烧结的(1-x)Ba_(0.7)Sr_(0.3)Ti O_3-xCaZrO_3(x=0,0.03,0.1)陶瓷的介电性能。采用XRD,SEM及阻抗分析仪分别表征了样品的物相,结构和介电性质。放电等离子烧结(SPS)后的样品的晶粒细小,致密程度高,表现出良好的介电性能。研究发现随着锆酸钙掺杂量的增加,陶瓷的介电常数呈现出单一递增的规律,介电损耗不断减小。在1 kHz时,BST-0.1CZ的介电常数为3090,介电损耗为0.02。此外,电导率分析表明,Ca ZrO_3的掺杂使样品的高频电导率显着下降,提高了钛酸锶钡基陶瓷的绝缘性。(本文来源于《广东化工》期刊2019年11期）
郑永顺[6]（2019）在《两种不同价态离子掺杂钛酸钡陶瓷的介电性质和缺陷化学研究》一文中研究指出钛酸钡(BaTiO_3)是一种具有最高室温电容率(ε′_(RT)≈1600)的简单化合物。近年来,在钛酸钡的制备和性能方面的研究非常顺利,取得了很大的进展,主要应用于多层陶瓷电容器(MLCC)等电子器件中,被称为“电子陶瓷业的支柱”。随着电子工业的发展,对电子材料的要求也越来越高。由于钛酸钡陶瓷材料的微观结构具有不均匀性和较高的孔隙率,因此需要通过掺杂对其进行改性,来得到大量的新型功能材料,如今这已成为了当今的热点研究课题。本文通过传统的冷压陶瓷制备技术,分别制备了Nd~(3+)/Ce~(4+)、Eu~(3+)/Ca~(2+)和Gd~(3+)/Ca~(2+)共掺杂以及Mg~(2+)单掺杂钛酸钡(BaTiO_3)的陶瓷。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、介电温谱(DTC)、电子顺磁共振(EPR)、拉曼光谱(RS)以及光致发光(PL)等技术,系统地研究了陶瓷的各项性能。具体研究结果如下:1.具有高介电率和低介电损耗的(Ba_(1-x)Nd_x)(Ti_(1-y-x/4)Ce_y)O_3陶瓷由XRD结果得出(Ba_(1-x)Nd_x)(Ti_(1-y-x/4)Ce_y)O_3(0.03≤x,y≤0.06)(BNTC)陶瓷具有伪立方结构。当y=0.05时,BNTC的介电峰温度(T_m)以-27℃/at.%Nd的速率快速下降。BN5TC6实现了高介电常数(ε'_(RT)=14100)和低损耗(tanδ=0.014)的X7V陶瓷。与Ce~(3+)Kramers离子相关的g=2.509的EPR信号证实了Ce~(3+)/Ce~(4+)的混合价态的存在。在这些陶瓷长期保存后,在室温下可以检测到Nd~(3+)的g=2.151的EPR信号。2.钛酸钡基陶瓷中氧空位的EPR探索钛酸钡基陶瓷中氧空位的EPR研究为双替代钛酸钡陶瓷介电损耗的降低提供科学依据。XRD结果显示BMT中Mg~(2+)的溶解度为0.05。BMT单胞体积(V_0)随x(≤0.05)的持续下降为Mg~(2+)在A位的支配性占据提供了充分的证据。随着烧结温度T_s的增加,BM1T的晶体结构从伪立方结构演变为四方相结构最终变为六方和四方的混合相结构。BM1T(即x=0.015的BMT)表现出ε'_(RT)=1200的温度稳定的X8S介电指标。当T_s≥1300℃时,在测试温度T=-188℃下可以观察到g=1.956的EPR信号被指定为离子化的氧空位(V_O~(??))。3.(Ba_(1-x)Eu_x)(Ti_(1-x/2)Ca_(x/2))O_3陶瓷的价态稳定性、介电性质和缺陷化学研究XRD结果显示Eu~(3+)在BETC中具有较高的固溶度,固溶度高达为0.24,四方?