导读:本文包含了铁电厚膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:铁电厚膜移相器,人工表面等离激元,电谐振器,可调控
铁电厚膜论文文献综述
娄菁,王军,马华,屈绍波[1]（2019）在《基于谐振耦合和人工表面等离激元的可调控频率选择铁电厚膜移相器》一文中研究指出移相器作为一类重要的微波功能器件,在军事和民用领域有着重要的应用。不同于传统的铁电厚膜移相器,本文将电谐振器、人工表面等离激元(SSPP)和铁电厚膜叁者结合进行设计,利用电谐振器与人工表面等离激元传输结构的耦合特性,并引入铁电厚膜的介电非线性,提出了一种具有频率选择特性的电可调铁电厚膜移相器。通过基于人工表面等离激元的铁电厚膜移相器理论分析了移相器结构设计的可行性,并通过系统仿真对设计的可行性进行了验证。通过仿真不同电谐振器结构下移相器的S参数曲线验证了本文设计的移相器具有可设计的频率选择特性。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年04期）
张利文[2]（2018）在《锆钛酸铅镧反铁电厚膜的制备及储能行为研究》一文中研究指出锆钛酸铅镧(简称PLZT)是一类典型的钙钛矿结构(AB03)反铁电材料,具有特殊的晶体结构,在电场、温度场及压力场等外场诱导作用下发生相变效应,在相变过程中,伴随着显着的介电常数、极化强度和电流的变化,同时能量得到存储和释放。同时,其本身的钙钛矿结构使其具有良好的结构可调性,有望在高储能密度电容器中得到应用。因此本论文主要对PLZT厚膜的制备及其储能行为进行了研究,旨在为这类材料在实际中的应用提供实验基础与理论指导。本文采用溶胶-凝胶法在LaNi03/Si(100)基底上成功制备了 PLZT反铁电厚膜材料。采用X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)对制得的样品进行相结构和微观显微结构分析;采用精密LCR数字电桥和铁电综合测试仪对反铁电厚膜的介电性能与反铁电性能(P-E)等宏观电性能进行测量,按照韦伯分布计算样品的击穿场强(BDS),同时根据P-E测试图得到反铁电厚膜的储能密度及储能效率。同时,采用“两步热处理和一步结晶退火”的方法,通过对(Pbl-3x/2Lax)(ZryTi1-y)O3反铁电厚膜的制备工艺进行优化。研究发现,制备PLZT反铁电厚膜的最佳工艺为:热处理温度T1为350℃、热处理温度T2为600℃,晶化温度T为700℃制备得到的反铁电厚膜材料的储能性能最优;对于PVP改性的溶胶-凝胶法,制备(Pb1-3x/2Lax)(ZryTil-y)O3反铁电厚膜的最佳工艺为:热处理温度T1为300℃,热处理温度T2为700℃,晶化温度T为700℃制备得到的反铁电厚膜材料的储能性能最优。在此基础上,研究了厚度及组分梯度对PLZT厚膜的介电性能和储能行为的影响,研究表明:厚度的变化对PLZT反铁电厚膜的性能具有显着的影响,随着膜厚度的增加,反铁电厚膜的击穿电场降低,而介电常数随着膜厚度的增加而增大;组分梯度对PLZT厚膜的宏观性能有较大的影响,组分梯度厚膜与单组分膜相比,上梯度厚膜具有更优的储能密度,高达12.4J/cm3,比单组分厚膜高出75%。因此,可以通过控制组分梯度来改变反铁电厚膜的储能行为。