导读:本文包含了铁电介电论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:薄膜,钙钛矿结构,射频磁控溅射沉积,铁电性
铁电介电论文文献综述
孙科学,常月欣,成谢锋,张淑仪[1](2018)在《xBiInO_3-(1-x)PbTiO_3薄膜的制备与铁电、介电特性研究》一文中研究指出利用射频磁控溅射方法,在单晶MgO(100)及缓冲层异质结构基底上沉积La掺杂的xBiInO_3-(1-x)PbTiO_3薄膜。通过调控靶材配比和溅射参数,研究了溅射中由于基底加热造成的溅射过程中的薄膜失铅、失铋现象,同时对磁控溅射参数进行了调控和研究,得到了优化的溅射制备条件。利用XRD、SEM、EDS、铁电分析仪等仪器,并对不同BiInO_3组分对薄膜性能的影响进行研究,包括对薄膜的生长取向、形貌、铁电性和居里温度等进行研究,获得综合性能良好的高铁电性、高居里温度的铁电薄膜。(本文来源于《功能材料》期刊2018年09期)
潘其建[2](2016)在《基于Dabco衍生物与轴手性配体(H_2-nbpdc)系列配合物的合成、表征及其铁电、介电性质研究》一文中研究指出高性能的铁电、介电材料是一类在能源、航天、建筑等诸多领域具有广泛应用前景的功能材料,从目前的研究来看,对于具有高性能的铁电、介电材料的研究和开发应用仍然处于发展阶段。为了寻找新型铁电、介电材料,我们在阅读大量铁电、介电材料相关文献的基础上,对高对称性杂环配体1,4-二氮杂二环[2.2.2]辛烷(Dabco)进行化学修饰,合成了一种基于Dabco的氮氧化物1,4-二氮杂二环[2.2.2]辛烷-N,N'-二氧化物(Dabcodo)和一种基于Dabco的季铵盐[(CH3)2CH-Dabco]+·Br-,并且利用所合成的两种化合物以及轴手性配体2,2'-二硝基-4,4'联苯二甲酸(H2-nbpdc)制备了一系列金属有机化合物和分子离子化合物对其相变点、相变前后分子结构及其铁电、介电性质进行了研究。1.以Dabcodo配体为基本构筑单元,通过缓慢挥发溶液,与过渡金属离子M(M=Ag+,Pb2+)自组装得到两个具有相变性质的金属-有机配位化合物:{[Ag3(Dabcodo)(NO3)3]·H2O}n(1); [Pb(Dabcodo)(NO3)(OH)]n(2);变温单晶结构以及DSC扫描确定了两个化合物相变前后的分子结构及相变点,对于化合物1通过变温粉末X射线衍射进一步验证相变的发生。并且分别对化合物1的铁电、介电性质以及化合物2的介电性质进行了研究。其中,DSC测试结果表明化合物1在T≈217 K时发生相变,单晶结构测试进一步确认了其在室温相(293 K)和低温相(123 K)时化合物的结构,同时该化合物在相变点附近也表现出明显的介电异样,升温和降温过程中均存在阶梯状的介电响应峰。电滞回线显示化合物1的剩余极化值约为0.23μC/cm2以及饱和极化值约为0.36μC/cm2,矫顽场约为13.3kV/cm。DSC测试结果表明化合物2在176 K时发生相变,变温单晶结构分析表明化合物2在室温相结晶在四方晶系I41/a空间群,在低温相变为单斜晶系C2/c空间群,Dabcodo环的高度无序是导致相变发生的主要原因。2.以H2-nbpdc配体作为基本构筑单元,分别与过渡金属离子M2+(M=Zn,Ni,Mn,Co)和4,4'-联吡啶通过水热法自组装得到六个叁维金属-有机配位化合[Ni(nbpdc)(4,4'-bpy)(H20)]n(3):[Ni2(nbpdc)2(4,4'-bpy)2(H20)2]n(4): [Ni(nbpdc)(4,4'-bpy)]n(5);[Mn(nbpdc)(4,4'-bpy)]n(6); [Co(nbpdc)(4,4'-bpy)]n(7):[Zn2(nbpdc)2(4,4'-bpy)]n(8);介电测试结果表明化合物3-8在不同的温度区间表现出不同的介电响应,其中化合物3和8在275 K左右出现阶梯状介电异样,化合物4在250 K左右出现介电异样且在250 K后的介电常数几乎是250 K前介电常数的2倍。