立方相变点发生在x=0.10。XPS结果证实Eu离子以Eu~(3+)形式存在,没有发生变价行为。EPR结果证实:当x≤0.03时,A/B空位同时存在,且A空位缺陷随x增加而逐渐减少;当x≥0.04时,A空位缺陷消失,意味着少量Ca~(2+)离子进入Ba位;在低温下没有发现氧空位信号。介电结果表明:掺杂量为x=0.10的样品具有高介电常数(ε'_(RT)=5800)和低介电损耗(tanδ=0.0177),且满足X9V介电指标。4.(Ba_(1-x)Gd_x)(Ti_(1-x/2)Ca_(x/2))O_3陶瓷的晶体结构和介电性质XRD测试结果表明Gd~(3+)在BGTC中的固溶度为0.23,在x=0.10处由四方相转变为立方相。Gd~(3+)离子在BGTC陶瓷中显示强烈的EPR宽信号,掩盖了与空位缺陷相关的EPR信号。x=0.09样品的介电峰值为ε'_m=7317,发生在65.5℃,且显示较低的室温介电损耗(tanδ_(RT)=0.028)。(本文来源于《吉林化工学院》期刊2019-06-01）
徐源[7]（2019）在《锆钛酸钡陶瓷的制备及改性研究》一文中研究指出介电陶瓷是电子元件材料中较重要的一种,由于其具有抗腐蚀、耐高温、易制造和造价低等优点被广泛研究。长期以来含铅元素的电子材料具备优良的介电性、铁电性和压电性,在电子材料领域占据着统治地位。然而含有铅元素材料的使用会对环境带来不可逆转的危害,世界各国相继加大对含铅器件的监管和控制。“绿水青山就是金山银山”的理念,追求器件绿色、环保和节能是我国乃至全球科技发展的方向。所以无铅器件的开发和应用尤为重要,被誉为“电子陶瓷工业支柱”的钛酸钡材料成为炙手可热的研究焦点。本研究首先通过固相反应法制备出掺杂Zr~(4+)离子的BaTiO_3陶瓷,控制Zr~(4+)离子在BaTiO_3陶瓷中的含量,研究Zr~(4+)离子对BaTiO_3陶瓷物理性能的影响。其次,固相反应过程中需要提供超高的温度环境,超高温环境势必会造成巨大的能源浪费。此外,过高的烧结温度还会使陶瓷样品介电性、铁电性和压电性等性能大幅度降低,不利于发挥材料应有的优异特性,研究陶瓷的烧结工艺参数也极其重要。最后对优化后的陶瓷材料进行改性,改性后的陶瓷材料更进一步提升BZT陶瓷在电子陶瓷行业的应用价值,针对以上得出以下结论:1)通过固相反应法将Zr~(4+)离子掺杂在BaTiO_3陶瓷中,即Ba(Zr_xTi_(1-x))O_3(BZT)。控制Zr~(4+)离子在BaTiO_3陶瓷中的浓度(0~50%),研究Zr~(4+)离子含量对BZT陶瓷的晶体结构、微观形貌、密度、介电性和铁电性等物理性能的影响。结果表明,当Zr~(4+)离子含量增加至15%时介电常数达到最大值,然后随Zr~(4+)离子含量的增加介电常数逐渐减小。居里温度随Zr~(4+)离子含量的增加逐渐降低,当Zr~(4+)离子含量为20%时居里温度接近室温。2)通过传统固相反应法制备出Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3陶瓷,改变陶瓷制备过程中烧结工艺参数,寻找该陶瓷最优烧结点。当烧结温度达到1305℃时,样品结晶度和致密度较佳介电常数达到最大值。3)改变Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3陶瓷烧结工艺参数,通过烧结工艺参数的控制调整BZT陶瓷的晶粒尺寸,研究晶粒尺寸对该陶瓷物理性能的影响。