导读:本文包含了带隙电流论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:基准,系数,电流,曲率,温度,电压,高阶。
带隙电流论文文献综述
杜滨媛,陆建恩,蒋政,刘锡锋[1]（2019）在《一款带电流驱动能力的带隙基准》一文中研究指出设计了一款带电流驱动能力的带隙基准电路。整体电路由带隙基准电路及电压跟随器电路两个模块组成,从而保证了在基准电压的条件下同时具备了电流驱动的能力。电路结构包含启动电路、电压基准以及运放结构,整体设计采用负反馈结构大大减小了版图绘制的面积。总体电路版图面积约为0.0020mm~2。电路在CSMC 0.18um工艺条件下进行设计、仿真和版图绘制,结果表明,该电压基准输出电压为1.14V,输出驱动电流最大为0.1m A,温度系数为0.6mV/℃,线性调整率为9.1μV/V,工作电流为43μA。(本文来源于《中国集成电路》期刊2019年04期）
张普杰,王卫东,李耀臻[2]（2017）在《电流模式的高阶曲率补偿CMOS带隙基准源》一文中研究指出因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小进行调节。电路采用gpdk090 CMOS工艺,通过Spectre仿真,当电源电压为3.6 V、在-60℃~-120℃温度范围内、温度系数为14.4×10-6/℃时电源电压抑制比为78.3 d B,输出电压平均为1.162 V。(本文来源于《微型机与应用》期刊2017年24期）
尹洪剑,万辉,高炜祺[3]（2017）在《一种具有大电流驱动能力的低温漂带隙基准电压源》一文中研究指出基于XFAB 0.6μm CMOS工艺,设计了一种具有大电流驱动能力的低温度系数带隙基准电压源。通过设置不同温度系数的电阻的比值,实现带隙基准的2阶曲率补偿。采用新的电路结构,使基准源具有驱动10 m A以上负载电流的能力。经过Hspice仿真验证,常温基准输出电压为2.496 V,-55℃～125℃温度范围内的温度系数是3.1×10~(-6)/℃;低频时,电源电压抑制比为-77.6 d B;供电电压在4～6 V范围内,基准输出电压的线性调整率为0.005%/V;负载电流在0～10m A范围内,基准输出电压波动为219μV,电流源负载调整率为0.022 m V/m A。(本文来源于《微电子学》期刊2017年04期）
李政达,黄鲁[4]（2017）在《一种具有鲁棒启动行为的自偏置电流模式带隙基准》一文中研究指出在很多应用中,带隙基准需要在很宽的电源电压范围内都能正常工作,而启动电路注入带隙基准的电流大小往往会因为电源电压的变化而受到影响。因此,对带隙基准的启动行为研究变得很重要,尤其对于自偏置电流模式带隙基准,该结构在启动过程中有一段非正常工作区。文章详细分析了影响自偏置电流模式带隙基准正常启动的原因,进而提出一种具有鲁棒启动行为的自偏置电流模式带隙基准,增强了自偏置电流模式带隙基准的启动鲁棒性,同时也简化了启动电路的设计。带隙基准的设计采用65 nm CMOS工艺,温度系数为17.2 ppm/℃,总电流消耗为35μA。(本文来源于《微型机与应用》期刊2017年13期）
孙楷添,丁星火,张甘英[5]（2017）在《基于锗硅BiCMOS工艺的射频带隙基准电流源设计》一文中研究指出射频电路偏置电流源对噪声的要求越来越高,引进的噪声不容忽视,带隙基准源在保证温漂系数的同时要求有较低的噪声。设计了一款不采用运放结构简单的射频带隙基准源电路,电源电压3.3 V,基准电压V_(REF)为3.14 V,采用PNP双极管和电阻,利用缓冲器负载实现输出DC点和输出摆幅不变,改善了温度系数并且降低了噪声。基于0.18μm SiGeBiCMOS工艺的仿真结果表明,在-55~125℃温度范围内,温漂系数为9.613×10~(-6)/℃;7.5 GHz频率下,100 kHz处噪声为6.164 nV/sqrt(Hz),总输出噪声低至2.08×10~(-6) V。(本文来源于《电子与封装》期刊2017年06期）
