导读:本文包含了电子性质论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:性质,电子,原理,结构,光学,纳米,弹性。
电子性质论文文献综述
李文涛[1]（2019）在《SrCoO_3的电子结构、弹性及热力学性质的第一性原理计算》一文中研究指出采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了SrCoO_3立方相的电子结构、弹性以及晶格振动的声子谱和热力学性质.通过理论计算给出了立方相SrCoO_3的晶格常数、弹性常数以及体弹性模量和剪切模量等参数.结合能带结构和电子态密度的分析,研究了SrCoO_3的铁磁性质,结果表明Co原子中3d电子处于中间自旋态.通过声子色散关系的计算,发现低温下SrCoO_3立方相可能会发生四方结构的相变.为了得到不同温度和压强下SrCoO_3立方相的热力学性质,采用准谐德拜模型进行了计算和拟合,给出了0～12 GPa和0～700 K范围内晶格常数、热膨胀系数和比热容的变化,并比较了两种不同德拜模型的理论计算结果.(本文来源于《陕西科技大学学报》期刊2019年06期）
左敏,廖文虎,吴丹,林丽娥[2]（2019）在《石墨烯纳米带电极同分异构喹啉分子结电子输运性质》一文中研究指出基于密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的第一性原理计算方法,系统地研究了通过碳原子(C)连接的同分异构喹啉分子(C_9H_5N)嵌于石墨烯纳米带电极间的分子电子器件输运性质.研究结果表明:器件电流在偏压[–0.3 V,+0.3 V]范围内呈线性变化,电流在[–0.4 V,–0.9 V]和[+0.5 V,+0.8 V]范围内随着偏压的增大而减小,呈现显着的负微分电阻效应;当喹啉分子平面与石墨烯纳米带电极间存在一定夹角时,器件电流呈现明显的负微分电阻效应且与喹啉分子平面旋转方向无关,当喹啉分子平面与石墨烯纳米带电极垂直时,器件电流截止.以上研究结果得到偏压窗内透射系数积分以及零偏压下实空间电荷密度分布等的有力印证,可为设计制作基于同分异构喹啉分子电子开关和负微分电阻器件提供理论依据.(本文来源于《物理学报》期刊2019年23期）
张加宏,谢丽君,陈虎,顾芳,王银[3]（2019）在《掺杂与应力对ZrO_2薄膜电子结构和光学性质的影响》一文中研究指出利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法系统地研究了掺杂和应力对ZrO_2薄膜的电子结构与光学性质的影响.本文首先研究了Hf原子替代掺杂对ZrO_2薄膜物性的影响,研究结果表明,Hf原子掺杂减小了ZrO_2薄膜的带隙和态密度大小,可在一定程度上降低其表面缺陷电荷和漏电流.掺杂Hf原子后介电峰和吸收峰的值明显下降,同时介电峰和吸收峰的波形均出现了窄化现象,半高宽显着减小.本文也着重研究了不同应力下四方晶相ZrO_2薄膜物理性质变化及规律.研究发现压应力显着调控了ZrO_2薄膜的带隙以及价带顶和导带底附近的能带结构.施加应力后吸收峰的吸收范围和强度均显着增大,峰值对应的光子能量蓝移则表明对紫外光的吸收随着应力的增加有所增强.在低能量红外和可见光区域,施加压应力后ZrO_2薄膜的折射率变大,但在紫外线区域,压应力使ZrO_2薄膜的折射率呈现出先增大后减小的波动特性.上述研究结果为ZrO_2薄膜材料的设计与应用提供了理论依据.(本文来源于《四川大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
