导读:本文包含了有机半导体薄膜器件论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:有机半导体,薄膜,光电性质
有机半导体薄膜器件论文文献综述
钟志有,朱雅,陈首部,陆轴[1]（2018）在《光电器件中有机半导体薄膜的光学和电学性质研究（英文）》一文中研究指出采用真空热蒸发制备了AlQ,BAlQ和NPB有机半导体薄膜样品,探讨了薄膜的透射、吸收和光学性质.制备了有机薄膜样品的夹心结构器件,研究了其电流-电压特性.结果表明:有机薄膜的透明性能良好,AlQ和BAlQ具有几乎相同的直接光学能隙(4.46 eV),大于NPB的能隙值(3.11 eV). AlQ,BAlQ和NPB内部自由载流子浓度具有相同的数量级(1022m~(-3),但NPB具有最高的零电场迁移率(1.75×10~(-8)cm~2(V~(-1)·s~(-1))和电导率(1.45×10~(-10)S·cm~(-1)).(本文来源于《中南民族大学学报(自然科学版)》期刊2018年04期）
钱妍,张新稳,齐殿鹏,解令海,Bevita,K.Chandran[2]（2016）在《超柔性薄膜有机半导体器件:从柔性到超柔性（英文）》一文中研究指出柔性薄膜有机半导体器件由于其轻便、柔性、有机半导体的可重复制备及易于进行功能性调节、以及低成本、大面积溶液加工等特性而受到广泛关注.其中,弯曲半径不超过1 mm的超柔性电子对可折迭/便携设备、可穿戴设备、表皮及植入式电子设备、叁维表面贴合型器件以及仿生学等领域的发展至关重要.本综述首先简要介绍了从柔性到超柔性电子的发展史以及超柔性有机器件的设计.接着,聚焦于超柔性的有机场效应管、有机发光二极管、有机太阳能电池以及有机存储器等有机半导体功能器件领域的最新进展进行了总结评述.(本文来源于《Science China Materials》期刊2016年07期）
徐佳佳[3]（2015）在《适用于有机半导体薄膜器件制备的原位实时测量技术研究》一文中研究指出近年来,有机半导体的研究和应用得到了飞速的发展,形成了跨物理学、化学、电子学和材料学等多学科的研究领域,在光电子、微电子、太阳电池、通信等各方面引起了广泛地关注。据研究表明,有机薄膜的结构、厚度及膜层之间相互作用等是影响器件性能的重要因素。因此,本文基于有机场效应管法和差分反射光谱理论提出了在线光电测试的基本方法,搭建了原位实时光电测试系统,实现有机薄膜在生长过程中的原位实时监测,进而研究有机薄膜的光谱信息、电学特性与薄膜结构之间的互相对应关系。既有助于对导电层形成过程的理解,也有助于原位监测有机器件的制备过程。本文的主要工作内容如下:1、针对原位实时监测有机半导体薄膜生长情况的需求,提出了差分反射光谱法与场效应晶体管法结合的在线光电测量方法,设计搭建了原位实时光电测试系统。设计了LabView软件控制程序,实现了在薄膜生长过程中对其光电信号的原位实时测量、采集和存储。2、以底栅底接触式为基础,设计新的梳齿状样品结构及电学夹持装置。以五苯分子为有源层材料,采用分子束外延方法真空蒸镀有机薄膜场效应管。3、优化在线电学测试系统,并对系统进行性能测试,测量偏差的相对百分比在±0.3%之内,满足实验要求。验证了真空环境下在线电学测试的可行性,实现了有机薄膜场效应管的在线电学测试,并分别测量不同沟道长宽比和不同厚度半导体层的有机场效应管的电学特性,对比分析器件的性能差异。4、分析了薄膜在生长全过程中的DRS谱图,可发现并五苯以薄膜态的结构进行生长,所得实验数据与四相结构模型的仿真结果很好的吻合,说明光谱的变化主要是因为薄膜增厚引起干涉条件改变导致的。对生长过程中不同时刻的薄膜形貌进行了AFM扫描,并将AFM图与相应时刻的光电信号进行对比分析,推测出有机半导体薄膜的光谱信息、电学特性和薄膜结构之间的相互对应关系。(本文来源于《天津大学》期刊2015-12-01）
