导读:本文包含了硅基底论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:银,多孔金字塔硅(Ag,PPSi),表面增强拉曼散射(SERS),局域表面等离子体共振(LSPR),检测限
硅基底论文文献综述
朱冬祥,鲁颖炜[1]（2019）在《银/多孔金字塔硅基底的制备及其SERS性能研究》一文中研究指出文章通过简单的湿化学方法制备了银/多孔金字塔硅(Ag/PPSi)基底。该基底结合了银纳米粒子优异的局域表面等离子体共振(localized surface plasmon resonance, LSPR)特性和多孔金字塔硅超大的多孔表面和规则金字塔阵列结构,具有优异的表面增强拉曼散射(surface enhanced Raman scattering,SERS)检测灵敏度和均匀性。实验结果表明,Ag/PPSi基底对罗丹明分子的检测限可低至10~(-10) mol/L,增强因子(enhancement factor,EF)可高达1.1×10~6,其SERS性能比普通的银/平面硅基底高一个数量级,因而有望成为一种新型的低成本、高灵敏的SERS基底。(本文来源于《合肥工业大学学报(自然科学版)》期刊2019年08期）
刘同冈,游坤,赵康康,查塔尔[2]（2019）在《硅基底复合自组装膜的制备及其微摩擦磨损性能研究》一文中研究指出采用共吸附法,在硅基底表面制备3-氨基丙基叁乙氧基硅烷(APS)和十二烷基叁甲氧基硅烷(WD-10)复合自组装膜.通过分子动力学模拟不同温度与混合分子在不同比例下的混合体系界面结合能;依据模拟结果,采用正交试验法设计试验方案制备9种不同条件下的自组装膜;采用原子力显微镜、接触角测定仪以及X射线光电子能谱仪对自组装膜的表面形貌、湿润性能和化学成分进行表征分析;利用微摩擦测试仪对自组装膜的微摩擦磨损性能进行性能测试.结果表明:混合分子成功组装到羟基化硅基底表面,并且当组装温度为25℃,组装时间为4 h,组装溶液的pH为6时,自组装膜的质量较好;制备的复合自组装膜由于引起了边界润滑效应,有效减小了试件表面的摩擦磨损,且两种混合分子比例为1:1时自组装膜的减摩特性最佳.(本文来源于《摩擦学学报》期刊2019年04期）
陈超湛[3]（2019）在《基于聚酰亚胺和硅基底的微型热式MEMS流量传感器研究》一文中研究指出对流体进行检测和控制在工业生产和日常生活中都至关重要,流速测量的仪器和方法广泛应用于食品、化工和医药等领域。热式流量传感器因为其工作量程大和工作原理简单而被广泛研究和使用。近年来医疗器械和精密化学分析等行业的发展对相关溶液和药液测量和控制的要求越来越高,传统热式流量计器件往往存在精度较低和体积重量大等问题,而热式MEMS流量传感器具有极高测量精度、微型化和加工成本低等特点,使其拥有极高的应用价值和研究意义。本文研究了基于柔性基底聚酰亚胺和刚性基底硅的两种微型热式流量传感器的设计和加工,探索热处理工艺和合金化工艺的工艺参数优化,提高传感器的性能。本文根据热式流量传感器的工作原理建立一维导热微分方程及边界条件,获得数学模型的解析结果对热式流量传感器的工作特性进行描述。基于COMSOL仿真软件分别对二元件热阻型和叁元件热电堆流量传感器建立仿真模型,研究其关键尺寸参数对传感器性能的影响。利用微机械加工工艺在聚酰亚胺基底上制作二元件热阻型流量传感器和在硅基底上制作叁元件热电堆流量传感器,并对已完成的热式流量传感器分别进行热处理和合金化的工艺参数优化,由实验数据对比得到相对优的热处理和合金化工艺参数。使用控制电路对制作的两种流量传感器进行了初步测试,对聚酰亚胺基底热阻型流量传感器进行了性能测试,对硅基底热电堆流量传感输入恒压电源,验证了热电堆的成功制作。通过数学模型和仿真模型研究了热式流量器的关键尺寸参数对工作性能的影响,并由仿真结果给出较优的参数组合;根据实验结果,350℃保温两小时的热处理工艺能使镍金属薄膜达到良好的性能以及450℃保温两小时的合金化工艺能使重掺杂磷多晶硅和铝金属组成的热电堆满足所需要的合金化要求;通过测试,所制作的柔性基底热阻型流量传感器信号能在所工作范围呈近线性关系和验证热电堆的成功制作。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2019-01-01）
