导读:本文包含了硅基发光论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,器件,氧化物,稀土,基材,光电,显示器。
硅基发光论文文献综述
赖良德,李晨,许虞俊[1]（2019）在《硅基OLED微显示器像素发光电流稳定性的研究》一文中研究指出为了提高硅基OLED微显示器的电流稳定性,提出了一种6T1C型像素电路,该电路既可以减小驱动管阈值电压V_(th)的偏移,又补偿了OLED发光层电流衰减。利用HSPICE进行仿真,仿真结果表明:在阈值电压偏移量为-7.25 mV～7.12 mV和OLED内部电阻偏移量为0～8 MΩ时,该像素电路的发光电流偏差分别为-0.144 LSB～0.416 LSB和-0.48 LSB～0.6 LSB,电流稳定性得到大幅提高。同时,为了保证像素电路能精确反映OLED的电流-电压特性,提出了基于TCLC理论的OLED等效电路模型,该OLED等效电路的仿真数据和实验数据具有良好的一致性。(本文来源于《电子器件》期刊2019年04期）
朱伟君,陈金鑫,高宇晗,杨德仁,马向阳[2]（2019）在《硅基掺铒二氧化钛薄膜发光器件的电致发光:共掺镱的增强发光作用》一文中研究指出在我们以前的工作(Zhu C, Lü C Y, Gao Z F, Wang C X, Li D S, Ma X Y, Yang D R 2015 Appl.Phys.Lett.107 131103)中,利用掺铒(Er)二氧化钛薄膜(TiO_2:Er)作为发光层,实现了基于ITO/TiO_2:Er/SiO_2/n~+-Si结构的发光器件的Er相关可见及近红外(约1540 nm)电致发光.本文将镱(Yb)共掺入TiO_2:Er薄膜中,显着增强了Er相关可见及近红外电致发光.研究表明,一定量Yb的共掺会导致TiO_2:Er薄膜由锐钛矿相转变为金红石相,从而使得Er~(3+)离子周围晶体场的对称性降低.此外,Yb~(3+)离子比Ti~(4+)离子具有更大的半径,这使TiO_2基体中Er~(3+)离子周围的晶体场进一步畸变.晶体场的对称性降低及畸变使得Er~(3+)离子4f能级间的跃迁概率增大.由于上述原因,Yb在TiO_2:Er薄膜的共掺显着增强了相关发光器件的电致发光.(本文来源于《物理学报》期刊2019年12期）
汪愉[3]（2019）在《硅基CsPbCl_3钙钛矿薄膜的制备及发光特性的研究》一文中研究指出卤素钙钛矿具有吸收系数高、带隙可调、斯托克斯位移小、高的载流子迁移率、扩散长度长、低陷阱密度等独特的光电性质。在太阳能电池,发光二极管,激光器等领域有着十分广泛的应用。全无机钙钛矿CsPbCl3是直接带隙宽禁带半导体,禁带宽度为3 eV,激子结合能75 meV,在室温下存在激子发射,具有高的发光效率,在激光器,光探测器,发光等领域有着十分广阔的应用前景。但是目前关于CsPbCl3薄膜发光特性的研究还较少。本文采用热蒸发镀膜的方法在硅衬底上制备了 CsPbCl3薄膜,研究了薄膜的发光特性,并尝试制备了 CsPbCl3蓝色电致发光器件,为硅基蓝色电致发光的研究提供新的思路。本论文研究的主要内容和结果如下:(1)CsPbCl3晶体性质的研究。通过熔体法成功制备了 CsPbCl3晶体,晶体属于四方相结构,发光峰在410 nm处,半高宽为13 nm。并通过改变卤素配比得到CsPb(Cl/Br)3晶体。表征了所制备晶体的发光和结晶性质,结果表明:随着Br的掺入,晶体的发光和XRD衍射峰均朝着CsPbBr3的发光和衍射峰移动,验证了卤素比例对钙钛矿发光的调控。(2)CsPbCl3薄膜性质的研究。通过热蒸发镀膜成功在硅衬底上沉积了CsPbCl3薄膜,得到蓝紫色光致发光,发光峰位于410 nm处,半高宽为13 nm。并研究了薄膜的结晶特性,薄膜在(002)晶向上有明显的择优生长。研究了衬底温度,退火温度以及退火时间对薄膜发光和结晶的影响,结果表明薄膜在150 □衬底温度下生长,并在450 □退火60 s时,薄膜具有相对最佳的发光性能。此外,对CsPbCl3薄膜光致发光稳定性也进行了分析测试。(3)全无机CsPbCl3薄膜蓝色电致发光器件的初步探索。选用NiO为空穴传输层,利用磁控溅射和热蒸发镀膜的方法制备了多层结构的全无机蓝色电致发光器件。器件开启电压约3V,具有良好的整流特性,并得到了CsPbCl3的蓝色电致发光。(本文来源于《北京交通大学》期刊2019-06-01）