姚奕帆,江浪,董焕丽,胡文平[4]（2013）在《有机半导体薄膜的有序化及其器件应用》一文中研究指出近些年来,有机薄膜场效应晶体管(OTFTs)得到了快速的发展,但是载流子在薄膜中的传输机理以及如何有效地通过控制有机半导体层的形貌来构筑高性能的有机薄膜晶体管器件仍然是当前研究的难点.本文从有机共轭小分子半导体材料出发概述了通过不同的加工方式来优化和改善其薄膜的有序性,从而进一步提高载流子在半导体层的传输特性及其场效应性能,为制备高性能的有机半导体薄膜器件提供了新的视角和途径.(本文来源于《科学通报》期刊2013年18期）
蔡晓舟[5]（2013）在《几种有机半导体薄膜及单晶器件的探索与研究》一文中研究指出随着现代电子信息技术的发展，以半导体器件为基础的电子电路已不再满足于使用传统无机材料进行制备，大量新型有机半导体材料的出现使得半导体器件的发展进入了一个新的时代。由于大部分有机半导体材料本身具备柔性、高透光性，这使得由其所制备的器件可同样具备相类似的性质，比如制备出柔性电路或是具有更高透光度的感光器件，且由于多数有机半导体材料易于溶解，故可使用较为简便的液相方式进行制备，这极大的丰富了有机电路的应用前景。本文通过选择不同的有机半导体材料，以基本的场效应晶体管模型为基础，尝试制备了几种半导体器件并对其进行了性能优化，通过一系列实验及研究对有机半导体薄膜和单晶器件的基本应用进行了讨论。主要内容为：1.通过对有机薄膜场效应晶体管的绝缘层/半导体层进行不同的修饰，研究并总结出一套可同时用于无机或有机绝缘层界面的单分子层修饰方法。此方法使用了OTS (Octadecyltrichlorosilane)和OTMS (Octadecyltrimethoxysilane)单分子层对绝缘层/半导体层界面接触进行了修饰，使得器件的传输性能得到提高，并能够被用于较常见的绝缘层上，从而为基于该种器件的电子电路性能提升提供参考方案。2.通过对有机半导体单晶BPEA (9,10-bis(phenylethynyl)anthracene)的生长进行研究，得到一种能够控制其原位生长的液相生长方式，并利用该方式与光刻技术相结合，制备了单晶有机单晶场效应晶体管及其他器件。通过这种方式能够在一定程度上实现对有机半导体单晶的生长方向、位置进行控制，使其不再完全杂乱生长排序，且由于方法为液相生长方式，相对气相法而言要更为简单；另外，由于该方式可以与光刻技术进行结合，能够较为方便的在单根单晶上实现反相器、振荡器的制备，甚至理论上还可以进行更为微小的器件制备，这对于制备纳米级有机单晶器件有一定的参考意义。3.以基本的无机FLASH器件结构为基础，尝试制备了基于有机薄膜和单晶的FLASH器件。器件表现出一定的存储性能，并通过尝试改变浮栅状态对器件进行了测试。通过这种尝试实验，为之后研究制备更为复杂的器件和电路打下了基础。(本文来源于《电子科技大学》期刊2013-04-01）
刘举庆[6]（2011）在《石墨烯基导电薄膜及其有机半导体二极管器件的制备与性能研究》一文中研究指出石墨烯具有独特的电学性能、优异的力学性能与机械延展性、良好的热稳定性与化学稳定性,是制备高性能导电薄膜的理想替代者,石墨烯基导电薄膜及其有机半导体光电子器件研究引起了人们广泛的关注.当前制备石墨烯基导电薄膜的主要方法包括真空过滤法、旋涂法、化学气相沉积以及外延生长等,基于石墨烯导电薄膜电极已成功应用于有机太阳能电池、有机电致发光二极管以及场效应管等器件中,取得了一些有意义的研究成果.但是,高性能导电薄膜的低成本制备、机理探索及其在新型有机半导体器件方面的研究依然处于初始阶段,相关基础与应用研究还面临着诸多挑战.