张兆想,沈明学,徐朋帅,彭旭东,王玉明[4]（2018）在《两种单晶硅基底表面接枝PSVBA聚合物刷后的摩擦学性能对比》一文中研究指出为提高接枝表面的承载能力,延长其耐磨损寿命,采用原子转移自由基聚合反应(ATRP)在单晶硅表面上接枝了聚N-(4-乙烯基苄基)-N,N-二烷基氨基(PSVBA)刷,对比研究抛光(Ra=1.61 nm)和粗糙(Ra=0.32μm)的两种单晶硅表面有无接枝PSVBA聚合物刷的摩擦学性能。结果表明,与摩擦因数为1.4的未接枝表面相比,抛光面接枝聚合物刷后摩擦因数低至0.03,但因表面上的聚合物链易被磨断且不受保护,其耐磨寿命仅能维持2000个试验循环;粗糙面接枝聚合物刷后虽然摩擦因数上升至0.2,但该面上的摩擦试验可稳定运行约30 000个循环且未发生较大变化,其原因在于粗糙面上的微凹坑能够避免坑内的聚合物链与对摩副的直接接触,有效防止了该区域内聚合物刷的断裂,使其可以持续发挥润滑效果。因此,从延长服役寿命角度考虑,非光滑表面接枝聚合物刷具有较好的应用前景。(本文来源于《中国表面工程》期刊2018年01期）
贺育敢,朱美英,龙昊,杨俊佼[5]（2017）在《氧化硅基底负载TiO_2薄膜的制备及其光催化应用研究》一文中研究指出以钛酸丁酯为钛源,乙酰丙酮和冰醋酸为水解抑制剂,聚乙二醇为致孔剂,制备了一种稳定的TiO_2水溶胶。采用浸渍提拉法将TiO_2溶胶负载到活化的载玻片上,再经180℃水热或500℃煅烧得到TiO_2薄膜催化剂。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线晶体衍射(XRD)和Raman光谱等分析手段对样品进行了表征,结果表明:TiO_2薄膜是由粒径为8~12 nm的球形颗粒组成的多孔结构,其晶型为结晶度良好的锐钛矿。以甲基橙为光降解物,在紫外灯下测试薄膜的光催化性能,结果显示煅烧处理的TiO_2薄膜催化剂的光催化活性优于水热处理,对低浓度甲基橙的降解效率达90%以上,并且多次重复使用后光催化活性基本保持不变。(本文来源于《北京化工大学学报(自然科学版)》期刊2017年06期）
武佩,胡潇,张健,孙连峰[6]（2017）在《硅基底石墨烯器件的现状及发展趋势》一文中研究指出石墨烯是一种由单层碳原子紧密排列而形成的具有蜂窝状结构的二维晶体材料,特殊的结构赋予了其优异的性能,如高载流子迁移率、电导率、热导率、力学强度以及量子反常霍尔效应.由于石墨烯优异的特性,迅速激起了人们对石墨烯研究以及应用的热情.石墨烯沉积或转移到硅片后,其器件构建与集成和传统硅基半导体工艺兼容.基于石墨烯的硅基器件与硅基器件的有机结合,可以大幅度提高半导体器件的综合性能.随着石墨烯制备工艺和转移技术的优化,硅基底石墨烯器件将呈现出潜在的、巨大的实际应用价值.随着器件尺寸的纳米化,器件的发热、能耗等问题成为硅基器件与集成发展面临的瓶颈问题,石墨烯的出现为解决这些问题提供了一种可能的解决方案.本文综述了石墨烯作为场效应晶体管研究的进展,为解决石墨烯带隙为零、影响器件开关比的问题,采用了量子限域法、化学掺杂法、外加电场调节法和引入应力法.在光电器件研究方面,石墨烯可以均匀吸收所有频率的光,其光电性能也受到了广泛的关注,如光电探测器、光电调制器、太阳能电池等.同时,石墨烯作为典型的二维材料,其优越的电学性能以及超高的比表面积,使其作为高灵敏度传感器的研究成为纳米科学研究的前沿和热点领域.(本文来源于《物理学报》期刊2017年21期）
