导读:本文包含了反应离子束刻蚀论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:衍射效率,反应离子束刻蚀,粗糙度,罗兰光栅
反应离子束刻蚀论文文献综述
谭鑫[1]（2015）在《反应离子束刻蚀工艺制作闪耀罗兰光栅》一文中研究指出相比类矩形槽罗兰光栅,闪耀罗兰光栅的衍射效率较高,更有利于光谱分析仪器的设计与应用,而国内外尚无产品级闪耀罗兰光栅产品.本文通过类矩形槽形及闪耀槽形的衍射效率优化设计及对比,获得了闪耀槽形优化设计结果;利用反应离子束刻蚀设备制作出3块200~450 nm波段、线密度为2 400 gr/mm、口径为Φ63.5 mm的闪耀罗兰光栅,其中光栅2的峰值衍射效率达到了65%@220 nm,较HORIBA Jobin Yvon公司生产的类矩形槽罗兰光栅产品整体衍射效率高25%,与理论衍射效率相当.实验结果表明,本文所采用的反应离子束刻蚀工艺可实现高衍射效率闪耀罗兰光栅制作,且工艺可控、稳定,所制作的闪耀罗兰光栅衍射效率高于国外同类产品.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2015年04期）
李铭,张彬,戴亚平,王韬,范正修[2]（2009）在《多层介质膜光谱调制反射镜的反应离子束刻蚀误差容限》一文中研究指出在千焦拍瓦高功率放大系统设计中,激光脉冲的时空和光谱整形技术一直受到人们的广泛关注。利用反应离子束刻蚀等微纳超精细加工而成的多层电介质结构反射镜可在高功率条件下实现啁啾脉冲的光谱整形。在光谱整形介质结构反射镜的设计与制造中,需要根据要求的反射率来合理提出反应离子束刻蚀误差容限指标。推导出反应离子束刻蚀误差容限的解析表达式。针对神光Ⅱ千焦拍瓦高功率放大系统设计中提出的多层介质光谱调制反射镜,分析了调制结构反射镜各层加工的容许误差,确定了反应离子束刻蚀误差容限指标。研究表明:刻蚀高折射率介质的加工误差容限为35 nm;刻蚀低折射率介质的加工误差容限为62 nm。此外,还从使用需要和加工难易的角度,对刻蚀方案进行了讨论。就加工难易程度而言,优选反应离子束刻蚀方案,且采用刻蚀并残留低折射率介质的方案更容易实现。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2009年05期）
杨卫鹏[3]（2008）在《全息光栅反应离子束刻蚀特性研究》一文中研究指出本文围绕离子束刻蚀衍射光栅的方法,对刻蚀过程中的图形演化展开了理论和实验的研究。主要包括以下几个方面的内容。首先,介绍了离子束刻蚀技术和常见的Kaufman离子源系统,讨论了离子束刻蚀中主要工艺参数,阐述了刻面、开槽和再沉积等离子束刻蚀中出现的常见现象,分析了其产生的机理,提出了解决方法。系统地研究了石英、光刻胶和铬叁种材料在Ar气和CHF_3气体中的刻蚀特性,分析离子能量、束流密度和离子束入射角度对刻蚀速率的影响。介绍了模拟刻蚀过程中图形演化的几种常见的算法。在忽略再沉积效应、刻面效应和二次刻蚀效应的基础上,用线段运动算法建立理想的离子束刻蚀图形演化程序,并验证了程序的可行性。模拟了Ar离子束刻蚀和CHF_3反应离子束刻蚀中的图形演化规律,结果发现用CHF_3反应离子束刻蚀光刻胶光栅能够得到较为陡直的基片槽形。研究了光纤光栅刻蚀中的演化规律,并和实验结果有比较好的吻合。针对CHF_3反应离子束刻蚀中刻蚀占宽比难以控制的问题,提出用离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法,实现对刻蚀槽形占宽比的控制,这种方法对于较大条纹密度的光刻胶光栅掩模有良好的适用性,为光纤光栅位相掩模的离子束刻蚀提供了可行的刻蚀方案。(本文来源于《苏州大学》期刊2008-05-01）