朱伟君[4]（2019）在《共掺杂对硅基掺铒二氧化钛薄膜发光器件的电致发光的增强效应》一文中研究指出基于掺铒(Er)的半导体发光器件在过去的近二十年间一直备受瞩目。宽禁带氧化物n型半导体材料TiO2已在相关报道中被证实能够作为Er发光合适的基体。近年来,我们课题组实现了 ITO/TiO2:Er/SiO2/n+-Si多层结构和TO2:Er/p+-Si异质结结构LED的电致发光(EL),其中TiO2:Er代表的是共掺Er的TiO2薄膜。然而,其中与Er相关的电致发光强度还有待进一步增强。本论文通过在TiO2基体中共掺特定杂质的策略,增强硅基TiO2:Er薄膜发光器件的Er电致发光。本论文取得的主要结果如下:(1).利用射频溅射法在p+-Si衬底和经过1100℃热氧化5min的n+-Si衬底上分别沉积共掺Zr的TiO2:Er[TiO2:(Zr,Er)]薄膜,Zr的名义含量为2.5-7.5%。在p+-Si衬底上沉积的薄膜在O2气氛下650℃热处理2h,而在氧化的n+-Si衬底上沉积的薄膜在O2气氛800℃热处理1h。在此基础上,分别制备出TiO2:(Zr,Er)/p+-Si异质结和ITO/TiO2:(Zr,Er)/SiO2/n+-Si多层结构的器件。为了对比,还分别制备出TiO2:Er//p+-Si异质结和ITO/TiO2:Er/SiO2/n+-Si多层结构的器件。研究表明:Zr的掺入不会改变TiO2:Er薄膜的锐钛矿晶相。上述两种结构下,基于共掺5at%Zr的TiO2:(Zr,Er)薄膜的器件比基于TiO2:Er薄膜的器件具有明显更强的可见及近红外区域(～1540nm波段)的电致发光。分析表明:具有较大离子半径的Zr4+离子对TiO2晶格中Ii离子的替代会扭曲Er3+离子周围的晶体场,使其对称性进一步降低,增大了 Er3+离子的4f能级间的跃迁几率,从而增强了 Er相关的发光。(2).利用射频溅射法在p+-Si衬底和经过1100℃热氧化5min的n+-Si衬底上分别沉积共掺Hf的TiO2:Er[TiO2:(Hf,Er)]薄膜,前者在O2气氛下65O℃C热处理2h,后者在02气氛下80O℃热处理1h,分别制备出TiO2:(Hf,Er)/p+-Si异质结和ITO/TiO2:(Hf,Er)/SiO2/n+-Si多层结构的器件。研究表明:与基于TiO2:Er薄膜的器件相比,在相同注入电流下,基于TiO2:(Hf,Er)薄膜的器件在可见及波长为～1540nm的近红外区的电致发光强度均得到明显提高。相关的增强发光机制与上述共掺Zr的相似。(3).利用射频溅射法,以1100℃C下热氧化5min的n+-Si为衬底,沉积共掺Yb的TiO2:Er[TiO2:(Yb,Er)]薄膜于衬底上,然后在O2气氛下800℃热处理1h,制备出ITO/TiO2:(Yb,Er)/SiO2/n+-Si多层结构的器件。与基于TiO2:Er薄膜的器件相比,基于TiO2:(Yb,Er)薄膜的器件在可见及近红外区域的电致发光强度均得到显着的提高。研究表明:共掺Yb使TiO2:Er薄膜由锐钛矿相转变成为金红石相。分析指出:Er3+离子处在金红石相TiO2基体中时,其附近的晶体场对称性比处在锐钛相TiO2基体中时低。此外,具有较大半径的Yb3+离子对TiO2晶格中Ti离子的替代会进一步扭曲Er3+离子周围的晶体场。上述两方面的因素增大了 Er3+离子4f能级间的跃迁几率,从而增强了 Er相关的发光。(本文来源于《浙江大学》期刊2019-05-08）