本论文介绍了石墨烯薄膜的制备技术及其在有机光电二极管领域的应用,总结了有机/聚合物电存储的实现形式与作用机制,重点设计和制备了新型石墨烯基导电功能薄膜及其有机半导体器件,探索了新型导电薄膜及其半导体器件的作用机制.主要研究内容和结果如下:结合当前各种化学还原氧化石墨烯(reduced graphene oxide, rGO)薄膜制备石墨烯导电薄膜技术的优缺点,首次提出一种低温肼润湿还原GO薄膜的方法.此方法采用肼润湿GO薄膜表面来避免还原剂浸泡过程中薄膜剥离问题,同时利用低温(100°C)处理技术提高润湿肼的还原能力,该温度适合绝大多数柔性聚合物衬底.与此同时,我们又首次引入“有效还原深度”概念来评价肼还原GO厚膜的效果,并探索了薄膜的还原机制.与其它常见的化学还原技术相比,肼润湿rGO薄膜具有低的方块电阻与高电导率,其值分别达到160~500 ?/□和26 S/cm,这主要因为低温肼润湿还原薄膜具有大的“有效还原深度”(1.46μm)和高的C/O (8.04).针对肼润湿还原中存在的“有效还原深度”现象,通过多层迭加还原技术实现了不同厚度GO薄膜的彻底有效还原,达到了rGO薄膜方块电阻的可控制备.利用高温热退火GO薄膜的高效性与剥离转移技术,成功制备了基于柔性PET衬底的高导电透明柔性rGO薄膜.为了研究GO尺寸对rGO薄膜剥离可行性的影响,通过差速离心方法获得了不同尺寸(~1μm与~4μm)的GO.剥离试验表明基于大尺寸GO (~4μm)制备的rGO薄膜更容易剥离.此外, rGO薄膜剥离的效率受刻蚀剂(NaOH)浓度的影响,快速剥离高质量薄膜的优化摩尔浓度约为2M.这种方法制备的柔性rGO薄膜具有出色的光电性能,方块电阻为8000 /□时的透光率达到80% (550 nm).在此基础上,通过大尺寸GO与羧基化单壁碳纳米管(SWNT-COOH)直接共混在室内条件下湿法制备了高透明导电全碳类杂化薄膜,方块电阻为4500 /□时的透光率达到90% (550 nm).所以上述薄膜优良的导电性、高透光性、大面积成膜以及绿色制备使得它们在柔性电子中有着诱人的应用价值.系统分析了rGO薄膜块体的C/O、GO尺寸、薄膜微结构以及有效还原深度等因素与rGO薄膜电导率之间的相互关系,同时研究了GO尺寸、薄膜厚度以及还原方法对rGO薄膜表面形貌的影响.结果显示薄膜的电导率受C/O、GO尺寸、薄膜制备技术及有效还原深度等因素共同影响.当保持GO尺寸、薄膜制备技术以及有效还原深度叁个因素相同时,薄膜的电导率伴随着C/O的增大而增高,并最终趋向饱和.类似地,保持其它因素不变时通过改变第四个因素研究其对薄膜电导率的影响,发现基于大尺寸GO (~4μm)的rGO薄膜电导率(1.1×10~5 PS/m)约为小尺寸GO (~1μm)时的2倍.同时,制备技术引起的薄膜微结构差异也对电导率有重大影响,石墨烯层层有序迭加结构的薄膜电导率比局部有序迭加结构的薄膜电导率高出一个数量级.此外,由于有效还原深度现象的存在,整体均匀还原rGO薄膜比部分还原薄膜具有更出色的电学性能.形貌研究发现,保持薄膜厚度相同,旋涂制备薄膜时大尺寸GO对应rGO薄膜平整度更小.除了GO尺寸因素外,旋涂制备薄膜表面的平整度还随厚度的增大而粗糙.在还原方法方面,由于热退火技术属于无接触还原,其薄膜表面平整度高.设计和制备了一种结构为rGO/P3HT:PCBM/Al聚合物电存储器件,其中首次将rGO导电薄膜作为电极应用到有机电存储器件中,并首次将体异质结作为功能薄膜用于实现存储功能.该器件的电流电压曲线呈现电学双稳态特性,它具有一次写入多次读取功能.该电存储器件具有高的开关比和低的电转换电压,它们的值取决于rGO导电电极的方块电阻.