罗至利,李辉,王磊,刘开平,刘哲[4]（2019）在《ZrAl_4C_4、Zr_2Al_4C_5和Zr_3Al_4C_6结构、弹性和电子性质对比》一文中研究指出采用第一性原理方法,对比研究了Zr-Al-C体系纳米层状化合物ZrAl_4C_4、Zr_2Al_4C_5和Zr_3Al_4C_6的结构、弹性和电子性质,并探寻其规律性。结果表明:从晶体结构角度分析,叁种材料均可看作由(Zr C)和(Al_4C_3)两个独立单元以不同比例组合而成,可统一表示为(Zr C)nAl_4C_3(n=1,2,3),且叁者的晶格常数a近似相等,晶格常数c随着Zr C含量的增大而变大。叁种化合物弹性性质中,体模量、剪切模量、杨氏模量的大小关系满足:ZrAl_4C_4<Zr_2Al_4C_5<Zr_3Al_4C_6。通过对叁者电子态密度和Mulliken布局分析得到,ZrAl_4C_4、Zr_2Al_4C_5和Zr_3Al_4C_6均具有金属键、离子键和共价键的特征,且Zr—C键强于Al—C键,从微观电子角度解释了在(Zr C)nAl_4C_3(n=1,2,3)体系中Zr—C键含量越高则对应材料的体模量、剪切模量、杨氏模量等弹性性质越大。计算结果与已有实验值和理论值吻合较好。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2019年32期）
张淑华,程翔,柳福提[5]（2019）在《高压下纤锌矿GaN电子结构与光学性质的第一性原理计算》一文中研究指出运用超软赝势平面波第一性原理方法,对纤锌矿GaN在单位面积压力为0～40 GPa时的电子结构与光学特性进行了计算.结果发现,随着单位面积压力的增大,晶格常数减小,带隙值由2.067 eV逐渐增大为3.026 eV;静态反射率减小,反射峰值减小,且峰值位置向高能量方向移动,即发生蓝移;静态折射率减小,峰值增大,位置发生蓝移;吸收边向高能方向移动,吸收峰值增大,位置也发生蓝移.(本文来源于《河北师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
胡波,闻晏,李美一,卢瑶,李兵雪[6]（2019）在《给电子取代基对含B-N相互作用偶氮苯荧光材料光电性质的影响》一文中研究指出有机电致发光材料是当前材料领域的研究热点之一.采用量子化学方法研究了给电子取代基(—SCH_3,—NH_2,—N(CH_3)_2)对含B-N相互作用偶氮苯荧光材料光电性质的影响.结果表明,与母体分子相比,—NH_2和—(NCH_3)_2取代衍生物的最高占据轨道能量(E_(HOMO))和最低空轨道能量(E_(LUMO))明显升高,—SCH_3取代衍生物的E_(HOMO)升高,E_(LUMO)降低,能隙(E_g=E_(LUMO)-E_(HOMO))都明显减小,最大吸收波长(λ_(abs))和最大发射波长(λ_(em))发生红移,发光强度增大.—SCH_3和—(NCH_3)_2取代衍生物可以作为有机电致发光材料(OLEDs)中空穴传输材料,—OCH_3和—NH_2取代衍生物可以作为OLEDs中双极性电荷传输材料.通过结构修饰后得到了新的绿色发光材料,为实验工作提供了可靠的理论指导.(本文来源于《吉林师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
王维[7]（2019）在《二维硼单层纳米结构电子输运性质的研究》一文中研究指出近年来,新制备出的硼烯备受关注,本文中根据第一性原理,研究将硼烯裁剪成不同形貌的硼烯纳米带时,不同的边缘突起结构尺寸对硼烯纳米带电子输运性质的影响,研究发现,硼烯纳米带在费米面处的能隙与边缘突起结构尺寸的奇偶性密切相关,可以通过调节硼烯纳米带边缘形貌等因素来对输运体系的电子性质进行调控。(本文来源于《现代信息科技》期刊2019年21期）
董明慧,苑光明,王学文,刘恩超,张彩丽[8]（2019）在《Ce-N共掺锐钛矿TiO_2(001)取向电子结构和光学性质》一文中研究指出采用第一性原理研究了Ce和N共掺杂锐钛矿TiO_2的稳定性、电子结构和光学性质。结果表明在锐钛矿TiO_2中Ce倾向于间隙掺杂,而N更倾向于O替位掺杂;Ce单掺杂和Ce-N共掺杂都能使TiO_2带隙宽度减小,同时N原子还能在价带顶引入浅受主能级,有利于可见光的吸收和阻止光生载流子-空穴复合;Ce单掺杂和Ce-N共掺杂锐钛矿TiO_2(001)取向都满足光催化制氢条件,因此都具有良好的光催化特性。综合分析带边位置和吸收光谱发现Ce-N共掺杂能有效提高锐钛矿TiO_2(001)取向的光催化制氢能力。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年11期）