当晶粒尺寸为5μm时,结晶度、密度和介电性到达最佳,随晶粒尺寸继续增大介电性能又逐渐降低。4)通过使用MgO做为改性剂,对Ba(Zr_(1.5)Ti_(0.85))O_3陶瓷微掺杂改性。控制MgO在BZT陶瓷中的含量,研究MgO微量添加后对该陶瓷物理性能的影响。微量MgO掺杂降低了烧结温度,同时提高了介电性。在MgO掺杂量为0.25 mol%时,居里温度从75℃附近降至室温。(本文来源于《陕西理工大学》期刊2019-06-01）
陈宇飞[8]（2019）在《空位对钛酸锶和铌酸锶钡陶瓷热电性质的影响》一文中研究指出热电材料能够在热能和电能之间直接转换,同时还通过电力控制温度。热电器件在太空探索和半导体制冷领域都有广泛的应用,近年来也被认为在废热回收领域中具备潜力,得到了学术界的关注。氧化物热电材料因具有无污染,低成本,高温下稳定的优点,可视为有前途的绿色节能材料。热电材料的性质取决于无量纲的热电的品质因数ZT值。ZT值取决于叁个参数:塞贝克系数(S),电导率(σ)和热导率(κ)叁个参数。为了获得高ZT值,必须具备高塞贝克系数,高电导率和低热导率。本论文研究了 SrTiO3和(Sr,Ba)Nb2O6基氧化物热电材料。SrTiO3材料是立方钙钛矿结构,其热电性能可以通过空位改变其传输性能来优化。(Sr,Ba)Nb2O6陶瓷具有钨青铜结构,其本征热导率较低,可以在其有空位的A位填充元素,调控电学性质,进而优化热电性质。本文主要是针对SrTi03材料,尝试Sr空位或者四种以上元素调控,烧结条件使用还原性气氛,探索不同Sr空位浓度,掺杂元素等因素对材料热电性质的影响。对于(Sr,Ba)Nb206基热电材料,采用镧系元素填充,当填充量为0.20时实现空位的满填充,并在还原性气氛下烧结,探索Sr0.7Ba0.3Nb2O6陶瓷的电学性质。取得的主要结果如下:(1)Sr空位调控SrTiO3陶瓷的热电性质:(A)固相反应法制备了有一定Sr空位的Sr1-xTi0.8Nb0.2O3样品,空位浓度分别为x=0、0.01、0.02、0.03、0.04,得到单相致密性较好的陶瓷。引入空位后,提高了样品的Seebeck系数的绝对值和电导率,促进功率因子的大幅度提高,Sr1-xTi0.8Nb0.2O3样品的性质显着提高,1073 K时ZT值由0.017(x=0)提高到0.236(x=0.03)。(B)固相反应法制备了有一定Sr空位的Sr0.9.xNd0.1Ti0.9Nb0.1O3样品,空位浓度分别为x=0、0.02、0.04、0.06、0.10、0.14,制备得到致密性好的陶瓷。引入空位后,载流子迁移率明显提高,改变了电子的输运机制,最终提高了功率因子。另外,Sr空位作为点缺陷可以散射声子,减小热导率,最终使ZT值得到显着提高。在1073 K时,Sr0.86Nd0.1Ti0.9Nb0.1O3样品的ZT值达到最大,最大值为0.32。(C)固相反应法制备了 Sr位和Ti位单掺杂的SrTiO3陶瓷,并且引入一定空位作对比。发现Sr位单掺杂的情况下,引入Sr空位,迁移率降低,最终降低了电导率;反之,Ti位单掺杂的情况下,引入空位,迁移率升高,电导率随之升高。(2)多元调控SrTiO3陶瓷的热电性质:固相反应法制备了掺杂了四种不同元素的SrTi03陶瓷,并制备了有空位的对比样品,在还原性气氛下烧结得到致密性好的陶瓷。发现掺杂种类最多的情况下,即Sr0.86Nd0.05Y0.05Ti0.9Nb0.05Ta0.05O3样品的电导率和Seebeck系数都相对较大,热导率较低,当温度为927 K时,ZT值达到最大,最大值为0.24。