系统探究了组分变化对Pbl-3x/2Lax(Zr,Sn,Ti)O3体系厚膜结构及储能行为的影响,结果表明:La3+离子含量对该体系厚膜的生长过程及相变行为具有重要影响,随着La3+离子含量的增加,PLZT逐渐表现为与底电极相同的(100)晶面择优生长,由于La3+离子的加入使厚膜晶体结构发生了改变,实现了四方反铁电相-菱方铁电相-立方顺电相的连续变化;通过合理控制厚膜中Zr/Ti、Zr/Sn及Sn/Ti比可以实现该体系厚膜反铁电-铁电相变过程的连续可调。室温下反铁电态较为稳定的厚膜,在温度诱导相变过程中通过适当的外加电场调控,可以观察到反铁电-铁电-顺电相连续相变过程;而当室温时厚膜反铁电性较弱时,则只能观察到反铁电-顺电相变过程。为了探究离子掺杂对PLZT厚膜结构及储能行为的影响,我们通过Mn4+的掺杂实现了该体系反铁电厚膜有效储能密度及能量转化效率的提高,反铁电性得到进一步稳定,有望在高能存储领域得到应用。在锰含量为1%mol时,PLZT厚膜的各种性能达到最佳,其临界击穿场强为1678.5kV/cm,储能密度为30.8 J/cm3,储能效率达到69.6%。最后,探究了氧化物缓冲层及Zr02覆盖氧化物层厚度对PLZT厚膜的介电性能和储能行为的影响。结果表明:氧化物缓冲层的加入对PLZT反铁电厚膜结构及取向有着重要影响,使反铁电厚膜材料变的更加致密、均匀,颗粒尺度增大,介电性能得到显着改善。尤其,ZnO缓冲层的引入对储能效率的提高尤为突出。但是,Zr02覆盖层厚度的增加,虽然晶粒粒径增大,但对储能密度的影响较小,储能效率降低。通过上述结果表明,通过选择合理的缓冲层能够有效改善厚膜材料的结构,从而有效提高材料储能特性。(本文来源于《北京科技大学》期刊2018-12-16）
刘立[3]（2017）在《硅基反铁电厚膜场致相变应变驱动微振镜的设计与制造》一文中研究指出激光通信在传输处理信息方面的优势使其在空间通信领域占据了日益重要的地位,激光通信系统的驱动构件主要有机械式和非机械式。其中,通过机械控制通信系统中的反光镜来达到光束偏转的目的,目前还是实现空间光通信的主要途径。本文针对目前机械式偏转系统不稳定、响应慢、精度不高、体积和重量大的难点,进行了PLZT反铁电厚膜场致相变应变特性的研究,并对由该效应驱动的微振镜进行了设计与制造。首先进行了PLZT厚膜与硅衬底的异质集成制造及其相关研究。研究了Pb过量和引入缓冲层对PLZT厚膜微观结构的影响,得出了在Pb过量10%、并引入100nm缓冲层的情况下,PLZT薄膜具有最为优良的性能。研究了PLZT反铁电膜材料在温度和电场作用下的相变特性,揭示了其在多场耦合作用下的相变应变规律。其次通过COMSOL 5.0仿真分析软件对不同结构参数(长度L、宽度W、厚度T)的桥式结构进行了模态、应力及挠度分析。揭示了反铁电微振镜结构在电场驱动作用下的应变、驱动位移、频率响应、光束偏转角度参数等之间的关系,并设计了加工工艺流程。最后通过溶胶凝胶技术及多步退火法,在4英寸Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了3μm的PLZT厚膜。研究了PLZT厚膜湿法腐蚀性、硅基底湿/干法刻蚀性,并进行了桥结构微振镜器件的加工制造。通过MEMS微加工技术,包含光刻技术、湿(干)法刻蚀、薄膜沉积技术、剥离等微加工工艺进行了微振镜器件的制造,实现了PLZT功能厚膜材料与硅基微加工技术的结合。搭建了测试平台,对器件挠度进行了测试,经过计算获得了微振镜桥结构的最大偏转角度745.8μrad,达到了光束偏转器件对于角度偏转的要求。(本文来源于《中北大学》期刊2017-05-31）
