TiN/HZO/HfO2/Si铁电晶体管栅结构的60Coγ射线总剂量辐射效应

论文摘要

该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2（HZO）/HfO2/Si （MFIS）型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的栅结构具有优良的电学性能,2Pr可达30μC/cm2,2Ec约为6.8 MV/cm,矫顽场附近的漏电流密度为10-6A/cm2,在105s保持时间内剩余极化值衰减10%,经107次翻转后剩余极化值基本保持不变,经109次翻转后剩余极化值的衰减维持在15%以内.MFIS铁电栅的60Coγ射线电离辐射实验结果表明这种栅结构对总剂量电离辐射具有很强的免疫力,在辐射剂量高达5 Mrad（Si）时,电滞回线矩形度、对称性以及保持性能等几乎没有退化.该文所制备的全铪系薄膜铁电栅为高抗总剂量辐射、高读写寿命、长保存时间的高性能晶体管型铁电存储器的制备提供了数据支撑.

论文目录

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 孙琦,曾诗妍,付秀涛,刘巧玲,彭强祥,周益春

关键词: 铁电薄膜,总剂量电离辐射

来源: 湘潭大学学报(自然科学版) 2019年03期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑,信息科技

专业: 材料科学,工业通用技术及设备,计算机硬件技术

单位: 湘潭大学材料科学与工程学院

分类号: TP333;TB383.2

DOI: 10.13715/j.cnki.nsjxu.2019.03.012

页码: 97-103

总页数: 7

文件大小: 1140K

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