化合物5,6,7分别在230 K,245 K和265 K附近出现阶梯状异样峰。此外,化合物3还表现出吸附脱附性质,在77 K时最大氮气吸附量为1324 cm3/g,总孔体积为0.20 cm3/g,比表面积391.76 m2/g,孔径分布在0-2 nm之间。通过磁性测试表明化合物6和7存在反铁磁性。单晶结构分析表明化合物3拥有sqc6拓扑,化合物4拥有(4462)(48.66.8)拓扑,化合物5,6,7拥有相同的(44.610.8)(44.62)拓扑化合物8拥有(10)(6.82.103.124)2(62.8)2(8)2拓扑。3.以Dabcodo配体为基本构筑单元,与C104-离子通过溶液法自组装得到一个有机分子离子铁电相变化合物:C6H14N2022+.2C104-(9):化合物9在温度T≈218.5 K时发生相变,变温单晶结构显示该化合物由室温相(293 K)单斜晶系P2I/c空间群转变成低温相(123 K)单斜晶系P21铁电空间群,同时该化合物在相变点附近也存在明显的介电响应,电滞回线表明9在2.5kV外加电压下饱和极化值为1.47 μC/cm2,剩余极化值为0.75 μC/cm2,矫顽场为12.74 kV/cm。Dabcodo环的无序-有序转变导致了铁电相变的发生。4.以[(CH3)2CH-Dabco]+·Br-配体作为基本构筑单元,与PF6离子通过溶液法自组装得到一个有机分子离子相变化合物:C9H20N2+·2PF6-(10);化合物10在温度T≈133.1 K时发生结构相变,变温单晶结构显示该化合物结晶在室温相的正交晶系Pbca空间群转变成低温相的单斜P2I/c空间群,且该结果通过介电测量得到了进一步的确认,分子间氢键的变化和Dabco环的扭曲导致了相变的发生。(本文来源于《江苏科技大学》期刊2016-06-04)
王宁章,容世龙,刘世丰[3](2016)在《Ta、Nb掺杂Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)陶瓷铁电介电性能研究》一文中研究指出采用传统固相烧结工艺制备了掺杂Ta、Nb的Bi3.15Nd0.85Ti3O12材料,构成Bi3.15Nd0.85Ti3-2x TaxNbxO12(x=0,0.02,0.04,0.06)铁电陶瓷。研究了Ta、Nb掺杂对Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷晶体结构和铁电性能的影响。结果表明,Ta、Nb掺杂未改变Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷的钙钛矿晶体结构,剩余极化值提高,具有较好电滞回线(Pr-Ec)。在电压为45 V、测试频率为0.1kHz下,Bi3.15Nd0.85Ti3-2xTaxNbxO12铁电陶瓷的剩余极化强度(2Pr)及矫顽场强(2Ec)可分别达到25.07μC/cm2和31.1kV/cm,电容-电压(C-V)曲线呈标准的蝴蝶形。(本文来源于《压电与声光》期刊2016年02期)
