导读:本文包含了光生伏特论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氧化锌薄膜,光生,纳米银颗粒,ZnO
光生伏特论文文献综述
赵嵩卿,周岳亮[1]（2007）在《PLD制备纳米银颗粒掺杂ZnO薄膜的紫外可见激光诱导光生伏特现象》一文中研究指出氧化锌的一个用途是用作光探测器,主要的应用依据是 ZnO 的光电导效应和金属 ZnO 的肖特基接触势特性。Y．LU 等人在2001年研制出了在5伏的偏压下响应度为1．5 A/W、漏电流为1 nA、上升和下降沿时间为12 ns 和50 ns 的 ZnO 肖特基紫外探测器。(本文来源于《第十四届全国光散射学术会议论文摘要集》期刊2007-10-01）
王燕,云峰,廖显伯,孔光临[2]（1996）在《MPS结构中的光生伏特现象》一文中研究指出报道了金属／多孔硅／单晶硅结构（ＭＰＳ）中光生伏特效应研究的最新结果，给出了该结构的光谱响应曲线，发现该结构在１１００—３５０ｎｍ波长范围具有明显的光谱响应．还测量了开路电压随温度、光照波长及光照强度的变化关系，发现开路电压随温度的降低近似线性增加，其温度系数对于金／多孔硅结构约为２０ｍＶ／Ｋ，对于铝／多孔硅结构约为２８ｍＶ／Ｋ，与单晶硅及非晶硅太阳电池的温度系数相近，但ＭＰＳ结构的开路电压随光强的增加不满足对数关系．结果表明，在ＭＰＳ结构中金属／多孔硅肖特基结对光生伏特效应起了主要作用，而多孔硅／单晶硅异质结的作用是与此相反的(本文来源于《物理学报》期刊1996年10期）
黄颂羽,张亚娣[3]（1995）在《份菁／铝肖特基势垒光生伏特的温度效应》一文中研究指出测定了１６０－３２０Ｋ范围内铝／份菁／银有机太阳电池的光电流、光电压的温度效应。光电流和转换效率随温度的上升而上升；光电压在低于２２３Ｋ时呈下降，高于２２３Ｋ时呈上升；当温度高于２９３Ｋ时，叁者均趋于饱和。在温度低于２２３Ｋ时热离子发射电流起主导作用，高于２２３Ｋ时杂质离子复合电流起主导作用。(本文来源于《太阳能学报》期刊1995年03期）
顾伯奇,水波[4]（1982）在《HgCdTe和InSb光生伏特红外探测器的零偏压结阻抗的测试与分析》一文中研究指出本文介绍了测量HgCdTe、InSb光生伏特红外探测器零偏压结阻抗常用的两种测试方法“直流法”和“交流法”,以及我们在这两种方法的基础上提出的“交直流法“和“玻莫合金变压器短路法”。我们用后两种方法测量了元件的零偏压结阻抗;并对测量误差作了分析,分析表明测量误差小于±1%;并从理论上指出Vs为0.1毫伏是最佳测试条件,由实验验证了该条件的正确性。本文还给出了用“交直流法”分析伏安特性的结果;β值是电压的函数,在零偏压附近的β值等于1。(本文来源于《红外技术》期刊1982年05期）
光生伏特论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
报道了金属／多孔硅／单晶硅结构（ＭＰＳ）中光生伏特效应研究的最新结果，给出了该结构的光谱响应曲线，发现该结构在１１００—３５０ｎｍ波长范围具有明显的光谱响应．还测量了开路电压随温度、光照波长及光照强度的变化关系，发现开路电压随温度的降低近似线性增加，其温度系数对于金／多孔硅结构约为２０ｍＶ／Ｋ，对于铝／多孔硅结构约为２８ｍＶ／Ｋ，与单晶硅及非晶硅太阳电池的温度系数相近，但ＭＰＳ结构的开路电压随光强的增加不满足对数关系．结果表明，在ＭＰＳ结构中金属／多孔硅肖特基结对光生伏特效应起了主要作用，而多孔硅／单晶硅异质结的作用是与此相反的
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光生伏特论文参考文献
[1].赵嵩卿,周岳亮.PLD制备纳米银颗粒掺杂ZnO薄膜的紫外可见激光诱导光生伏特现象[C].第十四届全国光散射学术会议论文摘要集.2007
[2].王燕,云峰,廖显伯,孔光临.MPS结构中的光生伏特现象[J].物理学报.1996
[3].黄颂羽,张亚娣.份菁／铝肖特基势垒光生伏特的温度效应[J].太阳能学报.1995
[4].顾伯奇,水波.HgCdTe和InSb光生伏特红外探测器的零偏压结阻抗的测试与分析[J].红外技术.1982