InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究

InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究

论文摘要

报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为62 mA时,激光器单模工作情况下的最大边模抑制比(SMSR)为29.8dB,在其他电流条件下该器件的边模抑制比也都大于20dB。激光器在单模工作时,器件最大输出功率(单面)达到12.5mW。对于具有相同结构和材料的FP腔激光器来说,在不同条宽或腔长的器件中都观察到上述单模工作特性。这一特性在一些单频激光的应用系统中具有较大的应用价值。

论文目录

  • 1 引言
  • 2 材料生长和器件制备
  • 3 结果与讨论
  • 4 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 汤瑜,曹春芳,赵旭熠,杨锦,李金友,龚谦,王海龙

    关键词: 激光器,量子阱激光器,法布里珀罗腔,单模,边模抑制比

    来源: 激光与光电子学进展 2019年13期

    年度: 2019

    分类: 信息科技,基础科学

    专业: 物理学,无线电电子学

    单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院大学,曲阜师范大学物理工程学院山东省激光偏光与信息技术重点实验室

    基金: 国家自然科学基金(61674096)

    分类号: TN248.4

    页码: 180-184

    总页数: 5

    文件大小: 386K

    下载量: 271

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