65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估

65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估

论文摘要

质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65 nm工艺4 M×18 bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究。针对地球同步轨道、低地球轨道,使用Space Radiation 7.0程序,预估了低能质子、高能质子和重离子引起的错误率。错误率预估分析结果表明,不同轨道及环境模型下低能质子错误率占总错误率的比例范围为1%~86%,其中太阳质子事件、地球俘获带等环境模型中低能质子单粒子翻转引起的错误率占主导,建议空间应用的元器件对低能质子不敏感。

论文目录

  • 1 65 nm工艺SRAM质子单粒子效应实验
  •   1.1 实验器件
  •   1.2 实验束流参数
  •   1.3 实验结果
  • 2 在轨错误率预估及分析
  •   2.1 低能质子、高能质子和重离子错误率分析
  •   2.2 不同轨道及环境模型对错误率的影响
  •   2.3 地球纬度对错误率的影响
  •   2.4 阈值、饱和截面对错误率的影响
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 何安林,郭刚,沈东军,刘建成,史淑廷

    关键词: 质子单粒子翻转,空间辐射环境,错误率预估

    来源: 原子能科学技术 2019年02期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑

    专业: 航空航天科学与工程

    单位: 中国原子能科学研究院核物理研究所

    基金: 国家青年科学基金资助项目(11505295)

    分类号: V443

    页码: 366-372

    总页数: 7

    文件大小: 394K

    下载量: 73

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