惠新伟,李艳霞,王旭升[4](2014)在《铋层状化合物Na_(0.5)Ho_(0.5-x)Yb_xBi_4Ti_4O_(15)陶瓷材料的上转换发光、铁电、介电性能研究》一文中研究指出采用传统的固相烧结法,制备了Na0.5Ho0.5-xYbxBi4Ti4O15铋层状结构陶瓷.经X射线衍射(XRD)表征,新合成材料为单相结构,且扫描电子显微镜下的表面和断面图像均为层状,说明合成材料为新型铋层状材料.室温时,在可见光波长范围内,有2个峰,分别为546 nm处的绿光峰和656 nm处的红光峰,分别对应于Ho3+离子的5F4+5S2→5I8和5F5→5I8跃迁.为研究其机理,测试了变功率条件下的发光强度,经计算,绿光和红光发射均为双光子过程.研究陶瓷样品在变温(-130~270°C)条件下的发光性能时,发现红光与绿光的强度比值与温度呈线性关系,该材料有望应用于光学温度传感器领域.经介电性能测试发现当Ho:Yb=1:9时,样品的居里温度为686.4°C.研究铁电性能发现当Ho:Yb=3:2时,剩余极化Pr为9.3μC/cm2,矫顽场强为Ec=82 k V/cm,表明具有一定的铁电性能.以上研究结果表明,制得的新材料是一种具有优异光学性能的多功能材料.(本文来源于《中国科学:技术科学》期刊2014年12期)
姬卢东[5](2014)在《铁电/介电复相陶瓷的原位制备及其介电性能研究》一文中研究指出本文采用湿化学法原位制备Ba0.5Sr0.5Ti O3-Mg O(BST-M)、Ba0.5Sr0.5Ti O3-Mg2Ti O4(BST-MT)、Ba0.5Sr0.5Ti O3-Mg2Si O4(BST-MS)叁类铁电/介电复相陶瓷,研究不同制备方法和组分对BST基复相陶瓷微观结构及其介电性能的影响,分析其原位复合的生长过程及机理,研究化学组分、结构对其微波、介电调谐特性的影响,建立结构及性能变化与渗流效应的对应关系。主要的研究工作包括:采用柠檬酸-硝酸盐自燃法在较低温度下(700oC)原位制得BST-Mg O纳米复相粉体,再经传统的电子陶瓷制备工艺制得两相均匀分布的BST-Mg O复相陶瓷。随着Mg O体积分数(?M)的增加,更多Mg2+进入BST晶格,且Mg2+进入Ti位导致F色心的形成;相应地,复相陶瓷中BST的介电常数(ε)依赖于?M,且满足Mfbea′′=BSTe关系;此外,介电调谐率在6.0Mf=处存在渗流现象,满足修正的球形颗粒有效介质理论模型。采用柠檬酸-硝酸盐自燃法在1000oC以下未能原位制得纯相的BSTMg2XO4(X=Ti,Si)复相粉体,但在1300oC下烧结制得BST-Mg2XO4(X=Ti,Si)复相陶瓷。复相陶瓷中BST的ε随微波介质体积分数?变化均满足fbea′′=BSTe关系,但在BST-Mg2Si O4体系中BST的ε随?的增加而显着降低,同时该体系中介电调谐率的渗流现象也消失,这可能是Si O2在1300oC熔化而导致更多Mg2+进入BST晶格所致。采用草酸共沉淀法在较低温度下(700oC)原位制得颗粒大小均一的BST-M纳米复相粉体,碱性前驱体有助于Mg2+的沉积,但不利于纯相BST和Mg O复相结构的形成。对于p H=2前驱体制得的BST-M复相陶瓷体系,随着Mg O复合量的增加,居里温度仍保持不变,而介电峰被显着抑制。相应地,介电常数和介电调谐率降低,而微波介电损耗均小于0.005。(本文来源于《中国计量学院》期刊2014-11-01)
刘鹏,张丹[6](2011)在《La诱导(Pb_(1-3x/2)La_x)(Zr_(0.5)Sn_(0.3)Ti_(0.2))O_3反铁电介电弛豫研究》一文中研究指出采用标准电子陶瓷工艺制备了(Pb(1-3x/2)Lax)(Zr0.5Sn0.3Ti0.2)O3(PLZST,0.00≤x≤0.18)反铁电陶瓷,利用X射线衍射、不同频率下弱场介电温谱、强场下的极化强度-电场(P-E)测试研究了材料相结构和电学性能.实验结果发现,随La含量x增大,室温下材料由铁电叁方相(x≤0.04)转变为反铁电四方相(AFET,0.06<x≤0.08)和顺电立方相(PEC,x≥0.1).介电温谱测试表明,随La含量的增大,AFE-PEC相变温度降低、相变弥散和介电频率色散增强,x≥0.12试样呈现反铁电介电弛豫特征.采用Santos提出的类居里–外斯定律对介电温谱数据进行拟合,对相变弥散和介电频率色散特征随La含量的变化进行了表征.(本文来源于《物理学报》期刊2011年01期)