刘婧婧[5]（2019）在《硅基钙钛矿量子点异质结发光二极管的制备及器件性能研究》一文中研究指出钙钛矿发光二极管具有色纯度高、亮度高、颜色可调、能耗低以及易实现大面积制备等优势,在大尺寸显示与照明领域具有广阔的应用前景。随着研究的深入,器件正向着多功能、小型便捷、可集成以及低功耗的趋势发展。Si具有成熟的制备工艺和平台,是当今微电子行业的主导材料。将Si与钙钛矿材料相结合不仅可以获得紧凑且轻便的多功能器件,还有望能够实现大面积光电集成,扩展钙钛矿的应用领域。因此,将无机钙钛矿量子点器件与Si材料相结合是一个有趣的科研课题。然而,未掺杂的单晶硅与钙钛矿量子点之间存在能级不匹配,空穴的注入效率低,器件的发光效率低等问题。本论文针对此问题,将Si与钙钦矿结合,采用掺硼的p-Si作为空穴注入层,合理设计发光二极管器件结构,常温下能够得到绿光和红光发射硅基钙钛矿发光二极管;利用Poly-TPD材料调控器件能带结构提高器件的性能;利用Au纳米结构的等离子共振效应进一步提高器件的性能;并研究直流、交流不同驱动模式下器件的发光性能的变化,为硅基钙钛矿发光二极管的实际应用提供了可能。主要研究内容如下:1.制备基于无机钙钛矿量子点CsPbX3/p-Si异质结的全无机发光二极管,器件结构为:ITO/ZnO/CsPbX3/p-Si/Al,实现了室温下的515 nm绿光和683 nm红光发射。绿光器件的输出功率密度为0.14mW/cm2,红光器件的输出功率密度为0.25 mW/cm2。研究表明由于CsPbI3量子点和p-Si之间的具有较小空穴注入势垒,所以红光器件的开启电压低于绿光器件。在直流驱动模式下观察到在高电流密度下器件发光强度下降,交流驱动能够有效改善器件性能衰减的现象。在交流驱动模式下,由于交替的正负偏压会减小器件界面处电荷累积,降低热效应对器件的损害,最终器件的电致发光增强,在高电流密度下器件的工作稳定性也得到了提高。将钙钛矿量子点与Si结合有助于实现硅基光源,扩展钙钛矿的实际应用。2.钙钛矿量子点和Si之间的能带不完全匹配限制了器件性能,为了进一步提高器件的发光性能,我们在钙钛矿量子点和p型Si之间插入一层Poly-TPD来调节器件的能带结构,制备ITO/ZnO/CsPbX3/Poly-TPD/p-Si/Al发光器件,Poly-TPD材料可以降低空穴的注入势垒,阻挡电子的反向传输。基于CsPbI3量子点的发光器件的功率密度可以达到1.68mW/cm2,外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)为0.91%,与参考器件相比增强了34倍,稳定性得到了提高,器件连续工作1h之后,发光强度衰减为原来的4.4%;基于CsPbBr3量子点的器件中也观察到类似的光发射增强现象,光输出功率密度达到0.6mW/cm2,比参考器件增强了 13.6倍。我们的结果表明,通过合理的光学和电子设计可以实现高效、稳定性的硅基钙钛矿发光器件,有助于以紧凑和轻量的形式实现光电集成以及多功能电子器件。3.为了进一步提高无机钙钛矿量子点器件的发光强度,我们合成直径约为20 nm 的 Au 纳米颗粒(Au Nanoparticals,Au NPs)和尺寸为 20(±2)nm × 40(±5)nm的Au纳米棒(Au Nanorods,Au NRs),并且分别引入到空穴传输层中,形成ITO/ZnO/C sPbX3/Poly-TPD/Au/p-Si/Al发光器件结构,研究局域表面等离子共振对钙钛矿器件性能的影响。Au纳米颗粒的共振峰位于521 nm左右,与CsPbBr3量子点的荧光发射峰完全匹配。