Zr掺杂对CeO2（111）表面空位形成及电子结构的影响

论文摘要

利用VASP软件,采用第一性原理的DFT+U方法计算了Zr掺杂前后CeO2（111）表面结构、氧空位形成能以及电子结构的变化.研究表明:Zr掺杂中心附近,表层Ce,O原子发生较大弛豫,Zr的掺杂明显降低了CeO2（111）表面的氧空位形成能,表明对其态密度无明显的影响. Zr掺杂前后的还原体系态密度图均在靠近费密能级左侧出现1个间隙态,表明有Ce4+被还原为Ce3+.

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 贾慧灵,邹春阳,吴锦绣,李梅

关键词: 掺杂,氧空位,电子结构,态密度

来源: 内蒙古科技大学学报 2019年02期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古科技大学材料与冶金学院

基金: 内蒙古自治区自然科学基金资助项目(2018MS02016)

分类号: TQ133.3

DOI: 10.16559/j.cnki.2095-2295.2019.02.003

页码: 113-116

总页数: 4

文件大小: 397K

下载量: 130

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