门保全,郑海务,张大蔚,马兴平,顾玉宗[7](2009)在《ZnO基材料的压电、铁电、介电与多铁性质研究进展》一文中研究指出ZnO是一种纤锌矿结构的第叁代宽带隙半导体材料,在光电和铁电器件领域具有优良的应用前景。本文综述了近年来ZnO材料在制备与诸如压电、铁电、介电与多铁等物理性质方面的研究进展,指出了ZnO在铁电、介电与多铁性质研究方面中存在的问题,并提出解决的思路。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2009年04期)
毛艳平[8](2009)在《不同尺寸BaTiO_3纳米颗粒的制备及0-3型BaTiO_3/PVDF压电复合材料铁电、介电性能的研究》一文中研究指出铁电材料作为一种应用广泛的功能材料,一直以来都受到广泛的关注。随着科技的发展,对铁电组件小型化、集成化的要求越来越高,这就进一步要求作为原料的铁电体晶粒尺寸不断减小。当晶粒尺寸减小时,铁电体的铁电性是否还能保持是一个重要的问题,对这种尺寸效应的研究具有重要的意义。由于钛酸钡(BaTiO_3)晶体结构简单并具有高介电常数,在理论上和实践方面研究BaTiO_3的的临界尺寸很有意义。本论文采用BaTiO_3作为增强材料,压电聚合物聚偏二氟乙烯(PVDF)作为基体,用制备压电复合材料的方法研究钛酸钡纳米颗粒的尺寸效应。压电聚合物基压电复合材料兼具压电陶瓷和聚合物的优点,而且还可以表现出复合材料的新性能,所以我们进一步研究了压电复合材料的压电、铁电性能,并证明BaTiO_3和PVDF的协同作用增强了复合材料的铁电、介电性能。首先我们用溶剂热法制备了具有不同粒径的BaTiO_3微纳米颗粒,通过X-射线粉末衍射和扫描电镜的表征发现,制得的几个粒径分布的BaTiO_3粉末皆为分散性好、粒径均匀且无杂质的BaTiO_3。通过进一步的高温原位x-射线粉末衍射分析,得到BaTiO_3颗粒越大,颗粒中四方相的成分越多,居里温度越高的结论。然后我们对影响产物BaTiO_3颗粒形貌的几个因素进行了研究,发现反应物浓度,溶剂极性,反应温度和表面活性剂的用量等反应条件对最终制得的BaTiO_3颗粒的大小和分散性有一定的影响。利用溶液混合法将制得的不同粒径的BaTiO_3微纳米颗粒与PVDF复合均匀后,进一步热压成型,得到含有不同粒径大小BaTiO_3颗粒的聚合物基复合样品。我们对热压前后的BaTiO_3颗粒进行了电镜表征,发现热压过程中BaTiO_3颗粒没有长大,仍然保持原来的大小。样品的截面电镜证明,溶液混合法可以得到BaTiO_3颗粒在PVDF中均匀分散的压电复合材料。测量含有不同粒径BaTiO_3颗粒样品的电滞回线后发现复合材料的剩余极化和矫顽电场明显高于纯相PVDF,而且样品的剩余极化随着样品中BaTiO_3颗粒的增大而增大。复合样品的剩余极化与BaTiO_3颗粒尺寸呈现出近似线性的关系,这可以用S.Wada等人提出的BaTiO_3颗粒的叁层理论模型来解释。我们测到了25nm的BaTiO_3/PVDF纳米复合铁电样品的电滞回线,这可能是由于BaTiO_3和PVDF之间的协同作用,增强了复合材料的铁电性。对含有不同粒径BaTiO_3颗粒样品的介电性质进行了测试,各个样品的介电常数和介电损耗随频率的增大而减小,随温度的升高而增大。从介电谱和温度谱中都可以看到明显的尺寸效应,介电常数随BaTiO_3颗粒尺寸的变化趋势相同,当复合材料中BaTiO_3的颗粒为80~100nm时,介电常数出现最大值。(本文来源于《厦门大学》期刊2009-06-01)