张利文,宋波,韩菲[4]（2016）在《锆钛比对锆钛酸铅镧反铁电厚膜结构和储能行为的影响》一文中研究指出采用溶胶-凝胶法在LaNiO_3/Si(100)底电极上成功制备了Zr/Ti摩尔比不同的Pb_(0.88)La_(0.08)(Zr)xTi_(1-x))O_3(x=0.30,0.55,0.80)的厚膜,研究了Zr/Ti摩尔比对PLZT反铁电厚膜的结构与储能行为的影响。结果表明:Zr/Ti摩尔比对PLZT反铁电厚膜的结构无太大影响;随着锆钛比中锆含量的增加,储能密度和储能效率呈现逐渐增加的趋势,其中PLZT(8/80/20)厚膜在电场强度为1400kV/cm时储能密度达到最大,为23.8J/cm~3,储能效率高达60.0%。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2016年10期）
蔡志宏[5]（2016）在《掺镧锆钛酸铅铁电厚膜陶瓷的电卡效应研究》一文中研究指出制冷技术在当今的人类活动中有着极其广泛的应用。一百多年以来,蒸汽压缩技术作为主流制冷技术对推动人类文明发展发挥了巨大的作用。但是,由于压缩机工作时诸如摩擦、泄漏、有害传热等因素的存在,压缩机实际工作效率难以达到卡诺循环效率的50%,并且压缩机所用的冷媒为氟利昂或氯氟烃,这些气体易泄漏破坏臭氧层,弱化臭氧层对紫外线的过滤作用,不仅会引起全球性的温室效应,还会增加人类皮肤癌的发病几率,威胁人类的公共健康。随着能源、环保问题的日益突出,使蒸汽压缩技术面临严峻挑战,亟需探索一种高效、环保的制冷技术。本论文以有望取代蒸汽压缩制冷的铁电材料电卡效应制冷为研究对象,选取铁电材料中较为典型的掺镧锆钛酸铅(PLZT)陶瓷,研究其陶瓷厚膜中的电卡效应。电卡效应是指在极性电介质材料中由于外电场的改变引起的极化状态改变而产生的绝热温变和等温熵变。在掺杂改性的PZT陶瓷中,镧异价取代铅获得PLZT陶瓷,使得具有优异的介电、压电、热释电和电光性能,电导率和相变温度可以通过变化组分或添加杂质的方式加以调整,是一种理想的电卡材料。采用厚膜工艺制备的铁电电卡器件可以承受大的电场而不被击穿,同时厚膜器件具有工作电压低、使用频率范围宽的优点,能够与半导体集成电路工艺相兼容,有望产生优异的电卡效应。本文利用PbO、La2O3、ZrO2口Ti02等氧化物在高温下固相合成PLZT粉体,再通过流延成型工艺制成生坯膜并在合适的条件下进行烧结制备陶瓷,如何减小流延过程中浆料的气泡浓度以及制备厚度更小的坯膜是本文研究的一个重点。在此过程中,通过x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等分析表征手段来监测样品中相的组成演变、陶瓷致密度与晶粒大小的变化以及晶界结构、晶界夹杂物等。随后利用介温测试装置、铁电测试系统对样品进行了电性能测试,得到了介电温谱、介电损耗、电滞回线结果,并得到PLZT8/65/35的电卡效应值,结果表明该材料有着优良的电卡效应(室温293K下,△S=1.08J/(kg·K),△T=0.96K)。本文最后通过制备PLZT11/70/30和PLZT7/82/18铁电陶瓷厚膜,并进行相关性能测试,进一步探索弛豫型铁电体和反铁电体的相变机制和电卡效应,结果表明PLZT11/70/30在423K的温度下ΔT=2.21K,而PLZT7/82/18在414K下ΔT=1.04K。为了寻求最佳的烧结曲线,本文以冷等静压压力、烧结温度、保温时间为变量设计了不同的烧结方案,探索了提高PLZT厚膜陶瓷致密度的工艺参数。利用SEM等测试手段,对不同方案的成品进行比较,结果表明进行冷等静压预处理、提高烧结温度、延长烧结时间等都是获得有高致密度PLZT陶瓷有效的方法。致密性良好的陶瓷成品能减小漏电流的影响,提高其铁电性能。(本文来源于《广东工业大学》期刊2016-06-01）