(3)空位La元素填充Sr0.7Ba0.3Nb2O6陶瓷的热电性质:固相反应法制备了Sr0.7Ba0.3LaxNb2O6样品,烧结气氛选择还原气,填充浓度分别为x=0.05、0.10、0.15、0.20。当x=0.20时,实现了空位的满填充。还原性气氛烧结生成的氧空位提高了载流子浓度。随着La元素含量的增加,Seebeck系数绝对值整体表现出减小的趋势,而电导率则呈现先增加后减小的趋势。部分填充的时候,电导率升高,而满填充的情况下,电导率降低。最终在填充量为0.15的情况下得到最大功率因子473μWm-1K-2。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-29）
刘巧丽[9]（2019）在《稀土及稀土/锰掺杂钛酸钡陶瓷的结构和介电性质》一文中研究指出BaTiO_3陶瓷具有良好的介电和压电等性能,在电子陶瓷领域有着重要应用。由于其居里温度较高,且介电常数在居里温度附近变化较大,为了获得室温附近温度稳定型的BaTiO_3陶瓷,研究者通过掺杂改性对其进行了广泛的探索。由于掺杂离子在BaTiO_3晶格中的位占据、价态以及补偿机制受到离子半径、晶体结构和制备条件等因素的影响,缺陷状态的确认及其对电学性质的影响是一项十分困难的工作。此外,虽然掺杂被公认为是改善BaTiO_3介电性质的有效方法,并得到了实际应用,但对其作用机理的解释仍存在争议。因此,无论是开发高性能的BaTiO_3陶瓷,还是探索其结构、缺陷与性质的关系,目前仍有大量的工作有待深入开展。本论文采用高温固相反应法,制备了具有不同补偿机制的稀土和稀土/Mn掺杂的BaTiO_3陶瓷,利用X射线衍射、(变温)拉曼光谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、(变温)电子顺磁共振以及介电温谱和频谱测试对BaTiO_3基陶瓷的晶体结构、微观形貌、Mn离子的价态以及介电性质等进行了研究,主要内容分为以下四个方面:一、制备了稀土Nd单掺杂BaTiO_3陶瓷,并同时引入Ti空位补偿施主Nd离子。研究发现所有样品均为单相钙钛矿结构,表明Nd离子完全并入到BaTiO_3晶格中,且随着掺杂量的增加,陶瓷的晶体结构由四方相向立方相转变。低温下叁个样品均表现出巨介电常数和介电弛豫现象,并且随着Nd含量的增加,在中频出现新的介电常数平台及弛豫峰。随着温度的升高,弛豫峰向高频移动,呈现热激活特性,激活能随着掺杂量的增加有所降低。对阻抗和电模量的分析表明,样品在低频和高频分别具有电阻很大的晶界和电阻非常小的晶核的电学响应,后者对介电常数的贡献可以忽略,而中频区域的电学响应来自于晶粒。随着掺杂量的增加,晶粒成份与电学性质均呈现出非均匀性,在阻抗和电模量频谱中出现新的电学相应。介电弛豫激活能与电导激活能接近,这说明介电弛豫与电荷的运动相关。进一步的分析表明,电荷的运动具有局域化,这与缺陷复合体的形成有关,缺陷复合体以及微结构共同影响了电偶极子的形成和空间电荷分布。样品在低频和中频的高介电常数是空间电荷极化与偶极子极化共同作用的结果。二、制备了相对密度高达~92%的Nd/Mn双掺杂BaTiO_3陶瓷,其中Mn含量固定(3 mol%),Nd含量可变(x=0.01、0.02、0.04和0.06)。随着Nd掺杂量的增加,陶瓷的晶体结构由四方/六方混合结构转变为四方相继而转变为立方相。