刘鹏,张丹[9](2008)在《偏置电场诱导的PLZST反铁电介电弛豫现象》一文中研究指出在不同偏置电场和频率下测量了(Pb0.94La0.04)(Zr0.5Sn0.3Ti0.2)O3陶瓷的介电温谱,观察到电场诱导的反铁电介电弛豫现象.电场越大,反铁电介电频率色散越强;反铁电与铁电态之间的相互竞争与共存引起材料内部纳米尺度的结构无序,这被认为是反铁电介电弛豫的物理起源.(本文来源于《科学通报》期刊2008年15期)
顾世浦[10](2007)在《掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)-SrBi_4Ti_4O_(15)共生结构铁电、介电和压电性能影响的研究》一文中研究指出本论文以层状钙钛矿结构铁电材料Bi4Ti3O12 (BIT)和SrBi4Ti4O15(SBTi)的共生结构(BIT-SBTi)为研究对象,研究A、B位掺杂对材料的晶体结构、铁电、介电和压电性能的影响,分析了掺杂对材料的剩余极化(2Pr)、矫顽场(Ec)和压电系数(d33)的可能影响机制。BIT-SBTi类钙钛矿层的A位含有两种阳离子:叁价的Bi3+和二价的Sr2+,B位是四价的Ti4+。基于传统的固相烧结工艺,制备了用叁价的镧系元素离子Nd3+等价掺杂BIT-SBTi的Bi3+位样品和用Ce4+不等价掺杂BIT-SBTi的Bi3+位样品,以及用VA族元素V5+和Nb5+高价掺杂BIT-SBTi共生材料B位的样品。用X射线衍射(XRD)对它们的晶体结构进行了分析,发现掺杂基本未改变材料原来的晶体结构,且样品均呈随机取向。实验结果显示,通过适量的Nd掺杂,样品的铁电性能得到明显改善,在掺杂量为x = 0.50时,2Pr达到最大值32.3μC·cm?2,比未掺杂时增大了近70%,Nd掺杂对BIT-SBTi的矫顽场Ec影响不大,SrBi7.50Nd0.50Ti7O27的Ec为103 kV?cm?1,和未掺杂时相比变化不大。在掺杂量大于x = 0.50以后,2Pr逐渐减小。这种掺杂导致的先增后减的变化规律,是掺杂导致材料中氧空位浓度逐渐降低所产生的积极因素和掺杂导致的晶格畸变程度逐渐减小以及掺杂离子进入(Bi2O2)2+层所带来的消极因素相互竞争与妥协的结果。Nd掺杂使得样品d33先增加后减小,最大值为11 pC·N–1,我们发现在x = 0.50时,2Pr和d33同时达到最大值,我们进一步给出了这一现象的唯象解释。在Ce4+高价取代Bi3+位的样品中,我们发现了不同的2Pr变化规律,在掺杂量低于x = 0.6时,2Pr从15.2μC·cm?2减小到3.1μC·cm?2;当掺杂量大于x = 0.6时,2Pr逐渐增大到8.4μC·cm?2。然而矫顽场Ec和居里温度Tc都呈现先减小后有所增大的趋势。这可能由于Ce离子的变价导致不同的掺杂机制所致。Ce掺杂使得样品压电系数先增加后减小,最大值为16.1 pC·N–1。在高价阳离子取代B位的研究中,我们发现在V掺杂量为x = 0.03的BIT-SBTi样品中,样品的2Pr显着增加,从零掺杂量时的19.5μC·cm?2,增加到了29.0μC·cm?2,增加了约50%,Ec变化不大。在Nb掺杂量为x = 0.06的BIT-SBTi样品中,样品的2Pr显着增加,从零掺杂量时的20.0μC·cm?2,增加到了34.9μC·cm?2,增加了约75%,Ec变化不大。这说明高价阳离子取代改善了样品的铁电性能。从V掺杂的介温谱来看,V取代没有显着影响样品的居里温度,样品的热稳定性得以保持。