MgB2/Mo多层膜的制备与超导性质

MgB2/Mo多层膜的制备与超导性质

论文摘要

采用磁控溅射技术(MS)和混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在单晶Al2O3基底上制备MgB2/Mo多层膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法对样品的表面形貌、晶体结构和超导特性进行了测量研究。结果表明,随着后续MgB2沉积温度的提高,各膜层结晶程度进一步提高,晶粒尺寸不断增大,各自保持着良好的物质稳定性。在730℃下生长的MgB2薄膜的超导转变温度Tconset和零电阻温度Tc0分别为39.73和39.53 K,剩余电阻率ρ40K为0.77μΩ·cm,表明样品处于干净极限。

论文目录

  • 1 实验
  • 2 结果与讨论
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 周章渝,肖寒,王松,张青竹,王代强,陈雨青,傅兴华

    关键词: 混合物理化学气相沉积法,磁控溅射技术,多层膜

    来源: 稀有金属材料与工程 2019年08期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

    专业: 材料科学,工业通用技术及设备

    单位: 贵阳学院,中国科学院微电子研究所,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州民族大学

    基金: 国家自然科学基金(11564005),贵州省科技厅联合基金(黔科合LH字[2015]7300号),贵州省教育厅创新团队重大研究项目(黔教合KY字[2017]035),贵州省教育厅重点支持学科项目(黔学位合字ZDXK[2016]21号),贵州省教育厅高校科技创新团队(黔教合人才团队字[2013]18号)

    分类号: TB383.2

    页码: 2711-2715

    总页数: 5

    文件大小: 991K

    下载量: 84

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