衬底温度对共溅射法制备TZO薄膜光电性能的影响

论文摘要

以金属Ti和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备Ti掺杂ZnO（TZO）透明导电薄膜,探究了衬底温度对薄膜光电性能的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪对薄膜微观形貌、结构及光电性能进行了表征和分析。结果表明:制备的TZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,衬底温度为350℃时TZO薄膜结晶质量最好,电阻率最小,为2.78×10-3Ω·cm,品质因子最高,达到334.1S/cm。所有薄膜样品在波长380～780nm区间平均透过率大于91%,随着衬底温度的升高,TZO薄膜的吸收边出现了蓝移。

论文目录

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 何双赐,钟志成,魏彦锋,汪竞阳,张旭明

关键词: 薄膜,共溅射,衬底温度,光电性能

来源: 化工新型材料 2019年01期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,基础科学,工程科技Ⅱ辑

专业: 物理学,工业通用技术及设备

单位: 湖北文理学院物理与电子工程学院,武汉科技大学材料与冶金学院

基金: 国家自然科学基金(51302075,61302004),湖北省自然科学基金重点项目(ZRZ2015000203)

分类号: O484

页码: 108-111

总页数: 4

文件大小: 221K

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