导读:本文包含了上变频放大组件论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:混频器,组件,滤波器,论文。
上变频放大组件论文文献综述
赵世巍[1]（2003）在《LMDS上变频放大及接收组件的研制》一文中研究指出本论文所研究的课题是信息产业部电子十叁所预研项目“‘LMDS’毫米波前端”的一部分。其要求是将Ka频段30GHz信号通过上变频及功率放大器获得35GHz，14dBm的射频输出。无源电路部分，我们首先对传输线的种类，耦合微带线的传输特性和微带－波导过渡的基本原理进行了分析。然后介绍了混频器的基本原理，设计了镜像抑制混频器和上变频器放大电路，镜像抑制混频器是利用两个单平衡混频器的相位差对镜频进行抑制，其中四个混频二极管采用Alphar公司DMK -2606型。利用senerade8.0和ADS软件仿真建立仿真模型，以此进行了设计和制作，并对仿真和测试进行了比较和分析。在上变频功放组件中，上变频器采用hittle公司HMC329芯片制作。我们设计和制作了Ka频段的两个滤波器，一个是直接耦合短截线带通滤波器，另一个是平行耦合滤波器。并把电路仿真和场的仿真以及测试结果进行比较和分析。在有源电路部分，为了满足产品指标输出射频信号不低于10dBm的要求，采用了hittle公司HMC283芯片，实现了有效的变频增益。最后，根据上面的仿真和设计结果设计和制作了毫米波频段上变频放大组件。该组件由五个部分组成：功率为10dBm信号经过波导——微带过渡，然后混频，滤波将30GHz提高到35GHz滤除不需要的谐波镜频以及叁阶交调信号，为了弥补混频滤波的变频损耗，加一级功率放大器，此放大器采用hittle公司HMC283芯片，此上变频放大组件完成了上变频﹑滤波﹑放大功能。最终，输出频率为35GHz，功率为14dBm。经过实际测试，上变频放大组件能够满足LMDS毫米波前端的各项指标性能，并且具有成本低﹑可靠性高等特点。作为发射电路的关键部件，它将决定和提高发射系统的整体性能。(本文来源于《电子科技大学》期刊2003-02-01）
上变频放大组件论文开题报告
上变频放大组件论文参考文献
[1].赵世巍.LMDS上变频放大及接收组件的研制[D].电子科技大学.2003
论文知识图