杨元瑞,柴青[7]（2017）在《2keV镓离子轰击单晶硅基底碰撞过程的分子动力学模拟研究》一文中研究指出阐述了聚焦离子束技术的原理,介绍了离子与固体相互作用的计算机模拟方法。结合Tersoff-ZBL势函数,运用分子动力学方法,模拟能量为2ke V的单个镓离子轰击硅表面。通过分析计算基底原子的速度等信息,研究了离子在入射过程中基底的温度变化等。并研究了入射离子在与硅基底原子的级联碰撞过程中造成的晶格损伤。研究发现,离子在入射过程中,通过级联碰撞,将能量传递给基底原子,基底温度出现峰值;当入射离子最终将能量传递给周围原子后,入射离子最终注入到基底内部,并观测到了入射离子在基底中形成的非晶化区域。研究结果为聚焦离子束刻蚀硅的分子动力学模拟提供理论指导。(本文来源于《传感器世界》期刊2017年03期）
高刘正,赵民伟,张威,李颖[8]（2016）在《电荷耦合器件硅基底辐照光场研究》一文中研究指出对电荷耦合器件(CCD)硅基底的光照能量分布进行了建模分析和实验研究。使用原子力显微镜和扫描电子显微镜获取了CCD的关键光学参数,即微透镜表面函数和二氧化硅增厚层厚度。模拟了垂直入射平面光在硅基底表面的能量分布,并与飞秒激光辐照损伤CCD的实验图像进行了比对,二者吻合良好。研究结果表明,微透镜与二氧化硅增厚层的共同作用使得激光能量几乎完全辐照在感光区,激光能量呈哑铃形分布。(本文来源于《光学学报》期刊2016年12期）
陈帅,谢灯,丘志仁,TIN,Chin-che,王洪朝[9]（2016）在《基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）》一文中研究指出立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3CSiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析:可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度。结果表明:该碳化硅(3C-SiC)薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响。(本文来源于《光散射学报》期刊2016年02期）
辛杰萍[10]（2016）在《蓝宝石和硅基底氧化锌薄膜的光学性质研究》一文中研究指出氧化锌(Zinc Oxide, ZnO)室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能约为60meV,是一种直接带隙宽禁带半导体材料。ZnO薄膜因具有性能稳定,生长温度低,并且对掺杂、温度、压力、表面形体结构、载流子浓度等因素非常敏感等优点,表现出优良的透明导电性、光电性、压电性等性质,是制造高效紫外/蓝色发光二极管、传感器、光电检测器和激光器件等方面的理想材料,因而成为半导体材料领域的一个研究热点之一。本论文采用金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)生长法,在MOCVD生长设备中同时放置蓝宝石(sapphire, Al2O3)和硅(Si)衬底,使得不同基底的ZnO薄膜在相同生长条件下生长。生长在蓝宝石和硅基底上的氧化锌薄膜样品分别表示为：ZnO/sap(薄厚为342nm)和ZnO/Si(薄厚为343nm)。通过光致发光光谱(Photoluminescence, PL)分析、时间分辨光谱(Time-resolved photoluminescence spectrum, TRPL)分析、X射线吸收精细结构(X-Ray absorption fine structure, XAFS)图谱分析等表征手段,对比分析两片样品的光谱,研究蓝宝石和硅基底对氧化锌薄膜的结构、光学性质的影响。本论文的主要研究工作有：(1) 266nm、325nm变温激发PL分析。在266nm激光激发的变温PL光谱中,发现发光峰位在20K-50K峰位出现了较小的蓝移；计算出氧化锌薄膜在相应温度下ZnO/sap的内量子效率高于ZnO/Si。对325nm激发的变温PL光谱的高斯拟合,确定发光峰并得出峰位随温度的变化情况；对比发现不同激发功率激发的ZnO/sap与ZnO/Si的积分光强接近,表明ZnO/sap发光质量高于ZnO/Si；通过光致发光的热猝灭公式拟合得到蓝宝石和硅基底上的氧化锌薄膜的激活能分别为207meV和205meV。