我们将AuNPs引入空穴注入层,实验结果表明,CsPbBr3量子点器件的发光强度增强2倍左右;输出功率密度增加到1.2 mW/cm2,这是由Au NPs和CsPbBr3激子之间的局域表面等离子共振(Localized Surface Plasmon Resonance,LSPR)耦合引起的。Au纳米棒具有526nm、695nm两个共振峰,分别和CsPbBr3量子点和CsPbI3量子点的发射峰完全匹配。在空穴传输层中加入AuNRs之后,由于局域表面等离子共振耦合的存在,CsPbBr3量子点和CsPbI3量子点器件发光强度均得到了提高。4.高功耗和低亮度一直制约着钙钛矿发光二极管(Perovskite Light-emitting Diodes,PeLED)发展进程。这里,我们通过交流(Alternating Current,AC)驱动模式改善了基于CsPbI3量子点和p型Si衬底的PeLED的发光强度,并且降低了电流密度。在不同的驱动电压模式下(正弦脉冲偏压或方波脉冲偏压),观察到频率相关的电致发光(Electroluminescent,EL)现象。方波脉冲偏压下的器件在相同电压下呈现更强的EL强度。方波脉冲偏压驱动下的红色PeLED EL强度下降现象得到了进一步改善,驱动电压高于8.5 V时,EL积分强度几乎呈线性增加。由于交流驱动减少了电荷在器件界面或缺陷中的累积,因此红色PeLED与直流驱动相比具有更高的工作稳定性。我们的工作为获得高亮度、低功耗和高稳定性的发光器件提供了有效的方法。(本文来源于《南京大学》期刊2019-05-01）
师俊丽[6]（2019）在《硅基发光材料的制备及性能研究》一文中研究指出微电子技术和信息技术的发展需求加速了光电子学在硅基材料上实现光信息处理及光电子集成的研究,利用硅基材料制造出高质量的发光器件对光电子学以至整个信息技术均具有重要意义。但是由于硅是间接带隙的半导体材料,阻碍了光的有效吸收和发射,导致晶体硅自身的光学性能相对较差,因此限制了其在光学领域的应用。因此,许多研究者们通过改性的方法来提高硅的发光效率,多孔硅、硅纳米粒子及硅纳米线均是目前可实现的硅发光途径。本文主要针对硅基材料存在的问题,展开对多孔硅发光材料的制备研究及硅纳米粒子发光材料的制备研究,并通过表面形貌对其光学性质的影响进一步对其发光机理进行了探讨,为硅基发光材料在光电领域的应用奠定基础。主要内容如下:(1)采用金属辅助化学刻蚀法制备出可发射橙色光和蓝紫光的多孔硅片。以多晶硅片为原料,以HF和AgNO_3溶液为刻蚀溶液对硅片进行刻蚀反应,制备了具有荧光性质的多孔硅片,然后对制备的多孔硅片进行光学性能测试和形貌测试。得到多孔硅片的四个发射峰,分别位于330 nm、374 nm、468 nm、628 nm。其中,发射峰位于λ=374 nm,λ=628 nm处的荧光性能最稳定且最强。通过SEM电镜图可观察到发射主峰位于λ=628 nm的多孔硅片表面较为粗糙,但是孔洞生长的较为均匀,呈大孔套小孔的结构,其中小孔尺寸约40-50 nm。λ=374 nm附近的多孔硅片是表面的孔洞较少,孔径约为145-160 nm,没有出现大孔套小孔的现象。此外,将制备的荧光多孔硅片置于空气氛围中,其荧光强度的衰减较弱,故所制备的荧光多孔硅片可稳定存在于空气氛围中。这一研究进展对多孔硅在光电集成领域中具有潜在的应用价值。(2)采用镁热还原反应和化学刻蚀法成功制备出具有分散性好且无须有机基团修饰的明亮蓝色荧光硅纳米粒子。首先,以正硅酸乙酯为原料,在强还原性气氛下高温煅烧,制备出硅前驱体。然后对制备的硅前驱体进行化学刻蚀,制备出高荧光性能,分散性好的硅纳米粒子。对所制备的荧光硅纳米粒子进行光学性能及结构测试。荧光硅纳米粒子在λ=443 nm附近有较强的发射峰,其粒径约2~4nm,呈球形结构,而且制备的硅纳米粒子结晶性很好。由于制备的硅纳米粒子具有无须有机基团修饰、荧光性能很强,分散性好等优点,奠定了其在生物医学方面的应用基础。(本文来源于《上海师范大学》期刊2019-03-01）
