近零介电常数区超导薄层的Goos-H?nchen位移

近零介电常数区超导薄层的Goos-H?nchen位移

论文摘要

Goos-H?nchen(GH)位移是一种特殊的光学现象,具有广泛的应用.构造材料光学性质的差异对同一结构的GH位移有很大影响.在近零介电常数区,本文比较研究了不同偏振态的光波入射到超导薄层上的GH位移.当以大于临界角的入射角入射时,s偏振光的GH位移始终保持为正值,而p偏振光的GH位移的正负与超导材料的介电常数为零时的波长相关联.当入射光波长大于该波长时,GH位移会出现负值.相关参数对不同偏振态下的GH位移的影响存在较大差异.相对于p偏振光,GH位移在s偏振光入射时随相关参数的变化规律较为简单.超导材料在光子学领域具有广泛的应用,计算结果为基于超导材料的新型光子学器件研究开发提供了参考.

论文目录

  • 1 引 言
  • 2 计算模型
  • 3 结果与讨论
  • 4 结 论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 武继江,高金霞

    关键词: 物理光学,位移,零折射率,超导

    来源: 低温物理学报 2019年03期

    年度: 2019

    分类: 基础科学

    专业: 物理学

    单位: 山东理工大学物理与光电工程学院

    基金: 国家自然科学基金(批准号:11604182)资助的课题

    分类号: O511

    DOI: 10.13380/j.ltpl.2019.03.011

    页码: 218-222

    总页数: 5

    文件大小: 1095K

    下载量: 22

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