导读:本文包含了非平衡制备技术论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:等离子体,磁控溅射,技术,金刚石,薄膜,生长素,特性。
非平衡制备技术论文文献综述
王俊玲,代海洋[1]（2016）在《中频脉冲非平衡磁控溅射技术制备类金刚石膜的结构与性能》一文中研究指出利用中频脉冲非平衡磁控溅射技术在载玻片上制备了类金刚石(DLC)薄膜,研究了沉积气压对薄膜厚度、微观结构、机械性能和光学性能的影响。厚度测试结果表明,DLC膜厚度随沉积气压的增加而增加。X射线光电子能谱测试结果表明,当沉积气压由0.18Pa增加到1.50Pa时,DLC薄膜中sp~3杂化碳含量随沉积气压的增加而减少。纳米压痕和椭偏仪测试结果表明,DLC膜的纳米硬度、折射率均随沉积气压的增加而减小。采用浅注入模型分析了沉积气压对薄膜生长和键合结构的影响。以上结果表明,沉积气压对DLC膜的厚度、sp~3杂化碳含量、机械与光学性能具有较大的影响。(本文来源于《真空》期刊2016年01期）
黄琼俭,周永福[2]（2013）在《非平衡磁控溅射技术在薄膜制备中的应用》一文中研究指出非平衡磁控溅射技术是属于溅射沉积技术中常见的一类,有着沉积温蒂低、沉积速率高、制得的薄膜表面质量好等优点,广泛使用于无机薄膜涂层制备中。文中简要介绍了采用非平衡磁控溅射技术制备多种无机薄膜材料,如氧化钛、类金刚石、碳膜、氮化钛等。(本文来源于《生物技术世界》期刊2013年11期）
刘长江[3]（2012）在《基于飞秒激光非平衡掺杂技术黑硅材料的制备与光电器件研究》一文中研究指出随着电子工业的蓬勃发展，晶体硅在微电和光电领域得到了广泛的应用。与其它材料相比，晶体硅具有成本低、易提纯、耐高温、易掺杂和极易与现有的微电、光电器件集成等优点，因此得到了人们的青睐。然而，硅的禁带宽度为1.07eV，晶体硅对240nm-2400nm波段光的反射率在35%～40%之间，对于波长长于1100nm的入射光，传统硅探测器的响应度和吸收率都很低。为了实现对波长长于1100nm波段光的探测，就要借助于锗或铟砷镓等材料，但这些材料价格昂贵且很难与现有的硅基光电、微电器件集成，极大程度上限制了这些材料在光电集成中的应用。本文中所研究的主体—黑硅是具有微结构化表面的硅，它对240nm-2400nm波段光的吸收都在90%以上，并兼具晶体硅的低成本、易集成等优点，该材料在光电集成中具有广阔的应用前景。本文研究的主要内容是利用飞秒激光非平衡掺杂技术制备出表面微结构化的黑硅样品，并对黑硅材料的表面形貌、光学性能以及电学性能进行了表征。此外为了进一步研究黑硅材料的形成机制，我们利用传统的蜡封研磨抛光的方法将黑硅的微结构剖开，为后续研究工作的进行提供了良好的基础。本文中搭建了一套用于黑硅加工实验光学系统，利用该系统成功地制备了特定形貌的黑硅，并对不同实验参数下制备的黑硅进行了SEM表征，分析比较了激光功率密度、入射激光脉冲数对黑硅表面形貌的影响。利用黑硅制备系统制备了一系列不同实验参数下加工出来的大尺寸的黑硅样品，并借助于UV-3600紫外-可见-近红外分光光度计分别测量了各样品的反射率和透射率，进而得出黑硅样品的吸收系数随波长及实验参数的变化关系，比较分析了激光功率密度、入射激光脉冲数、扫描间距、不同基底掺杂浓度以及退火温度对黑硅样品光学性能的影响。基于黑硅对大于吸收边波长光具有优良的吸收性能，我们利用黑硅样品分别制备了面积为5×5mm~2、380×380μm~2和140×140μm~2的光电探测器件，并借助于KEITHLEY4200对制备的器件的整流特性以及光响应特性进行了响应的测试。实验中发现器件的暗电流较大，并且暗电流随着反向偏压的增加而增大，随着器件尺寸的减小而减小；器件对808nm的入射光具有一定的光响应，响应度随着器件尺寸的减小而增大，面积为140×140μm~2器件对808nm入射光在30V的反向偏压下响应度高达300A/W。为了进一步探究黑硅的掺杂特性和黑硅内部载流子的输运过程，我们成功地将黑硅表面尖锥柱体结构无损剖开，并尝试利用传统的电化学镀铜的方法对黑硅显结，这一思路在一定程度上拓展了我们对黑硅掺杂情况的认识途径，为实现黑硅材料的更好应用提供了一个良好的开端。(本文来源于《吉林大学》期刊2012-04-01）
