PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法:一种改进的石墨烯转移技术

论文摘要

石墨烯具有高载流子迁移率、高热导率、高力学强度等独特性能,可应用于微电子器件、生物传感器、燃料电池、储能器件等,在许多领域拥有广阔的发展前景。如何转移得到少残胶、无破损的石墨烯是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的基于铜刻蚀法的石墨烯转移技术存在因聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶解不彻底、残留在石墨烯表面而造成污染的不足。鉴于此,本工作提出了PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法,即在铜刻蚀法中引入高水溶性的聚乙烯醇(PVA,醇解度98%)作为高强度PMMA和石墨烯之间的阻隔层,构成双支撑膜。光学显微镜(OM)、拉曼(Raman)光谱及电学性能测试的结果表明,该方法转移得到的石墨烯残胶少、表面洁净,具有高的结晶特性,并且其背栅场效应晶体管(BGFET)表现出良好的载流子迁移率。此外,该方法操作简便,同时还是一种潜在的用于多种二维材料转移的普适技术。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 王胜涛,卢维尔,王桐,夏洋

关键词: 石墨烯转移,聚乙烯醇,残胶,铜刻蚀法,聚甲基丙烯酸甲酯,支撑膜

来源: 材料导报 2019年02期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备

单位: 中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心,北京交通大学理学院,中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,中国科学院大学

基金: 国家自然科学基金青年基金(61604175,61427901)~~

分类号: TQ127.11;TB383.2

页码: 230-233

总页数: 4

文件大小: 1920K

下载量: 323

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