导读:本文包含了面内场论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:布洛赫,内场,哑铃,临界,温度,论文,软畴段。
面内场论文文献综述
胡云志,孙会元[1]（2009）在《面内场对叁类硬磁畴的影响》一文中研究指出采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中叁类硬磁畴的影响.得到面内场作用下叁类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且叁类硬磁畴具有相同的临界面内场范围[Hi1p,Hi2p],其中Hi1p是硬磁畴中VBL开始丢失时的临界面内场,H2ip是VBL完全丢失时的最小临界面内场.实验结果还揭示了面内场作用下VBL链的解体与硬磁畴的硬度无关,为解释面内场作用下VBL的消失机制提供了重要线索.此外,还为准确测量VBL的临界面内场提供了一种新方案.(本文来源于《物理学报》期刊2009年02期）
顾建军,李春光,孙会元[2]（2007）在《软畴段的分界面内场与硬磁畴临界面内场关系》一文中研究指出研究了软畴段的分界面内场与叁类硬磁畴临界面内场的关系。实验发现,在相同温度下,软畴段的分界面内场与硬磁畴的起始软化面内场是相等的。此外,我们还把硬磁畴的起始软化面内场随温度变化的关系曲线与材料的饱和磁化强度随温度变化的关系曲线进行了比较,得出了一些新的结论。(本文来源于《承德石油高等专科学校学报》期刊2007年04期）
李秀玲,王丽娜,郭革新,李静[3]（2007）在《面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响》一文中研究指出实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hi(p1),Hi(p2)],其中Hi(p1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hi(p2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hi(p1))IID<(H(ip1))ID<(Hi(p1))OHB;(Hi(p2))IID=(Hi(p2))ID=(Hi(p2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hi(p1)和Hip*以及范围[Hi(p1),Hi*p]都随着Hb的增加而减小或变窄.(本文来源于《河北师范大学学报(自然科学版)》期刊2007年02期）
顾建军,杨素娟,封顺珍,孙会元[4]（2006）在《硬磁泡临界面内场的重新测定》一文中研究指出实验找到了一种准确测量OHB临界软化面内场的方法,用这种经过改进的方法测量时,在面内场软化的起始值,OHB就会有较高的软化率,实验观察非常方便.同时,也证明了在临界面内场Hi(p1)时开始丢失VBL的OHB对应的是那些含VBL较少的OHB.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2006年06期）
王丽娜,郭革新,聂向富[5]（2006）在《面内场对第Ⅰ类哑铃畴“切尾”后畴壁内VBLs解体的影响》一文中研究指出实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场Hi(p1),Hip*和Hi(p2).通过“切尾”实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs)的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2006年03期）
顾建军,李秀玲,张丽娇,孙会元[6]（2004）在《面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响》一文中研究指出实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫线链完全解体的最小临界面内场.此外,实验发现不同低直流偏场下产生的枝状畴在面内场作用下的软化过程相同,且在这个临界面内场范围内畴壁中的VBL是逐步丢失的.同时实验结果也证明了枝状畴畴壁中VBL是随机分布的.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2004年06期）
贾莲芝,封顺珍,胡海宁,孙会元[7]（2004）在《转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线的消失》一文中研究指出通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律.结果发现,转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失存在一个临界面内场范围[H(0)ip,Hip′],比不转动面内场时的临界面内场明显变窄,主要是由Hip′的迅速下降引起的.证明了面内场作用下VBL的最易消失方向为面内场与畴壁垂直的方向.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2004年03期）
刘素平,徐建萍,聂向富[8]（2004）在《温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响》一文中研究指出实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)<Hip<H(2)ip(T),H(2)ip(T)],当Hip<H(1)ip(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H(1)(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场Hip的增大,VBL丢失得越来越多;当Hip>H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T)也分别随温度的升高ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2004年01期）
徐建萍,刘素平,聂向富[9]（2004）在《温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响》一文中研究指出实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)<Hip<ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,IID畴壁中VBL稳定存在;当H(1)H(2)ip(T)时,IIDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,IID畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2004年01期）
张丽娇[10]（2003）在《面内场对枝状畴畴壁中VBL稳定性的影响》一文中研究指出本文首次研究了在面内场的作用下，用“低直流偏场法”产生的枝状畴畴壁中VBL的消失规律。实验发现，用“低直流偏场法”产生的IID枝状畴在面内场作用下的软化存在一个临界面内场范围[H_(ip)~((0))，H_(ip)′]。在这个临界面内场范围内，畴壁中的VBL是逐渐丢失的。本实验还对经过直流偏场压缩的枝状畴和未经过直流偏场压缩的枝状畴在面内场作用下的软化过程进行了比较，实验发现，经过直流偏场压缩的枝状畴在面内场的作用下软化时，对应R_(IID)=0时的面内场值是不同的。随着产生枝状畴时的直流偏场的增加，枝状畴在R_(IID)=0时所对应的面内场值是逐渐减小的，证明了枝状畴畴壁中的VBL是随几分布的，也从另外一个角度证明了在面内场作用下VBL的消失存在一个最易方向。 另外，为了更加准确地测定OHB畴壁中的VBL软化的临界面内场范围，本文对经过筛选的OHB在H_(ip)作用下其畴壁中VBL的消失规律给予了研究。用这种经过改进的实验方法进行测量的时候，在H_(ip)软化的起始值，OHB就会有较高的软化率，这就给实验上的观察带来了方便，并且准确率也比较高。所以在本文中用比较准确的实验方法测得了OHB畴壁中的VBL在面内场的作用下，存在一个与材料参量相关的临界面内范围「H罗，H永]，并且也证明了在临界面内场H罗’时丢失VBL的OHB对应的是那些含vBL较少的oHBo(本文来源于《河北师范大学》期刊2003-04-01）
面内场论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究了软畴段的分界面内场与叁类硬磁畴临界面内场的关系。实验发现,在相同温度下,软畴段的分界面内场与硬磁畴的起始软化面内场是相等的。此外,我们还把硬磁畴的起始软化面内场随温度变化的关系曲线与材料的饱和磁化强度随温度变化的关系曲线进行了比较,得出了一些新的结论。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
面内场论文参考文献
[1].胡云志,孙会元.面内场对叁类硬磁畴的影响[J].物理学报.2009
[2].顾建军,李春光,孙会元.软畴段的分界面内场与硬磁畴临界面内场关系[J].承德石油高等专科学校学报.2007
[3].李秀玲,王丽娜,郭革新,李静.面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响[J].河北师范大学学报(自然科学版).2007
[4].顾建军,杨素娟,封顺珍,孙会元.硬磁泡临界面内场的重新测定[J].河北师范大学学报.2006
[5].王丽娜,郭革新,聂向富.面内场对第Ⅰ类哑铃畴“切尾”后畴壁内VBLs解体的影响[J].河北师范大学学报.2006
[6].顾建军,李秀玲,张丽娇,孙会元.面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响[J].河北师范大学学报.2004
[7].贾莲芝,封顺珍,胡海宁,孙会元.转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线的消失[J].河北师范大学学报.2004
[8].刘素平,徐建萍,聂向富.温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响[J].河北师范大学学报.2004
[9].徐建萍,刘素平,聂向富.温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响[J].河北师范大学学报.2004
[10].张丽娇.面内场对枝状畴畴壁中VBL稳定性的影响[D].河北师范大学.2003
论文知识图