徐均琪,樊慧庆,刘卫国,杭凌侠[4]（2007）在《非平衡磁控溅射技术制备用于红外减反射的无氢碳膜(英文)》一文中研究指出红外减反射保护膜具有特定的厚度要求,如能进一步减小无氢类金刚石膜(DLC)的光学吸收,就能使其在较大厚度时不过分损失光通量而得以广泛应用。从这点来讲,无氢类金刚石膜是一种极具开发潜力的材料。本文采用非平衡磁控溅射技术(UBMS)制备了无氢类金刚石膜,并研究了其厚度均匀性。研究结果表明:该非平衡磁控溅射装置有能力获得大于Φ150mm的均匀性范围。对DLC膜红外透射谱的分析表明,分别在Si和Ge基底表面单面制备的DLC薄膜,其峰值透射率在波数2983/cm时分别为68.83%和63.05%,这一结果接近无吸收碳材料理论上所能达到的值。同时,在5000到800/cm范围内,未发现明显的吸收峰。这些优良的光学特性表明,采用非平衡磁控溅射技术制备的无氢DLC膜可以作为窗口的红外增透保护膜使用。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2007年06期）
周霞萍,邓林,韩媛媛,夏雨,John,P.Carr,Tianrui,Shen[5]（2006）在《腐殖酸植物生长素的表征研究及其平衡制备的关键技术》一文中研究指出腐殖酸植物生长素可以由内源和外在二种形式存在。本文结合作者的工作积累,着重介绍了用毛细管电泳、色谱、质谱、基因分析对腐殖酸内源生长素:吲哚酸、赤霉素和外在生长调节剂萘乙酸、水杨酸的表征研究及其制备技术;提出了根据农作物需要,复合成高效、价廉、环境友好的新型腐殖酸类生长素的基本方法,以及深入研究其相互作用机理,对促进腐殖酸类植物生长素产业化技术发展的重大意义。(本文来源于《第四届全国绿色环保农药新技术、新产品交流会暨第叁届生物农药研讨会论文集》期刊2006-08-15）
朱新河[6]（2002）在《常压非平衡等离子体渗扩及纳米粉制备的原理和技术》一文中研究指出常压气体放电非平衡等离子体技术是等离子体技术的前沿研究问题,本文首先对常压非平衡等离子体的研究现状进行了综述,提出了需要重点研究的问题。然后结合学科的特点,进行了常压非平衡等离子体的应用研究。研究极端工作条件下金属表面的减摩抗磨措施是本学科的任务之一,而对金属表面进行表面渗扩处理和向润滑油中加入添加剂是最常用的减摩抗磨措施。为此,研究了常压非平衡等离子体在金属材料表面渗扩处理中的应用,提出了金属表面常压非平衡等离子体渗扩的原理和技术; 其次,研究了常压非平衡等离子体在纳米粉体材料制备中的应用,为润滑油纳米添加剂的制备提出了新的制备方法。论文的主要成果和结论如下:1.研制了常压非平衡等离子体实验系统,并对实验系统进行了优化。2.采用常压非平衡等离子体进行了金属表面的渗扩处理和纳米粉体材料的制备研究,提出了相应的技术原理。实验结果表明所提出的技术原理是可行的,这种常压非平衡等离子体技术突破了现行常规非平衡等离子体技术中的真空限制,具有更大的实用价值。3.在常压下采用介质阻挡放电和介质阻挡强放电可产生非平衡等离子体,并可用于渗氮处理和TiO2 纳米粉的制备。渗氮处理后的金属表面具有表面硬度高,耐磨性和抗咬合能力好的特点。由于介质阻挡丝状放电具有更大的电场强度,放电气体等离子体中的离子、活性原子等的浓度高,电子能量大,因此,在纳米粉体材料制备中,制备效率和收集效果更好。4.利用发射光谱诊断方法发现常压非平衡等离子体渗氮的关键是气体(渗扩介质)放电时产生的常压非平衡等离子体中含有高能态的NH 分子、N_2~+分子离子( B~2 ∑_u~+)等活性粒子,这些粒(离)子与金属表面相互作用,不仅增加了表面活性,而且通过与金属表面及与电子的碰撞,生成活性氮原子,活性氮原子被金属表面吸收,在“粒(离)子锤”效应的作用下实现向金属内部渗扩,从而实现常压非平衡等离子体渗氮。5.利用常压气体放电非平衡等离子体实现了纳米粉体材料(TiO_2)的制备。实验结果表明:采用常压非平衡等离子体制备纳米粉体材料可以降低制备温度(如可在80℃进行),加速反应的进行,制备工艺和设备简单,并且可实现连续生产等,为低成本、高效率制备纳米粉体材料提供了新的途径。在现有的实验室条件下,(本文来源于《大连海事大学》期刊2002-06-01）