伴随着结构演变,居里峰向室温移动且峰值增加,其中,立方相x=0.06样品具有最优的介电性能,其满足Y5V介电指标,且介电损耗低于0.04。利用EPR分析了Mn离子的价态,结果表明施主Nd~(3+)能够促使Mn离子由高价态向低价态转变,当x=0.06时,所有的Mn离子均以Mn~(2+)存在,这是由于2Nd~?_(Ba)-Mn'_(Ti)缺陷复合体能够抑制Mn~(2+)被氧化,该缺陷复合体的形成也能够解释晶胞体积和居里温度的非线性降低。叁、制备了Ba_(1–x)Sm_xTi_(1–x/4)O_3(x=0.02~0.10)陶瓷,对其晶体结构和固溶度进行了研究,并以x=0.03和x=0.06两个样品为代表,对其介电性质进行了详细分析。室温XRD结果表明,Sm~(3+)优先占据Ba位,其在Ba位的固溶度为0.07。介电温谱表明,居里温度和四方–正交相变温度随Sm掺杂量的增加而下降,二者的下降速率分别为15°C/at%和20°C/at%。两样品在低频均呈现巨介电常数,且高掺杂量样品的巨介电常数显着增大,这是一种界面极化效应。阻抗谱表明晶粒具有非均匀电学结构,晶粒外部具有更大的电阻,这与Sm~(3+)和Ti空位形成复合体有关,这种复合体同样会形成极化,导致中频高介电常数。高频范围的介电常数和弛豫与晶粒的性质相关,弛豫激活能在不同温度范围存在较大差别,与晶体结构随温度发生转变有关。四、在稀土Sm单掺杂BaTiO_3的研究基础上,制备了相对密度高达~93%的(Ba_(1–x)Sm_x)(Ti_(0.99)Mn_(0.01))O_3(x=0.02~0.07)陶瓷。随Sm含量的增加,样品的晶体结构由四方相向立方相转变,且晶胞体积持续减小,这表明Sm~(3+)优先占据Ba位,拉曼光谱分析亦证实了这一点。变温EPR测试表明,在施主Sm~(3+)的诱致下,Mn离子价态由四方相中的+2和+4混合价态转变为立方相中的+2价,并形成稳定的2Sm~?_(Ba)-Mn'_(Ti)缺陷复合体,从而阻止Mn~(2+)被氧化。随Sm含量的增加,陶瓷的介电性能得以优化,立方相x=0.07样品同时具有高介电常数(ε′_m=15220,ε′_(RT)=13810)和低介电损耗(tanδ<0.03),并且在1~10~6 Hz频率范围内,样品的介电常数几乎与频率无关,表明离子位移极化起主导作用。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-05-01）
王德彬[10]（2019）在《钛酸锶铅铋基储能陶瓷材料晶界结构与介电性能研究》一文中研究指出陶瓷储能介质材料以较高的放电功率密度和较好的工作稳定性等优点非常适合作为脉冲功率设备的储能器件。(Sr,Pb,Bi)TiO_3(SPBT)介质陶瓷具有较高的放电功率密度、高放电效率、较高的介电常数以及低介电损耗。本文在SPBT介质陶瓷的研究基础上,通过改变改性剂,制备了不同晶界结构的SPBT基介质陶瓷,绕着晶界结构这个核心问题,对材料的介电性能展开了系统性的研究。改性剂对SPBT基介质陶瓷晶界结构的影响。通过低温烧结与Bi_4Ti_3O_(12)(BIT)改性制备了SPBT相与Pb_3Bi_4Ti_6O_(21)(PBT)相共存的(1-x)Sr_(0.7)Pb_(0.15)Bi_(0.1)TiO_3-xBi_4Ti_3O_(12)((1-x)SPBT-xBIT)复相陶瓷,PBT相比SPBT具有完全不同的结构性质,它的出现降低了材料的晶界密度,增加了材料中的铁电宏畴密度。