王一鸣,熊瑛,刘刚,田扬超[4]（2005）在《Ar/CHF_3反应离子束刻蚀SiO_2的研究》一文中研究指出介绍了Ar/CHF3反应离子束刻蚀和离子束入射角对图形侧壁陡直度及刻蚀选择比的影响。使用紫外曝光技术在SiO2基片上获得光刻胶掩模图形,采用Ar+CHF3来刻蚀石英基片,调节二者的流量配比,混合后通入离子源。在Ar和CHF3的流量比为1∶2,总压强为2×10-2Pa,离子束流能量为450 eV,束流为80 mA,加速电压220 V~240 V,离子束入射角15°并旋转样品台的情况下,刻蚀20 min后,得到光栅剖面倾角陡直度为80°~90°。同时发现,添加CHF3后,提高了SiO2的刻蚀速率和刻蚀SiO2与光刻胶的选择比,最高可达7∶1。(本文来源于《微细加工技术》期刊2005年03期）
王旭迪,刘颖,洪义麟,徐向东,付绍军[5]（2004）在《反应离子束刻蚀应用于光刻胶灰化技术研究》一文中研究指出以AZ1500光刻胶为例,将氧气作为工作气体的反应离子束刻蚀工艺用于光刻胶图形的灰化处理,以去除经紫外曝光-显影后光栅中的残余光刻胶。研究结果表明灰化速率有随束流密度呈线性增加的趋势。经过反应离子束刻蚀后,光栅槽底残余光刻胶被去除干净,同时线条的宽度变细,在一定程度上达到修正光刻胶光栅线条占空比的目的。用原子力显微镜检测,无光刻胶的K9基片表面在灰化工艺前后其粗糙度无明显变化。该工艺具有良好的可控性,解决了在厚基片上制作大口径衍射光学元件时残余光刻胶的去除问题。(本文来源于《微细加工技术》期刊2004年02期）
成淑英,谈治信,陈绍金,戴乾宪,惠金河[6]（1993）在《RIBE-5型反应离子束刻蚀机》一文中研究指出反应离子束刻蚀技术是近年来发展起来的一种微细加工技术，它利用反应离子束轰击团体表面时发生的溅射效应和化学反应剥离加工工作上的几何图形。具有极高的分辨率，能够控制槽深和槽壁角度，表面应力小。反应离子束刻蚀技术已有效地用于研究和制造大规模和超大规模集成电路，声表面波器件，磁泡存储器，微波器件，集成光路，超导器件，闪烁光栅等。本文叙述了一台ＲＩＢＥ－５型反应离子束刻蚀机的工作原理、结构特点、技术性能和刻蚀工艺实验结果．(本文来源于《真空》期刊1993年01期）
周家槐,杨森祖,吴培亨,张晖[7]（1992）在《铌膜的反应离子束刻蚀》一文中研究指出反应离子束刻蚀(RIE)是制备以铌为上、下电极的SIS结的重要步骤。本方研究了反应气体为CF_4/O_2,阳极和阴极表面材料分别为聚四氟乙烯和石英时的铌及光刻胶的刻蚀情况,测出了氧气含量与铌及光刻胶的刻蚀速率的关系曲线及总溅射气压与铌的刻蚀速率的关系曲线,其结果对制备Nb/Al—AlO/Nb SIS隧道结有一定的参考价值。(本文来源于《南京大学学报(自然科学版)》期刊1992年02期）
傅新定,方红丽,陈国明,邹世昌[8]（1989）在《反应离子束刻蚀闪耀光栅技术》一文中研究指出一、引言反应离子束刻蚀是在离子束刻蚀基础上发展起来的具有广泛应用前景的微细加工技术.近年来,已被用来制作全息闪耀光栅.二、实用全息闪耀光栅反应离子束刻蚀全息闪耀光栅制造工艺请参阅文献[2],在石英基板上涂美国Shipley公司AZ1350胶的感光灵敏度峰值为260nm处,并随波长增长而感光灵敏度降低.现有氦镉激光器产生的441.6nm波长或氩离子激光器产生的457.9nm波长均可使用,但较理想的是325nm或更短的接近峰值波长.刻蚀装置采用冶金所自制的反应离子束刻蚀镀膜装置.选择合适的刻蚀工艺参数,在涂有浮雕光栅掩膜条纹的石英上进行反应离子束刻蚀,已刻蚀出国内第一批实用石英全息闪耀光栅,光栅面积为45×45mm~2,空间频率为1200l/mm.经测试:一级衍射效率为75%,一级波面象差λ/8,杂散光2.5×10~(-7),无鬼线,分辨率达理论值87%.所选择的刻蚀工艺稳定重复,成品率高.(本文来源于《应用科学学报》期刊1989年03期）