此外,电流电压的实验与理论拟合数据表明了低导电态时呈现电荷注入限制电流特性,高导电态时呈现欧姆电流特性.这种导电态转变是由于PCBM domain极化引起相邻domains之间局部电场增强所致.除了引用于电存储领域,我们又将湿法制备的GO:SWNT-COOH杂化导电薄膜作为电极应用到有机太阳能电池中,该薄膜的p型半导体性有利于解离空穴的收集.湿法制备的GO:SWNT-COOH/PEDO:PSS/P3HT:PCBM/Al太阳能电池的短路电流与开路电压分别为0.627 mA/cm~2P与0.52 V.调制二极管电流电压曲线可以实现对器件功能的调控,指出了场致电荷转移与肖特基势垒是器件实现迟滞整流功能的策略之一.基于此,设计制备了基于后修饰的聚乙烯基咔唑和CdTe纳米晶杂化为电活性材料的二极管,其中咔唑基和纳米晶分别为电子给体和受体.该设计中利用聚合物纳米晶杂化产生场致电荷转移,利用同一有机半导体与不同金属电极接触的能级差来构筑肖特基势垒.电流电压曲线显示负向电压作用时呈现明显的电导转变及磁滞现象,电导转变前后的开关比为~10~3.此外,器件具有整流功能,其整流比为6,最大整流输出电流约为5×10~(-5)P A.这种非对称性电导转变是场致电荷转移及肖特基势垒共同作用的结果,它不仅可以降低交叉型存储器的误读率,而且CdTe纳米晶的化学搀杂可以实现纳米颗粒在基体中均匀分散,有利于器件长久运行的稳定性.在此基础上,我们分别利用柔性rGO薄膜和GO薄膜充当电极和中间功能层制备了结构为rGO/GO/Al的二极管器件.该器件也具有迟滞与整流效应,其整流比约为3.值得注意是正反扫描时迟滞产生的低阻态在外电场撤除后恢复到初始态,表现出了随机存储特性,拓展了GO薄膜二极管在电存储方面的应用范围.(本文来源于《南京邮电大学》期刊2011-01-04）
路飞平[7]（2007）在《有机半导体薄膜器件中的电荷输运研究》一文中研究指出近年来，有机固体电子器件的研究已经成为一个热点，并取得长足的进展，逐渐应用在现实生活中，但进一步开发稳定性好、寿命长、功耗低的电子器件是现阶段以及今后研究工作的主要目标。相比实验研究取得的巨大成就，人们对有机电子器件工作的物理机理的掌握尚显不足，这严重制约了有机电子器件性能的提高。由于有机半导体器件载流子的输运机理不同于无机半导体器件，所以建立一套适用于有机半导体器件载流子输运机理的理论模型非常的重要。基于此，本论文作了如下工作：1在欧姆注入条件下，推导了以无陷阱有机半导体为功能层的单层单载流子器件的电流—电压的关系，对存在陷阱的情况，数值研究了器件电流随薄膜厚度和相对陷阱深度的变化关系，模拟了器件中电势、电场以及载流子浓度的空间分布，提出了判断电流传导的一种新的判据。对于双极性单层有机器件，在考虑了陷阱以及电场强度对载流子迁移率的影响的基础上，研究了器件的电流方程，解释了在相同的外加电压下，双极性单层器件的电流密度大于单极性单层器件的原因。2对金属电极和有机层界面处的载流子注入模型作了论述，建立了一种新的热电子注入模型，解释了空穴从ITO阳极注入到有机半导体G1-para-Ir(ppy)_3的注入机制。3考虑电流的体限制和注入限制后，研究了在低电场下非欧姆注入时温度对单层有机发光器件的J—V特性、有机层内载流子浓度和电场分布的影响。4对于双层有机发光器件，计算和分析了最优厚度比(d_p／d_n)_(opt)随特征陷阱能量、总陷阱密度和载流子迁移率变化的定量关系。对于有机半导体OO界面处的载流子传输，在Miller-Abrahams理论的基础上，建立了描述有机半导体薄膜界面电荷传输的解析模型。5研究了本征有机半导体薄膜、物理掺杂有机半导体薄膜以及化学掺杂有机半导体薄膜中空穴和电子传输的爱因斯坦关系的扩展。(本文来源于《兰州大学》期刊2007-05-01）