安坤[6]（2015）在《光束偏转反铁电厚膜微驱动构件及控制方法研究》一文中研究指出针对国内外激光通信光束偏转微驱动构件所存在的体积大、功耗高、迟滞大、响应速度慢、控制精度低及控制方法复杂的技术瓶颈问题,开展了基于反铁电厚膜材料优异特性的激光光束偏转微驱动构件及控制方法的基础研究。利用硅基反铁电材料的相变应变效应、相变前近线性效应和快速开关特性,实现前沿功能材料与微纳器件的兼容制造,提出激光通信系统光束偏转构件集驱动/光偏转功能一体化设计及其控制方法研究。论文从材料科学与MEMS光器件应用相衔接的角度出发,提出缓冲层晶格匹配设计和多步退火界面应力释放方法,实现大面积(Pb,La)(Zr,Ti)O3(简称PLZT)硅微反铁电功能厚膜异质集成制造;结合微纳兼容制造关键技术,研制具有小尺寸、响应速度快、迟滞小和控制精度高的PLZT反铁电厚膜微镜驱动构件,揭示其在电场作用下的结构相变调控规律及相应的相变应变效应影响机制;将PLZT反铁电厚膜微镜驱动构件作为控制对象,设计可行的控制方案并建立闭环模型进行有效性的成功验证。这些都为微小型、小滞后、高精度控制激光通信系统光束偏转微驱动构件的设计和开发提供理论依据和实用构件支持。主要研究内容和成果陈述如下:(1)研究溶胶-凝胶工艺诱导生长与硅衬底晶格高度匹配的(100)择优取向铅基铁电/反铁电功能介质厚膜(3μm),提出多步退火晶粒尺度控制的界面应力释放技术,实现大面积均匀致密(表面粗糙度<3nm)功能介质厚膜的晶圆级异质集成;揭示在电场作用下的相变调控规律,分析电场调控下硅基反铁电厚膜材料的相变行为特性和场致应变效应。(2)研究干法刻蚀、湿法刻蚀和反溅射复合工艺技术实现了电介质厚膜与电极层的图形化加工制造,结合硅微MEMS加工技术,解决了基于功能转换介质厚膜的硅微基础结构异质兼容制造出体积小、响应时间短、控制精度高的PLZT反铁电厚膜微镜构件。(3)测试分析微镜驱动状态(如谐振频率、挠度和偏转角度等)与其设计结构、激励电场信号、反铁电厚膜致动单元分布状态等因素之间的关系,揭示电场调控反铁电厚膜硅微镜构件应变规律、驱动能力、偏转角度及频响之间的依赖关系等。(4)根据PLZT微镜的非线性迟滞特性,建立了前馈逆补偿和复合控制方案。实验结果表明,基于PID反馈控制与Preisach逆补偿的前馈相结合的复合控制具有线性度更好的输入输出关系,能够更好的满足PLZT微镜的精跟踪控制要求。综上所述,从理论和实现角度均验证了论文所提出的光束偏转微驱动构件,具备微型化(μm3级)、响应速度快(百纳秒级)、功耗低(十伏级)和控制精度高(μrad级)等高性能指标。(本文来源于《中北大学》期刊2015-11-10）
安坤,陈东红,何剑,丑修建,薛晨阳[7]（2015）在《铅基(Pb,La)(Zr,Ti)O_3反铁电厚膜微驱动结构的特性测试》一文中研究指出采用金属醇盐为前驱体的溶胶-凝胶工艺,实现了PLZT反铁电厚膜晶圆级的制备。基于铅锆反铁电材料的相变应变效应和快速响应特性,结合微纳兼容制造关键技术,研制出具有大应变、快响应、低驱动特性的硅基(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜微悬臂梁构件。3种激励模式的测试结果表明,定频模式下梁的最大位移和速率相对于扫频模式下高出数倍,且定频模式(Square)更有利于激发反铁电材料相变,使得微悬臂梁驱动构件产生更大的应变和更快的响应速度,为大行程驱动位移和快速响应新型微执行构件的设计提供一种新的技术途径。(本文来源于《功能材料》期刊2015年19期）
