论文摘要
采用脉冲激光沉积（PLD）法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO（CNTO）。CNTO薄膜分别在室温（RT）与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀。当衬底温度由RT升高至300℃时,CNTO薄膜的粗糙度由0.38nm下降至0.26nm;电阻率由高阻态转变为p型导电态,空穴浓度为4.06×1014/cm3。在300℃下生长的非晶CNTO薄膜表现为明显的p型导电,气敏测试结果进一步佐证了这一结论。此外,非晶CNTO薄膜可见光透过率达80%以上,为宽禁带非晶氧化物半导体,有望向透明显示领域发展。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 程晓涵,吕建国,岳士录,吕容恺,陈凌翔,叶志镇
关键词: 脉冲激光沉积,型导电,非晶氧化物半导体,薄膜,生长温度
来源: 材料科学与工程学报 2019年06期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 材料科学,工业通用技术及设备
单位: 浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室
基金: 国家自然科学基金资助项目(91333203)
分类号: TB383.2
DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.06.004
页码: 876-879
总页数: 4
文件大小: 1012K
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标签：脉冲激光沉积论文; 型导电论文; 非晶氧化物半导体论文; 薄膜论文; 生长温度论文;