(2)266nm激光10K、300K下变功率激发PL分析。分别对各光谱进行积分计算积分光强,相同条件下ZnO/sap发光积分光强均比ZnO/Si大；计算出300K温度下ZnO/Si和ZnO/sap的量子效率。(3)266nm激光变功率激发TRPL分析。通过对荧光衰减曲线的单指数函数拟合得到氧化锌薄膜的荧光寿命,ZnO/sap的荧光寿命略大于ZnO/ Si。分别对不同基底样品的积分光强进行线性拟合得到,ZnO/sap的积分光强随激发功率的增长率是ZnO/Si的2.64倍,发光效率较高。数据表明,在实验激发功率变化范围内,ZnO/sap的非辐射复合概率低于ZnO/Si.(4)Zn原子K边的XAFS分析。从EXAFS的数据拟合分析中得到薄膜中Zn-O,Zn-Zn的键长,计算出晶格常数a和c,从而计算氧化锌外延层所受应力分别为ZnO/Si:εx=7.49×10-5,εz=2.52×10-5;ZnO/sap: εx=-6.4×10-6,εz=5.76×10-8。对理论模型和实测数据的XANES光谱的比较分析得到,相对于理想ZnO单晶体材料,本论文生长的ZnO薄膜中O空位较少,并且相比于ZnO/sap,ZnO/Si氧化锌薄膜中的Zn空位较少。(本文来源于《广西大学》期刊2016-06-01）
硅基底论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用共吸附法,在硅基底表面制备3-氨基丙基叁乙氧基硅烷(APS)和十二烷基叁甲氧基硅烷(WD-10)复合自组装膜.通过分子动力学模拟不同温度与混合分子在不同比例下的混合体系界面结合能;依据模拟结果,采用正交试验法设计试验方案制备9种不同条件下的自组装膜;采用原子力显微镜、接触角测定仪以及X射线光电子能谱仪对自组装膜的表面形貌、湿润性能和化学成分进行表征分析;利用微摩擦测试仪对自组装膜的微摩擦磨损性能进行性能测试.结果表明:混合分子成功组装到羟基化硅基底表面,并且当组装温度为25℃,组装时间为4 h,组装溶液的pH为6时,自组装膜的质量较好;制备的复合自组装膜由于引起了边界润滑效应,有效减小了试件表面的摩擦磨损,且两种混合分子比例为1:1时自组装膜的减摩特性最佳.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅基底论文参考文献
[1].朱冬祥,鲁颖炜.银/多孔金字塔硅基底的制备及其SERS性能研究[J].合肥工业大学学报(自然科学版).2019
[2].刘同冈,游坤,赵康康,查塔尔.硅基底复合自组装膜的制备及其微摩擦磨损性能研究[J].摩擦学学报.2019
[3].陈超湛.基于聚酰亚胺和硅基底的微型热式MEMS流量传感器研究[D].哈尔滨工业大学.2019
[4].张兆想,沈明学,徐朋帅,彭旭东,王玉明.两种单晶硅基底表面接枝PSVBA聚合物刷后的摩擦学性能对比[J].中国表面工程.2018
[5].贺育敢,朱美英,龙昊,杨俊佼.氧化硅基底负载TiO_2薄膜的制备及其光催化应用研究[J].北京化工大学学报(自然科学版).2017
[6].武佩,胡潇,张健,孙连峰.硅基底石墨烯器件的现状及发展趋势[J].物理学报.2017
[7].杨元瑞,柴青.2keV镓离子轰击单晶硅基底碰撞过程的分子动力学模拟研究[J].传感器世界.2017
[8].高刘正,赵民伟,张威,李颖.电荷耦合器件硅基底辐照光场研究[J].光学学报.2016
[9].陈帅,谢灯,丘志仁,TIN,Chin-che,王洪朝.基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）[J].光散射学报.2016
[10].辛杰萍.蓝宝石和硅基底氧化锌薄膜的光学性质研究[D].广西大学.2016
标签：银; 多孔金字塔硅(Ag; PPSi); 表面增强拉曼散射(SERS); 局域表面等离子体共振(LSPR); 检测限;