穆廷洲,季渊,陈文栋,余云森,冉峰[7]（2019）在《基于双帧数模融合扫描的硅基有机发光二极管微显示器》一文中研究指出提出了一种双帧数模融合扫描策略,优化了数字脉宽调制部分。设计了一种硅基有机发光二极管(OLED)微显示器驱动电路,该电路包括像素驱动电路,在帧频为60Hz、灰度等级为256、分辨率为1920pixel×3pixel×1080pixel的条件下,扫描效率可达99.22%,数据传输频率降低至23.328 MHz。结果表明,该像素驱动电路可有效减少漏电流,保证灰度精度,降低最小电流,并提高硅基OLED微显示器的对比度。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2019年09期）
黄妙玲[8]（2018）在《硅基稀土掺杂氧化锌薄膜电致发光器件的制备与研究》一文中研究指出叁价稀土离子的f-f跃迁一般发射锐线状谱,发光色纯度高,在固态照明领域获得了广泛应用,也可作为显示器件中理想的叁基色发光材料。另一方面,ZnO是新兴的宽禁带(3.37eV)直接带半导体材料,室温下有很高的激子结合能(60 meV),因此室温下易获得高效的紫外激子发射。此外,它有着与GaN相似的性质,但其所需的生长温度仅为500-600℃,低于GaN的生长温度(>1000℃),可生长于玻璃衬底上。因此,若能在ZnO基上实现高色纯度的叁价稀土离子的叁基色电致发光以及发光颜色可调的电致发光器件,将为未来稳定高效的无机电致发光显示和无荧光粉的白光LED的发展提供新的路径。在ZnO的发光特性的研究中,ZnO紫外发光的增强和缺陷发光的主要机制获得了广泛研究,但目前关于缺陷发光的主要机制仍存在争议。而在稀土掺杂的ZnO电致发光器件中,由于稀土离子在ZnO中的固溶度低,因此通过增加掺杂浓度来提高稀土离子电致发光的效果不明显。针对以上问题,本论文首先通过对不同退火条件对ZnO薄膜PL光谱的影响,得出N2退火更有利于ZnO UV发光的提高。其次,通过器件结构的设计和稀土离子间的能量传递提高了稀土离子的电致发光。最后,通过稀土离子间的能量传递实现了发光颜色可控的ZnO基电致发光器件。具体的研究工作如下:(1)高质量的ZnO薄膜的制备及其光致发光特性的研究。利用磁控溅射在Si衬底上沉积了 ZnO薄膜并测试了薄膜的光学带隙、结晶质量和PL光谱。通过调节衬底温度和氩氧比提高了 ZnO薄膜PL光谱中的紫外发光。通过对不同氛围(02、N2)中退火后的ZnO薄膜的PL光谱的研究,探讨了引起缺陷发光的主要机制。通过调节N2氛围中的退火温度和时间,获得了 PL光谱中紫外(UV):可见(VIS)=19:1的高质量的ZnO薄膜。(2)空穴注入层和空穴加速层对ZnO:Er电致发光器件的改善。利用磁控共溅射的方法在n-Si片衬底上制备了 ZnO:Er电致发光器件,获得了 Er3+绿色电致发光。通过对EL和PL光谱的对比分析,探讨了器件电致发光的发光机理。此外,在ZnO:Er单层器件中引入PEDOT/PSS作为空穴注入层,提高了 Er3+的绿色电致发光。在ZnO:Er单层器件中引入MgZnO:In层作为空穴加速层,并通过调整In的浓度调节了 MgZnO:In层的能带位置,从而减小了空穴的注入势垒,提高了器件的电致发光性能。利用磁控共溅射的方法制备了 ZnO:Tb绿色电致发光器件,获得了Tb3+绿色的电致发光。(3)稀土掺杂ZnO薄膜电致发光器件中能量传递现象的研究。利用磁控共溅射的方法制备了 ZnO:Eu电致发光器件,获得了 Eu3+的红色电致发光。通过共溅射的方法在ZnO:Eu电致发光器件中引入Tb3+,并通过Tb3+→Eu3+的能量传递增强了Eu3+的电致发光,在Eu的掺杂浓度不变的情况下,得到了 Tb的最佳掺杂浓度。此外,还用同样的方法在ZnO:Eu器件中引入Tm3+,通过Tm3+→Eu3+的能量传递增强了 Eu3+的电致发光。同时,通过改变Eu和Tm的掺杂浓度调节了器件电致发光的颜色。