钒掺杂使得样品压电系数先增加后减小,最大值为12.2 pC·N–1。我们认为:这主要是由于在电荷电中性的制约下,高价掺杂抑制了样品中氧空位的浓度,减低了氧空位的动性,使得铁电钉扎现象缓解,因而使得材料铁电性能的得到改善。同时,高价Nb5+掺杂会产生A位空位,也会对材料铁电性能的改善有帮助。当V5+、Nb5+掺杂量逐渐增加时,不断增加的Bi空位会破坏材料晶胞结构的完整性,从而导致材料铁电性能的下降。二者的竞争机制,使得样品的铁电性能呈现先改善后降低的现象。在材料压电系数的测量中也发现先增加后减小的类似规律,这主要归结与样品铁电性能的改善导致压电性能的改善。(本文来源于《扬州大学》期刊2007-04-28)
铁电介电论文开题报告
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
高性能的铁电、介电材料是一类在能源、航天、建筑等诸多领域具有广泛应用前景的功能材料,从目前的研究来看,对于具有高性能的铁电、介电材料的研究和开发应用仍然处于发展阶段。为了寻找新型铁电、介电材料,我们在阅读大量铁电、介电材料相关文献的基础上,对高对称性杂环配体1,4-二氮杂二环[2.2.2]辛烷(Dabco)进行化学修饰,合成了一种基于Dabco的氮氧化物1,4-二氮杂二环[2.2.2]辛烷-N,N'-二氧化物(Dabcodo)和一种基于Dabco的季铵盐[(CH3)2CH-Dabco]+·Br-,并且利用所合成的两种化合物以及轴手性配体2,2'-二硝基-4,4'联苯二甲酸(H2-nbpdc)制备了一系列金属有机化合物和分子离子化合物对其相变点、相变前后分子结构及其铁电、介电性质进行了研究。1.以Dabcodo配体为基本构筑单元,通过缓慢挥发溶液,与过渡金属离子M(M=Ag+,Pb2+)自组装得到两个具有相变性质的金属-有机配位化合物:{[Ag3(Dabcodo)(NO3)3]·H2O}n(1); [Pb(Dabcodo)(NO3)(OH)]n(2);变温单晶结构以及DSC扫描确定了两个化合物相变前后的分子结构及相变点,对于化合物1通过变温粉末X射线衍射进一步验证相变的发生。并且分别对化合物1的铁电、介电性质以及化合物2的介电性质进行了研究。其中,DSC测试结果表明化合物1在T≈217 K时发生相变,单晶结构测试进一步确认了其在室温相(293 K)和低温相(123 K)时化合物的结构,同时该化合物在相变点附近也表现出明显的介电异样,升温和降温过程中均存在阶梯状的介电响应峰。电滞回线显示化合物1的剩余极化值约为0.23μC/cm2以及饱和极化值约为0.36μC/cm2,矫顽场约为13.3kV/cm。DSC测试结果表明化合物2在176 K时发生相变,变温单晶结构分析表明化合物2在室温相结晶在四方晶系I41/a空间群,在低温相变为单斜晶系C2/c空间群,Dabcodo环的高度无序是导致相变发生的主要原因。2.以H2-nbpdc配体作为基本构筑单元,分别与过渡金属离子M2+(M=Zn,Ni,Mn,Co)和4,4'-联吡啶通过水热法自组装得到六个叁维金属-有机配位化合[Ni(nbpdc)(4,4'-bpy)(H20)]n(3):[Ni2(nbpdc)2(4,4'-bpy)2(H20)2]n(4): [Ni(nbpdc)(4,4'-bpy)]n(5);[Mn(nbpdc)(4,4'-bpy)]n(6); [Co(nbpdc)(4,4'-bpy)]n(7):[Zn2(nbpdc)2(4,4'-bpy)]n(8);介电测试结果表明化合物3-8在不同的温度区间表现出不同的介电响应,其中化合物3和8在275 K左右出现阶梯状介电异样,化合物4在250 K左右出现介电异样且在250 K后的介电常数几乎是250 K前介电常数的2倍。