论文摘要
通过电化学沉积法以TiO2纳米管阵列（TNTs）为基底制备CdSe/TiO2异质结薄膜。研究TiO2纳米管阵列基底不同退火温度（200,350,450,600℃）对CdSe/TiO2异质结薄膜光电化学性能的影响。采用SEM,XRD,UV-Vis,电化学测试等方法对样品的微观形貌、晶体结构、光电化学性能等进行表征。结果表明:立方晶型的CdSe纳米颗粒均匀沉积在TiO2纳米管阵列管口及管壁上。TiO2纳米管阵列未经退火及退火温度为200℃时,为无定型态,在TiO2纳米管阵列上沉积的CdSe纳米颗粒数量少,尺寸小,异质结薄膜光电性能较差,光电流几乎为零。随着退火温度升高到350℃,TiO2纳米管阵列基底开始向锐钛矿转变;且沉积在TiO2纳米管上的CdSe颗粒增多,尺寸增大,光电化学性能提高。退火温度为450℃时光电流值达到最大,为4.05mA/cm2。当退火温度达到600℃时,TiO2纳米管有金红石相出现,CdSe颗粒变小,数量减少,光电化学性能下降。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 赵斌,张芮境,申倩倩,王羿,薛晋波,张爱琴,贾虎生
关键词: 异质结,退火温度,光电化学性能,相转变
来源: 材料工程 2019年08期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 材料科学,工业通用技术及设备
单位: 太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室,太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原理工大学材料科学与工程学院,太原理工大学轻纺工程学院
基金: 国家自然科学基金(21878257,51402209,21276220),山西省科技攻关计划项目(201603D121017),山西省重点研发国际科技合作项目(201803D421079),山西省基础研究项目(201701D221083),山西省高校科技创新研究项目(2016124)
分类号: TB383.2;TB383.1
页码: 90-96
总页数: 7
文件大小: 2320K
下载量: 85
相关论文文献
- [1].CdSe/TiO_2多孔泡沫电致化学发光淬灭法检测多巴胺[J]. 化学研究与应用 2017(11)
- [2].CdSe/TiO_2纳米复合材料的研究进展[J]. 微纳电子技术 2011(01)
- [3].CdSe/TiO_2纳米管阵列同轴异质结制备及其光电特性研究[J]. 软件 2013(01)
- [4].CdSe/TiO_2复合薄膜的制备及光电性能研究[J]. 材料工程 2013(01)
- [5].Ni_xCo_(3-x)O_4表面修饰对CdSe/TiO_2纳米管阵列光电化学氧化水活性的影响(英文)[J]. 无机化学学报 2013(03)