利用同样的方法制备了 ZnO:Sm/Tb电致发光器件,通过Tb3+→Sm3+的能量传递增强了Sm3+的电致发光。(4)稀土掺杂ZnO薄膜白光电致发光器件的初步探索。利用分层生长的方法制备了ZnO:Tm蓝色电致发光器件,获得了CIE坐标为(0.13,0.09)的Tm3+的蓝色电致发光。通过空穴注入层/空穴传输层的引入增强了T Tm3+的蓝色电致发光。此外,通过共溅射的方法制备了 ZnO:Dy黄色电致发光器件,获得了 Dy3+的黄色电致发光。最后,通过共溅射和分层生长相结合的方法制备了 ZnO:Dy/Tm电致发光器件,通过Tm3+→Dy3+的能量传递提高了 Dy3+的电致发光。在ZnO:0.6 mol%Dy电致发光器件中引入2 mol%Tm,将器件的的CIE坐标由(0.45,0.48)调节成了(0.43,0.44),发光向白光方向移动。(本文来源于《北京交通大学》期刊2018-09-01）
陈森[9]（2018）在《含铈硅基氮氧化物荧光粉的先驱体法制备、组成、结构与发光性能》一文中研究指出含铈硅基氮氧化物荧光粉具有优异的热化学稳定性和良好的发光性能,是一类比较有应用前景的发光材料。在体系中添加碱土金属或其他金属元素,如铝、钇等制备的含铈硅基氮氧化物荧光粉已经被广泛研究,而关于含铈的纯硅基氮氧化物荧光粉的报道很少。目前,还没有用先驱体转化法制备含铈硅基氮氧化物荧光粉的相关研究。因此,探究由先驱体转化法制备的含铈硅基氮氧化物荧光粉的化学组分、相组成和晶体结构对发光性能的影响规律是十分有意义的。本论文以聚碳硅烷和乙酰丙酮铈作为原料,先经过聚合反应获得先驱体,再经过氮化和结晶化过程后制得含铈硅基氮氧化物荧光粉。通过元素分析、X射线衍射、扫描电镜和荧光光谱,系统地探究了投料比和烧结工艺对含铈硅基氮氧化物荧光粉化学组成、物相结构和发光性能的影响,并且初步探究了引入镁对荧光粉的影响规律。同时借助结构精修、透射电镜、拉曼光谱和X射线光电子能谱等手段对性能最佳的不掺镁和掺镁含铈荧光粉的微观结构和表面化学信息进行解析。结果表明,由先驱体法制得的荧光粉发光波长受投料比和烧结工艺的影响较小,都表现出紫外激发(225～400 nm)和蓝光发射(400～500 nm)的荧光性能。采用两步法烧结工艺能够降低荧光粉的碳含量,提高物相纯度和发光强度。终烧温度和投料比影响荧光粉的物相结构。当终烧温度小于1600℃时,荧光粉的物相主要由α-Si3N4和β-Si3N4组成;当终烧温度为1600～1650℃时,荧光粉中出现CeSi3N5。终烧温度为1650℃时,随着铈投料量增加,荧光粉中CeSi3N5和CeSi02N的比例也增加。当投料比Si:Ce=40:0.5和(Si+Mg):Ce=(39.5+0.5):0.5时,不掺镁和掺镁的含铈荧光粉发光强度分别达到最高。结果发现,发光强度最高的不掺镁和掺镁的含铈荧光粉的激发和发射波长不变,分别为355 nm和445 nm。掺镁可以降低荧光粉的碳含量,增加Ce3+的比例,提高发光强度。荧光粉的主相β-Si3N4晶体以P63和P63/m两种空间群共混形式存在。铈离子位于β-Si3N4晶体的六边形间隙通道里,并与邻近的六个(P63)和九个(P63/m)N/O原子配位。镁离子位于晶体的四边形间隙里,并且在β-Si3N4和CeSi3N5晶体的间隙中分别与邻近的六个和七个N/O原子配位。(本文来源于《厦门大学》期刊2018-06-30）