赵烨[8]（2015）在《基于电卡效应反铁电厚膜致冷行为的基础研究》一文中研究指出随着现代工业的飞速发展，微电子器件逐渐向集成化、小型化、轻量化和多功能化的趋势发展，导致器件温度急剧上升，严重影响器件的性能和工作寿命。因此，散热技术已经成为制约微电子器件继续微型化发展的障碍。传统的压缩致冷不能满足微电子系统局部致冷的要求，且会污染环境。基于以上事实，探索利用电卡效应的致冷技术及其器件化具有重要的意义。PbZrO3是一种典型的反铁电体，在外场的作用下，发生反铁电-铁电及反铁电-顺电相变，相变过程中会引起巨大的熵变，从而产生巨大的电卡效应。本文中采用sol-gel技术制备PbZrO3基反铁电厚膜材料，并对其电卡效应致冷行为进行深入研究。首先，采用PVP改性的sol-gel技术制备(Pb0.97La0.02)(Zr0.75Sn0.18Ti0.07)O3反铁电厚膜，并对其显微结构、介电性能、致冷行为和漏电流性能进行深入研究。900kV/cm电场下，厚膜在5℃时获得最大的电卡效应温度变化为53.8℃，熵变为63.9J·K-1·kg-1。其次，研究组分掺杂和组分梯度结构对反铁电厚膜显微结构、介电性能、致冷行为和漏电流性能的影响。研究表明：(Pb1-3x/2Lax)(Zr0.85Ti0.15)O3厚膜的饱和极化强度、介电常数、居里温度和漏电流密度随着La含量的增加逐渐降低，当La=8mol%时，厚膜在990kV/cm电场下获得最大的电卡效应， T=25.0℃；当Ti含量恒定，随着Zr/Sn摩尔比的增加，(Pb0.97La0.02)(Zr1-xSnxTi0.05)O3厚膜的饱和极化强度，居里温度和漏电流密度增大，当Zr/Sn摩尔比为75/20时，即位于准同型相界附近的厚膜在室温900kV/cm电场下获得最大电卡效应， T=33.0℃；与单组分厚膜相比，(Pb1-3x/2Lax)(Zr0.85Ti0.15)O3组分梯度结构厚膜具有更优的介电性能和致冷行为，且上梯度厚膜在室温900kV/cm电场时具有最大电卡效应为T=28.2℃。最后，研究了不同种类氧化物缓冲层和生长取向对(Pb0.97La0.02)(Zr1-xSnxTi0.05)O3反铁电厚膜显微结构及性能的影响。结果表明：引入氧化物缓冲层后，该体系厚膜的极化强度、介电常数和电卡效应均有不同程度的提高，其中，引入ZrO2缓冲层的(Pb0.97La0.02)(Zr0.57Sn0.38Ti0.05)O3反铁电厚膜在室温900kV/cm电场下获得最大的电卡效应， T=37.1℃；(Pb0.97La0.02)(Zr0.73Sn0.22Ti0.05)O3反铁电厚膜的介电性能和致冷行为具有明显的各向异性，(111)取向的厚膜在室温900kV/cm电场下具有最大的电卡效应， T=28.1℃。(本文来源于《内蒙古科技大学》期刊2015-06-05）