通过高温烧结与Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3(BNT)改性制备了单相的(1-x)Sr_(0.7)Pb_(0.15)Bi_(0.1)TiO_3-x Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3((1-x)SPBT-xBNT)介质陶瓷,BNT的掺入改变了晶粒的元素成分,增强了晶界的绝缘性。同时由于元素成分的变化,晶界结构随之改变,微畴消失,导致了电畴结构的变化。晶界结构对材料耐压场强的影响。降低材料晶粒尺寸有利于提高其晶界密度,但研究发现这也会导致明显的界面极化效应,使材料的耐压场强降低。通过BIT掺入可降低晶界密度及空间电荷浓度,可有效降低界面极化效应的影响。研究发现BNT掺入使SPBT晶界的绝缘性增强,可有效提高材料的耐压场强。但BNT掺入会导致铅铋化合物的析出,对材料的介电性能造成了不利影响。晶界结构对材料介电温度特性的影响。BIT与BNT都具有较高的居里温度,研究发现BIT或BNT掺杂可使材料的居里峰移动、展宽,达到降低-电容温度变化率的效果。通过对比高低温烧结的SPBT陶瓷可发现,降低材料的晶粒尺寸可有效增加晶界间的内应力,降低材料的电容-温度变化率。晶界结构对材料储能特性的影响。BIT掺入导致了(1-x)SPBT-xBIT陶瓷中宏畴的密度增加,材料的铁电性增强。在(1-x)SPBT-xBNT陶瓷中,BNT掺入改变了材料的晶界结构,微畴消失,材料的宏畴密度增加,材料的反铁电性增强。由于铁电宏畴密度增加,畴壁重新取向将消耗更多的能量,导致材料的介质损耗增大,放电效率降低。同时,BNT掺入还可有效增加材料的储能密度。(本文来源于《西南科技大学》期刊2019-05-01）
钛酸锶钡陶瓷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
金属氧化物陶瓷支撑着电子和能源等多种现代技术的发展。然而,金属氧化物陶瓷通常又硬又脆,弯曲时容易破裂或折断。这种机械响应限制了其在可穿戴电子纺织品等新兴领域中的应用。近日,东华大学俞建勇院士及丁彬研究员带领的纳米纤维研究团队开发出了柔性钛酸钡陶瓷纳
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
钛酸锶钡陶瓷论文参考文献
[1].张煜坤,赵鹏,李卓,苏兴华,景明海.闪烧技术制备致密钛酸锶钡基陶瓷的研究[J].压电与声光.2019
[2]..东华大学开发出柔性钛酸钡陶瓷纳米纤维膜[J].印染.2019
[3].董子红.Gd~(3+)、Nb~(5+)掺杂锆钛酸钡陶瓷结构及介电性能的研究[J].陶瓷.2019
[4].宗伟,刘宏波.钛酸锶-铁酸铋电子陶瓷制备及介电性能研究[J].中国陶瓷.2019
[5].翟芸翎.放电等离子烧结的钛酸锶钡基无铅陶瓷的介电性能研究[J].广东化工.2019
[6].郑永顺.两种不同价态离子掺杂钛酸钡陶瓷的介电性质和缺陷化学研究[D].吉林化工学院.2019
[7].徐源.锆钛酸钡陶瓷的制备及改性研究[D].陕西理工大学.2019
[8].陈宇飞.空位对钛酸锶和铌酸锶钡陶瓷热电性质的影响[D].山东大学.2019
[9].刘巧丽.稀土及稀土/锰掺杂钛酸钡陶瓷的结构和介电性质[D].吉林大学.2019
[10].王德彬.钛酸锶铅铋基储能陶瓷材料晶界结构与介电性能研究[D].西南科技大学.2019
论文知识图