万广苗[10]（2018）在《硅基Tb_2O_3电致发光器件的发光机理及性能改善研究》一文中研究指出随着信息技术的快速发展,人们在信息获取方面的需求在不断地增加。而视觉作为人们获取信息的主要途径,支配着83%的信息来源。因此,提高显示水平对于获取信息至关重要。作为显示器件的基础,硅基光源逐渐得到人们的重视,成为研究热点之一。为了兼容目前成熟的CMOS结构,硅基光源需要符合以下条件:和Si衬底之间的晶格失配较低、具有较低的工作电压以及较高的发光效率。Tb203和Si 的二倍晶格失配仅为1.3%,使得Tb2O3和Si衬底之间的位错缺陷较少。由于Tb3+是一种高效的稀土发光离子,且Tb2O3是一种半导体材料,以Tb2O3为基础的电致发光器件可以实现较低的工作电压,因此Tb2O3是一种适用于硅基光源的材料。目前关于硅基Tb2O3电致发光器件的研究取得了一些进展,但对该器件的发光机理还未确定。本研究工作,在前期工作的基础上,经过一系列的实验探索,研究了硅基Tb2O3电致发光器件的发光机理。通过改善器件的结构,在器件中增加电子阻挡层和空穴注入层,改善了硅基Tb2O3电致发光器件的性能。首先,通过磁控溅射法制备了硅基Tb2O3电致发光器件,表征了 Tb2O3层的结晶状况、形貌特征和器件的电致发光性能。通过分别改变Tb2O3在电极和衬底两侧的材料以及改变器件电场方向等方法,研究了硅基Tb2O3电致发光器件的发光机理。为减少器件的漏电流,在原器件结构的基础上增加了电子阻挡层。利用能带位置比较合适且能有效阻挡电子的SiO2和Y2O3,通过磁控溅射法制备了 SiO2/Tb2O3电致发光器件和Y2O3/Tb2O3电致发光器件,并研究了不同厚度的SiO2和Y2O3对器件Ⅰ-Ⅴ曲线及电致发光光谱的影响。为减小器件的工作电压、改善器件的电子空穴注入比,用半导体材料取代绝缘材料,并选用同时具备阻挡电子和注入空穴功能的材料。在无机和有机半导体材料中分别选取了 Ga2O3:Zn和PEDOT:PSS。通过磁控溅射法制备了 Ga2O3:Zn/Tb2O3电致发光器件。研究了不同Zn2+掺杂浓度下,Ga2O3:Zn薄膜透过率和带隙的变化。之后,研究了 Zn2+掺杂浓度对器件Ⅰ-Ⅴ曲线和电致发光光谱的影响。此外,使用磁控溅射法和旋涂法制备了 PEDOT:PSS/Tb2O3电致发光器件,对该器件的形貌进行了表征,研究了不同厚度的PEDOT:PSS对器件Ⅰ-V曲线及电致发光光谱的影响。通过以上尝试,找到了有效改善Tb2O3电致发光器件发光性能的方法。鉴于PEDOT:PSS对Tb2O3电致发光器件的性能改善效果,将PEDOT:PSS空穴注入层运用到Tb2O3:Eu电致发光器件和Tb2O3:Sm电致发光器件,研究了PEDOT:PSS对这两种器件发光性能的影响,发现空穴注入层对以能量传递为基础的电致发光器件同样有改善发光性能的作用。(本文来源于《北京交通大学》期刊2018-06-06）
硅基发光论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在我们以前的工作(Zhu C, Lü C Y, Gao Z F, Wang C X, Li D S, Ma X Y, Yang D R 2015 Appl.Phys.Lett.107 131103)中,利用掺铒(Er)二氧化钛薄膜(TiO_2:Er)作为发光层,实现了基于ITO/TiO_2:Er/SiO_2/n~+-Si结构的发光器件的Er相关可见及近红外(约1540 nm)电致发光.本文将镱(Yb)共掺入TiO_2:Er薄膜中,显着增强了Er相关可见及近红外电致发光.研究表明,一定量Yb的共掺会导致TiO_2:Er薄膜由锐钛矿相转变为金红石相,从而使得Er~(3+)离子周围晶体场的对称性降低.此外,Yb~(3+)离子比Ti~(4+)离子具有更大的半径,这使TiO_2基体中Er~(3+)离子周围的晶体场进一步畸变.晶体场的对称性降低及畸变使得Er~(3+)离子4f能级间的跃迁概率增大.由于上述原因,Yb在TiO_2:Er薄膜的共掺显着增强了相关发光器件的电致发光.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅基发光论文参考文献
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