徐军[7]（2002）在《微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术及CN薄膜的制备研究》一文中研究指出本文的研究内容分两大部分：第一部分研究了一种新型的薄膜制备技术，即双放电腔微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射；第二部分为利用该技术制备CNx薄膜的研究。 双放电腔微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术使用两个相对放置的微波-ECR放电腔，它们分别位于沉积室的两侧；平衡磁控溅射靶位于沉积室之中的上侧，和沉积室上壁之间采用绝缘联接。两个ECR磁场线圈所产生的磁场和平衡磁控靶磁场，在沉积室中相互迭加，形成会切场磁场位型；通过调节电流的大小(0—100A连续可调)，可以调整两个ECR磁场共振面(875Gs)的相对位置和沉积室中会切场磁场位形。当ECR磁场线圈的电流均为51A时，磁场强度最小的区域位于沉积室中心，其大小为4.44Gs，微波-ECR共振面(875Gs)分别位于两个微波-ECR放电腔腔口，距沉积室中心均为300cm。当选用纯度为99.9％的高纯石墨作为靶材，纯度为99.999％的高纯氮气作为工作气体，磁场线圈电流为51A，微波功率为500W时，不同工作气压(0.007Pa，0.080Pa，1.000Pa)下的微波—ECR等离子体增强非平衡磁控溅射电流-电压放电特性均包含两种放电模式：电压模式和电流模式。其中，电压模式是微波-ECR等离子体增强作用的结果，而电流模式是微波-ECR等离子体增强和磁控靶自持交叉场放电共同作用的结果。该技术有下列特点：1)由于会切场磁场位型对等离子体等离子体的约束，有助于增强轰击溅射靶的离子流通量，促使溅射生成的活性粒子在压强力(包括磁压强和气压强)的作用下以一定的速度扩散到基体表面，在薄膜生长表面附近得到高密度的离子和激活基团。2)分别由平衡磁控溅射放电和微波ECR放电产生激活溅射原子、离子和激活反应气体原子、离子，通过调节溅射偏压和沉积偏压，可以控制薄膜生长表面的激活原子、离子到达比及能量分布。3)在微波—ECR等离子体增强及会切场对等离子体的约束两种因素的共同作用下，可实现超低工作气压下平衡磁控靶自持放电，从而可使微波—ECR等离子体源离子注入(PSII)和非平衡磁控溅射沉积在高真空下(≤1Pa)同步进行。 用微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术进行的CNx薄膜的制备研究，发现在最佳沉积工艺时，所制备的CNx薄膜的化学配比接近C_3N_4，薄膜中 摘 要（Abstract）SP‘C入键所占比例约为 92．70，硬度最高达42GPa。用 OES对沉积过程的诊断发现 CNx薄膜的生长因于fi N／、N。＼ CN’，目．CN激活基团的密度分布随工作气压的变化而表观出两种不同的结果：低气压下负辉区的密度大于等离于体区，高气压下则相反。在实验的基础上提出了生长因子CN‘基团的形成模型。初步探讨了CNX薄膜的成膜机理，提出了一个表面反应理论模型，该模型可以解释用传统的溅射技术制备CNX薄膜时，为什么很难得到正确的化学配比。(本文来源于《大连理工大学》期刊2002-01-01）
非平衡制备技术论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
非平衡磁控溅射技术是属于溅射沉积技术中常见的一类,有着沉积温蒂低、沉积速率高、制得的薄膜表面质量好等优点,广泛使用于无机薄膜涂层制备中。文中简要介绍了采用非平衡磁控溅射技术制备多种无机薄膜材料,如氧化钛、类金刚石、碳膜、氮化钛等。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
非平衡制备技术论文参考文献
[1].王俊玲,代海洋.中频脉冲非平衡磁控溅射技术制备类金刚石膜的结构与性能[J].真空.2016
[2].黄琼俭,周永福.非平衡磁控溅射技术在薄膜制备中的应用[J].生物技术世界.2013
[3].刘长江.基于飞秒激光非平衡掺杂技术黑硅材料的制备与光电器件研究[D].吉林大学.2012
[4].徐均琪,樊慧庆,刘卫国,杭凌侠.非平衡磁控溅射技术制备用于红外减反射的无氢碳膜(英文)[J].材料科学与工程学报.2007
[5].周霞萍,邓林,韩媛媛,夏雨,John,P.Carr,Tianrui,Shen.腐殖酸植物生长素的表征研究及其平衡制备的关键技术[C].第四届全国绿色环保农药新技术、新产品交流会暨第叁届生物农药研讨会论文集.2006
[6].朱新河.常压非平衡等离子体渗扩及纳米粉制备的原理和技术[D].大连海事大学.2002
[7].徐军.微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术及CN薄膜的制备研究[D].大连理工大学.2002
论文知识图
