论文摘要
采用第一性原理方法研究了二硫化钨/石墨烯异质结的界面结合作用以及电子性质,结果表明在二硫化钨/石墨烯异质结中,其界面相互作用是微弱的范德瓦耳斯力.能带计算结果显示异质结中二硫化钨和石墨烯各自的电子性质得到了保留,同时,由于石墨烯的结合作用,二硫化钨呈现出n型半导体.通过改变界面的层间距可以调控二硫化钼/石墨烯异质结的肖特基势垒类型,层间距增大,肖特基将从p型转变为n型接触.三维电荷密度差分图表明,负电荷聚集在二硫化钨附近,正电荷聚集在石墨烯附近,从而在界面处形成内建电场.肖特基势垒变化与界面电荷流动密切相关,平面平均电荷密度差分图显示,随着层间距逐渐增大,界面电荷转移越来越弱,且空间电荷聚集区位置向石墨烯层方向靠近,导致费米能级向上平移,证实了肖特基势垒随着层间距的增加由p型接触向n型转变.本文的研究结果将为二维范德瓦耳斯场效应管的设计与制作提供指导.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 郭丽娟,胡吉松,马新国,项炬
关键词: 异质结,能带结构,肖特基接触,第一性原理
来源: 物理学报 2019年09期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学,材料科学
单位: 长沙医学院基础医学院,长沙医学院新型药物制剂研发湖南省重点实验室培育基地,湖北工业大学理学院
基金: 湖南省教育厅重点项目和青年项目(批准号:17A024,17B034),新型药物制剂研发湖南省重点实验室培育基地(批准号:2016TP1029),长沙市杰出创新青年培养计划项目(批准号:kq1802024)资助的课题~~
分类号: O641.1;TB33
页码: 221-229
总页数: 9
文件大小: 1884K
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