沈荣桂,金国良,陈益新[9]（1989）在《CF_4反应离子束刻蚀在微细加工中的应用》一文中研究指出随着半导体集成电路的超大规模化和集成光学领域科研工作的进展,微细图形的线条宽度已进入亚微米数量级.由于衍射的限制,传统的光刻工艺不能满足要求,同时,由于钻蚀现象,湿法化学刻蚀也不能适应微细图形的加工.人们借助于电子束曝光和离子束刻蚀,以获得高分辨率的图形.反应离子束刻蚀RIBE(Reactive Ion Beam Etchins)是一项很有潜力的微细加工技术,它具有刻蚀速率快,选择性好,分辨率高,无钻蚀和表面损伤小等优点.本文报道CF_4反应离子束刻蚀带有电子束抗蚀剂PMMA 掩模的SiO_2的一些实验结果.(本文来源于《上海交通大学学报》期刊1989年02期）
董谦[10]（1987）在《用于反应离子束刻蚀的离子源》一文中研究指出本文介绍了几种在超大规模集成电路制造中,采用反应离子束刻蚀(RIBE)时所用的离子源。阐述了这些离子源的工作原理、设计参数和一些工艺试验结果,并比较了各种离子源的性能。(本文来源于《真空电子技术》期刊1987年06期）
反应离子束刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在千焦拍瓦高功率放大系统设计中,激光脉冲的时空和光谱整形技术一直受到人们的广泛关注。利用反应离子束刻蚀等微纳超精细加工而成的多层电介质结构反射镜可在高功率条件下实现啁啾脉冲的光谱整形。在光谱整形介质结构反射镜的设计与制造中,需要根据要求的反射率来合理提出反应离子束刻蚀误差容限指标。推导出反应离子束刻蚀误差容限的解析表达式。针对神光Ⅱ千焦拍瓦高功率放大系统设计中提出的多层介质光谱调制反射镜,分析了调制结构反射镜各层加工的容许误差,确定了反应离子束刻蚀误差容限指标。研究表明:刻蚀高折射率介质的加工误差容限为35 nm;刻蚀低折射率介质的加工误差容限为62 nm。此外,还从使用需要和加工难易的角度,对刻蚀方案进行了讨论。就加工难易程度而言,优选反应离子束刻蚀方案,且采用刻蚀并残留低折射率介质的方案更容易实现。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
反应离子束刻蚀论文参考文献
[1].谭鑫.反应离子束刻蚀工艺制作闪耀罗兰光栅[J].纳米技术与精密工程.2015
[2].李铭,张彬,戴亚平,王韬,范正修.多层介质膜光谱调制反射镜的反应离子束刻蚀误差容限[J].强激光与粒子束.2009
[3].杨卫鹏.全息光栅反应离子束刻蚀特性研究[D].苏州大学.2008
[4].王一鸣,熊瑛,刘刚,田扬超.Ar/CHF_3反应离子束刻蚀SiO_2的研究[J].微细加工技术.2005
[5].王旭迪,刘颖,洪义麟,徐向东,付绍军.反应离子束刻蚀应用于光刻胶灰化技术研究[J].微细加工技术.2004
[6].成淑英,谈治信,陈绍金,戴乾宪,惠金河.RIBE-5型反应离子束刻蚀机[J].真空.1993
[7].周家槐,杨森祖,吴培亨,张晖.铌膜的反应离子束刻蚀[J].南京大学学报(自然科学版).1992
[8].傅新定,方红丽,陈国明,邹世昌.反应离子束刻蚀闪耀光栅技术[J].应用科学学报.1989
[9].沈荣桂,金国良,陈益新.CF_4反应离子束刻蚀在微细加工中的应用[J].上海交通大学学报.1989
[10].董谦.用于反应离子束刻蚀的离子源[J].真空电子技术.1987