两步氧化法制备β-Ga2O3薄膜

论文摘要

为获得高质量的β-Ga2O3薄膜,对传统的GaN薄膜高温氧化方法进行了优化。我们通过对GaN薄膜分别进行一步或两步高温氧化的方法制备了β-Ga2O3薄膜,并通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱等对制备的样品进行了测试、对比与分析。结果表明,950℃下GaN薄膜无法完全氧化,而直接1 150℃氧化得到的样品并没有明显的晶向。相比之下,通过两步氧化法,GaN薄膜被完全氧化,且得到的β-Ga2O3薄膜具有明显的沿■方向的晶向,样品表面显示出明显的纳米线结构。最佳的氧化时间为在950℃下氧化3 h之后在1 150℃下氧化1 h,此时得到样品的纳米线结构最明显,其纳米线的直径约为30～40 nm。拉曼光谱测试证实了该条件下获得的样品具有较高的晶体质量。通过分析不同样品结构以及形貌特性,我们发现不同温度下的不同氧化模式是导致该结果的主要原因。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 李赜明,余烨,焦腾,胡大强,董鑫,李万程,张源涛,吕元杰,冯志红,张宝林

关键词: 氧化镓,宽禁带半导体,高温氧化工艺

来源: 发光学报 2019年10期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技

专业: 化学,材料科学,无线电电子学

单位: 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室

基金: 国家自然科学基金(61774072,61734001,61674068),吉林省科技发展计划(20170204045GX),国家重点研发计划(2016YFB0401801,2016YFB0400103)资助项目~~

分类号: TB383.1;TN304;O614.371

页码: 1247-1253

总页数: 7

文件大小: 2219K

下载量: 183

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