化合物5,6,7分别在230 K,245 K和265 K附近出现阶梯状异样峰。此外,化合物3还表现出吸附脱附性质,在77 K时最大氮气吸附量为1324 cm3/g,总孔体积为0.20 cm3/g,比表面积391.76 m2/g,孔径分布在0-2 nm之间。通过磁性测试表明化合物6和7存在反铁磁性。单晶结构分析表明化合物3拥有sqc6拓扑,化合物4拥有(4462)(48.66.8)拓扑,化合物5,6,7拥有相同的(44.610.8)(44.62)拓扑化合物8拥有(10)(6.82.103.124)2(62.8)2(8)2拓扑。3.以Dabcodo配体为基本构筑单元,与C104-离子通过溶液法自组装得到一个有机分子离子铁电相变化合物:C6H14N2022+.2C104-(9):化合物9在温度T≈218.5 K时发生相变,变温单晶结构显示该化合物由室温相(293 K)单斜晶系P2I/c空间群转变成低温相(123 K)单斜晶系P21铁电空间群,同时该化合物在相变点附近也存在明显的介电响应,电滞回线表明9在2.5kV外加电压下饱和极化值为1.47 μC/cm2,剩余极化值为0.75 μC/cm2,矫顽场为12.74 kV/cm。Dabcodo环的无序-有序转变导致了铁电相变的发生。4.以[(CH3)2CH-Dabco]+·Br-配体作为基本构筑单元,与PF6离子通过溶液法自组装得到一个有机分子离子相变化合物:C9H20N2+·2PF6-(10);化合物10在温度T≈133.1 K时发生结构相变,变温单晶结构显示该化合物结晶在室温相的正交晶系Pbca空间群转变成低温相的单斜P2I/c空间群,且该结果通过介电测量得到了进一步的确认,分子间氢键的变化和Dabco环的扭曲导致了相变的发生。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
铁电介电论文参考文献
[1].孙科学,常月欣,成谢锋,张淑仪.xBiInO_3-(1-x)PbTiO_3薄膜的制备与铁电、介电特性研究[J].功能材料.2018
[2].潘其建.基于Dabco衍生物与轴手性配体(H_2-nbpdc)系列配合物的合成、表征及其铁电、介电性质研究[D].江苏科技大学.2016
[3].王宁章,容世龙,刘世丰.Ta、Nb掺杂Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)陶瓷铁电介电性能研究[J].压电与声光.2016
[4].惠新伟,李艳霞,王旭升.铋层状化合物Na_(0.5)Ho_(0.5-x)Yb_xBi_4Ti_4O_(15)陶瓷材料的上转换发光、铁电、介电性能研究[J].中国科学:技术科学.2014
[5].姬卢东.铁电/介电复相陶瓷的原位制备及其介电性能研究[D].中国计量学院.2014
[6].刘鹏,张丹.La诱导(Pb_(1-3x/2)La_x)(Zr_(0.5)Sn_(0.3)Ti_(0.2))O_3反铁电介电弛豫研究[J].物理学报.2011
[7].门保全,郑海务,张大蔚,马兴平,顾玉宗.ZnO基材料的压电、铁电、介电与多铁性质研究进展[J].硅酸盐通报.2009
[8].毛艳平.不同尺寸BaTiO_3纳米颗粒的制备及0-3型BaTiO_3/PVDF压电复合材料铁电、介电性能的研究[D].厦门大学.2009
[9].刘鹏,张丹.偏置电场诱导的PLZST反铁电介电弛豫现象[J].科学通报.2008
[10].顾世浦.掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)-SrBi_4Ti_4O_(15)共生结构铁电、介电和压电性能影响的研究[D].扬州大学.2007