李亚,张俊举,杜玉杰,沙娓娓,陈若曦[9]（2019）在《外电场作用下InP电子结构与光学性质的计算》一文中研究指出磷化铟(InP)已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,计算了不同外电场作用下InP超胞的电子结构和光学性质。计算结果表明:未加电场时InP的能隙值为0.876eV,随着z轴方向的外电场增大,该值逐渐减小,当电场强度达到1.0×10~8 V/cm时,InP的禁带宽度几乎为0。InP导带区域的总态密度随着外电场增大逐渐向费米面偏移,态密度跨度变小,而价带与导带的情况恰恰相反。外电场对介电函数虚部的影响主要体现在低能量区域(0～7eV),而在较高能量区域内可忽略不计。外电场对InP吸收系数的影响主要集中在近红外波段。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年06期）
舒华兵[10]（2019）在《硼-砷单层的稳定性、电子结构和光学性质研究》一文中研究指出基于密度泛函和多体微扰理论,提出类似于石墨烯结构的硼-砷单层并且探究硼-砷单层的结构稳定性、电子结构和光学性质.计算表明:硼-砷单层有负的大结合能(-5.32 eV/atom)、声子谱中没有出现虚频,暗示它具有高的静态和动力学稳定性;其次,电子结构指明它是一个具有中等直接带隙(1.576 eV)的半导体且带隙对应变敏感可调;光学吸收谱表明硼-砷单层对近红外和可见光有较好的吸收且具有较大的激子束缚能(约590 meV).研究结果表明:硼-砷单层在电子和光电子方面具有一定的应用潜能.(本文来源于《江苏科技大学学报(自然科学版)》期刊2019年05期）
电子性质论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的第一性原理计算方法,系统地研究了通过碳原子(C)连接的同分异构喹啉分子(C_9H_5N)嵌于石墨烯纳米带电极间的分子电子器件输运性质.研究结果表明:器件电流在偏压[–0.3 V,+0.3 V]范围内呈线性变化,电流在[–0.4 V,–0.9 V]和[+0.5 V,+0.8 V]范围内随着偏压的增大而减小,呈现显着的负微分电阻效应;当喹啉分子平面与石墨烯纳米带电极间存在一定夹角时,器件电流呈现明显的负微分电阻效应且与喹啉分子平面旋转方向无关,当喹啉分子平面与石墨烯纳米带电极垂直时,器件电流截止.以上研究结果得到偏压窗内透射系数积分以及零偏压下实空间电荷密度分布等的有力印证,可为设计制作基于同分异构喹啉分子电子开关和负微分电阻器件提供理论依据.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电子性质论文参考文献
[1].李文涛.SrCoO_3的电子结构、弹性及热力学性质的第一性原理计算[J].陕西科技大学学报.2019
[2].左敏,廖文虎,吴丹,林丽娥.石墨烯纳米带电极同分异构喹啉分子结电子输运性质[J].物理学报.2019
[3].张加宏,谢丽君,陈虎,顾芳,王银.掺杂与应力对ZrO_2薄膜电子结构和光学性质的影响[J].四川大学学报(自然科学版).2019
[4].罗至利,李辉,王磊,刘开平,刘哲.ZrAl_4C_4、Zr_2Al_4C_5和Zr_3Al_4C_6结构、弹性和电子性质对比[J].科学技术与工程.2019
[5].张淑华,程翔,柳福提.高压下纤锌矿GaN电子结构与光学性质的第一性原理计算[J].河北师范大学学报(自然科学版).2019
[6].胡波,闻晏,李美一,卢瑶,李兵雪.给电子取代基对含B-N相互作用偶氮苯荧光材料光电性质的影响[J].吉林师范大学学报(自然科学版).2019
[7].王维.二维硼单层纳米结构电子输运性质的研究[J].现代信息科技.2019
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[9].李亚,张俊举,杜玉杰,沙娓娓,陈若曦.外电场作用下InP电子结构与光学性质的计算[J].半导体光电.2019
[10].舒华兵.硼-砷单层的稳定性、电子结构和光学性质研究[J].江苏科技大学学报(自然科学版).2019
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