汪竞阳,章天金,屈少华[9]（2015）在《Yb~(3+)/Tm~(3+)共掺杂BST铁电厚膜的制备及其上转换发光》一文中研究指出利用丝网印刷工艺制备出稀土Yb3+/Tm3+共掺杂的Ba0.8Sr0.2TiO3铁电陶瓷厚膜,利用XRD、SEM、EDS、Raman和荧光光谱仪研究了稀土掺杂对厚膜微结构和发光性能的影响。实验发现,在低掺杂量时Yb3+、Tm3+离子在BST晶格中首先替代B位离子,高掺杂量时则同时占据A位和B位离子。掺杂后的厚膜仍表现为典型的铁电四方相结构。在800nm近红外激光激发下,共掺杂的BST厚膜中的Tm3+离子通过Yb3+离子的敏化作用在468与533nm处实现了间接上转换蓝色与绿色荧光输出,分别对应于Tm3+离子的1 G4→3 H6跃迁和1 D2→3F4跃迁。468nm蓝色荧光强度随着Yb3+、Tm3+离子比的增加先增强后减弱,在Yb3+、Tm3+离子共掺比为2∶1达到最大,并对上转换发光的机理进行了分析。(本文来源于《功能材料》期刊2015年03期）
张利文,宋波[10]（2015）在《Pb_(0.88)La_(0.08)(Zr_xTi_(1–x))O_3铁电厚膜介电与储能性能研究》一文中研究指出采用溶胶-凝胶法在La Ni O3/Si(100)底电极上成功制备了厚度为1μm的Pb0.88La0.08(Zrx Ti1–x)O3(PLZT,x=0.30,0.55,0.80)铁电厚膜。研究了不同Zr/Ti比对PLZT铁电厚膜的介电与储能性能的影响。结果表明,随着PLZT中Zr含量的增加,厚膜材料的储能密度与储能效率均增大,Pb0.88La0.08(Zr0.8Ti0.2)O3厚膜在1 400×103V/cm的储能密度为23.8 J/cm3,储能效率为60%。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2015年01期）
铁电厚膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
锆钛酸铅镧(简称PLZT)是一类典型的钙钛矿结构(AB03)反铁电材料,具有特殊的晶体结构,在电场、温度场及压力场等外场诱导作用下发生相变效应,在相变过程中,伴随着显着的介电常数、极化强度和电流的变化,同时能量得到存储和释放。同时,其本身的钙钛矿结构使其具有良好的结构可调性,有望在高储能密度电容器中得到应用。因此本论文主要对PLZT厚膜的制备及其储能行为进行了研究,旨在为这类材料在实际中的应用提供实验基础与理论指导。本文采用溶胶-凝胶法在LaNi03/Si(100)基底上成功制备了 PLZT反铁电厚膜材料。采用X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)对制得的样品进行相结构和微观显微结构分析;采用精密LCR数字电桥和铁电综合测试仪对反铁电厚膜的介电性能与反铁电性能(P-E)等宏观电性能进行测量,按照韦伯分布计算样品的击穿场强(BDS),同时根据P-E测试图得到反铁电厚膜的储能密度及储能效率。同时,采用“两步热处理和一步结晶退火”的方法,通过对(Pbl-3x/2Lax)(ZryTi1-y)O3反铁电厚膜的制备工艺进行优化。研究发现,制备PLZT反铁电厚膜的最佳工艺为:热处理温度T1为350℃、热处理温度T2为600℃,晶化温度T为700℃制备得到的反铁电厚膜材料的储能性能最优;对于PVP改性的溶胶-凝胶法,制备(Pb1-3x/2Lax)(ZryTil-y)O3反铁电厚膜的最佳工艺为:热处理温度T1为300℃,热处理温度T2为700℃,晶化温度T为700℃制备得到的反铁电厚膜材料的储能性能最优。