闫东航[8]（2005）在《半晶性有机半导体薄膜形态结构及对有机发光器件老化的影响》一文中研究指出以NPB(N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺)为例,简要综述了本课题组近年来在发光有机半导体薄膜形态结构方面的研究进展.通过差热分析、偏光显微镜、透射电子显微镜、电子衍射、原子力显微镜表征,确认NPB是一类本征半晶性材料.一般的OLED器件采用的是非晶的NPB薄膜.基于等温结晶和表面诱导结晶实验确认,OLED器件可能存在两种热力学老化机制.对于采用非晶衬底的OLED器件,当NPB薄膜厚度小于临界厚度时器件可以稳定工作;对于采用多晶缓冲层衬底的OLED器件,由于表面诱导NPB结晶不存在临界厚度限制,器件容易结晶老化.(本文来源于《分子科学学报》期刊2005年06期）
邱勇[9]（2003）在《有机半导体薄膜与器件》一文中研究指出在过去十年里,通讯技术的空前发展宣告了信息时代的来临。而有机光电子器件以其性能优良、成本低廉、取材广泛、体积轻巧等显着特点正在成为信息时代中越来越受瞩目的焦点。在有机光电子器件中,以有机半导体薄膜为主体的有机功能层是重要的组成部分。在加工工艺上,有机半导体薄膜具有无机薄膜所不具备的一些特点。后者通常采用化学气相沉积、溶胶-凝胶、溅射和电化学等方法制备,而有机薄膜除了上述加(本文来源于《TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2003-09-01）
有机半导体薄膜器件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
柔性薄膜有机半导体器件由于其轻便、柔性、有机半导体的可重复制备及易于进行功能性调节、以及低成本、大面积溶液加工等特性而受到广泛关注.其中,弯曲半径不超过1 mm的超柔性电子对可折迭/便携设备、可穿戴设备、表皮及植入式电子设备、叁维表面贴合型器件以及仿生学等领域的发展至关重要.本综述首先简要介绍了从柔性到超柔性电子的发展史以及超柔性有机器件的设计.接着,聚焦于超柔性的有机场效应管、有机发光二极管、有机太阳能电池以及有机存储器等有机半导体功能器件领域的最新进展进行了总结评述.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
有机半导体薄膜器件论文参考文献
[1].钟志有,朱雅,陈首部,陆轴.光电器件中有机半导体薄膜的光学和电学性质研究（英文）[J].中南民族大学学报(自然科学版).2018
[2].钱妍,张新稳,齐殿鹏,解令海,Bevita,K.Chandran.超柔性薄膜有机半导体器件:从柔性到超柔性（英文）[J].ScienceChinaMaterials.2016
[3].徐佳佳.适用于有机半导体薄膜器件制备的原位实时测量技术研究[D].天津大学.2015
[4].姚奕帆,江浪,董焕丽,胡文平.有机半导体薄膜的有序化及其器件应用[J].科学通报.2013
[5].蔡晓舟.几种有机半导体薄膜及单晶器件的探索与研究[D].电子科技大学.2013
[6].刘举庆.石墨烯基导电薄膜及其有机半导体二极管器件的制备与性能研究[D].南京邮电大学.2011
[7].路飞平.有机半导体薄膜器件中的电荷输运研究[D].兰州大学.2007
[8].闫东航.半晶性有机半导体薄膜形态结构及对有机发光器件老化的影响[J].分子科学学报.2005
[9].邱勇.有机半导体薄膜与器件[C].TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2003