M-(Sm, Pr, Ga)掺杂TiO2带隙及电子结构的第一原理研究(英文)

M-(Sm, Pr, Ga)掺杂TiO2带隙及电子结构的第一原理研究(英文)

论文摘要

采用密度泛函理论对M-(Sm、Pr、Ga)掺杂锐钛矿型TiO2能带和电子性质进行了系统的理论研究.计算结果表明,通过Sm和Pr的掺杂可以降低TiO2的带隙进而使其产生吸收边红移,通过Ga的掺杂能使带隙稍增加.这主要是由于Sm和Pr的掺杂使Sm和Pr上的4f层电子与原子相邻O原子上的2p层电子相互作用,形成的杂质能级影响了Ti-O的能带结构,从而降低带隙,提高TiO2的可见光吸收性能.

论文目录

  • 1 Introduction
  • 2 Computational methods
  • 3 Results and discussion
  •   3.1 Optimized structures and electronic properties
  •   3.2 Band structure and DOS
  • 4 Conclusions
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 房玉真,孔祥晋,刘军海,崔守鑫,王东亭

    关键词: 带隙,电子性质,掺杂型锐钛矿,第一原理

    来源: 原子与分子物理学报 2019年01期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

    专业: 无机化工

    单位: 聊城大学化学化工学院,聊城大学物理科学与信息工程学院

    基金: 山东省自然科学基金(ZR2015PB015),国家自然科学基金(21406103)

    分类号: TQ134.11

    页码: 109-115

    总页数: 7

    文件大小: 1301K

    下载量: 86

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