在此基础上,研究了厚度及组分梯度对PLZT厚膜的介电性能和储能行为的影响,研究表明:厚度的变化对PLZT反铁电厚膜的性能具有显着的影响,随着膜厚度的增加,反铁电厚膜的击穿电场降低,而介电常数随着膜厚度的增加而增大;组分梯度对PLZT厚膜的宏观性能有较大的影响,组分梯度厚膜与单组分膜相比,上梯度厚膜具有更优的储能密度,高达12.4J/cm3,比单组分厚膜高出75%。因此,可以通过控制组分梯度来改变反铁电厚膜的储能行为。系统探究了组分变化对Pbl-3x/2Lax(Zr,Sn,Ti)O3体系厚膜结构及储能行为的影响,结果表明:La3+离子含量对该体系厚膜的生长过程及相变行为具有重要影响,随着La3+离子含量的增加,PLZT逐渐表现为与底电极相同的(100)晶面择优生长,由于La3+离子的加入使厚膜晶体结构发生了改变,实现了四方反铁电相-菱方铁电相-立方顺电相的连续变化;通过合理控制厚膜中Zr/Ti、Zr/Sn及Sn/Ti比可以实现该体系厚膜反铁电-铁电相变过程的连续可调。室温下反铁电态较为稳定的厚膜,在温度诱导相变过程中通过适当的外加电场调控,可以观察到反铁电-铁电-顺电相连续相变过程;而当室温时厚膜反铁电性较弱时,则只能观察到反铁电-顺电相变过程。为了探究离子掺杂对PLZT厚膜结构及储能行为的影响,我们通过Mn4+的掺杂实现了该体系反铁电厚膜有效储能密度及能量转化效率的提高,反铁电性得到进一步稳定,有望在高能存储领域得到应用。在锰含量为1%mol时,PLZT厚膜的各种性能达到最佳,其临界击穿场强为1678.5kV/cm,储能密度为30.8 J/cm3,储能效率达到69.6%。最后,探究了氧化物缓冲层及Zr02覆盖氧化物层厚度对PLZT厚膜的介电性能和储能行为的影响。结果表明:氧化物缓冲层的加入对PLZT反铁电厚膜结构及取向有着重要影响,使反铁电厚膜材料变的更加致密、均匀,颗粒尺度增大,介电性能得到显着改善。尤其,ZnO缓冲层的引入对储能效率的提高尤为突出。但是,Zr02覆盖层厚度的增加,虽然晶粒粒径增大,但对储能密度的影响较小,储能效率降低。通过上述结果表明,通过选择合理的缓冲层能够有效改善厚膜材料的结构,从而有效提高材料储能特性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
铁电厚膜论文参考文献
[1].娄菁,王军,马华,屈绍波.基于谐振耦合和人工表面等离激元的可调控频率选择铁电厚膜移相器[J].电子元件与材料.2019
[2].张利文.锆钛酸铅镧反铁电厚膜的制备及储能行为研究[D].北京科技大学.2018
[3].刘立.硅基反铁电厚膜场致相变应变驱动微振镜的设计与制造[D].中北大学.2017
[4].张利文,宋波,韩菲.锆钛比对锆钛酸铅镧反铁电厚膜结构和储能行为的影响[J].稀有金属材料与工程.2016
[5].蔡志宏.掺镧锆钛酸铅铁电厚膜陶瓷的电卡效应研究[D].广东工业大学.2016
[6].安坤.光束偏转反铁电厚膜微驱动构件及控制方法研究[D].中北大学.2015
[7].安坤,陈东红,何剑,丑修建,薛晨阳.铅基(Pb,La)(Zr,Ti)O_3反铁电厚膜微驱动结构的特性测试[J].功能材料.2015
[8].赵烨.基于电卡效应反铁电厚膜致冷行为的基础研究[D].内蒙古科技大学.2015
[9].汪竞阳,章天金,屈少华.Yb~(3+)/Tm~(3+)共掺杂BST铁电厚膜的制备及其上转换发光[J].功能材料.2015
[10].张利文,宋波.Pb_(0.88)La_(0.08)(Zr_xTi_(1–x))O_3铁电厚膜介电与储能性能研究[J].电子元件与材料.2015