肖丹,吴婷茜[6]（2017）在《一种新型低功耗电流模式CMOS带隙基准设计》一文中研究指出为了降低传统带隙基准源的功耗和面积,提出了一种新型基于电流模式高阶曲率修正的带隙基准电压源电路。通过改进的电流模式曲率校正方法实现高阶温度补偿,并且通过集电极电流差生成绝对温度成正比PTAT(Proportional To Absolute Temperature)电流,因此所需电阻以及双极型晶体管BJT(Bipolar Junction Transistor)数量更少。采用标准0.35μm CMOS技术对提出电路进行了具体实现。测量结果显示,温度在-40℃～130℃之间时,电路温度系数为6.85×10~(-6)/℃,且能产生508.5 mV的基准电压。相比其他类似电路,当供电电源为3.3 V时,提出电路的整体静态电流消耗仅为9.8μA,面积仅为0.09 mm~2。(本文来源于《电子器件》期刊2017年02期）
贝卡（Dondi,Rebecca,Cornelius）[7]（2016）在《低电压、电流模型带隙基准参考电路的设计》一文中研究指出带隙基准电路是模拟电路中的一个十分重要的组成部分,尤其在模数转换电路中,输入电压需要和若干参考电压进行比较,以判断对应的数字值。带隙基准电路同时也应用于DRAM/Flash存储器、电源电路、直流偏置电压和数模转换器(DAC)中。本文设计了一个不受温度和电源电压影响的高鲁棒性、低压、电流模式的CMOS带隙基准参考源。电路工作的结温度为0~100摄氏度,输入电压为0.8~1.8V,可以提供稳定的0.6V电压输出。电路使用UMC 180nm CMOS工艺实现,并使用Cadence软件进行了仿真验证。所设计的电路由折迭式共源共栅运算放大器(OPA)、电流镜、启动电路和偏置电路组成。根据电路仿真的结果,可以得到电路的温度系数为20ppm/℃。当在较低的输入电压下工作时,电路的功耗很小。第一章和第二章介绍了带隙基准电路的背景和别人所做的研究成果,以及减小电源电压的几种方法。第叁章、第四章介绍了电路的详细结构、设计实现和仿真结果。(本文来源于《北京理工大学》期刊2016-06-01）
范楚亮,陈向东,黄炎炎,叶福川[8]（2014）在《低电流比例失调的无电阻带隙基准电压源》一文中研究指出提出了一种改善电流比例失调的无电阻带隙基准电压源。该电路将传统源耦差分对结构的电压转换器改进为共源共栅结构电流镜,并引入了一对额外的电流镜来钳制漂移,显着改善由沟道长度调制效应所引起的电流镜失调,同时减小了电流比例系数的温度漂移。设计了自偏置电路、启动电路以及简单二阶补偿电路,采用0.5μm BCD工艺仿真,在5 V工作电压下,输出电压有效温度系数为19.8×10–6/(℃–45~+125℃),低频电源抑制比PSRR为–50dB,工作电压在4.0~6.5 V变化时,输出电压变化小于17 mV,电路总功耗约300μW。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2014年10期）
朱光荣,尹岱,聂卫东,于宗光[9]（2014）在《失配电流控制的高阶带隙基准工艺健壮性研究》一文中研究指出分析了基于失配电流控制的高阶补偿带隙基准的补偿原理,并研究了工艺偏移对基准电压温度系数的影响。基于失配电流控制的补偿策略具有结构简单、控制精度高,而且可以通过调整失配电流和多晶电阻阻值,使带隙基准具有较低的温度系数,同时具有较强的工艺健壮性。模拟分析表明,在-25℃-125℃温度范围内,在TT(Typical-Typical)工艺角下,带隙基准的温度系数为4.8ppm/℃,同时在其他工艺角下,带隙基准的温度系数都可控制在9.0ppm/℃以下。通过无锡上华科技(CSMC)0.18μm CMOS工艺实验验证,采用这种简单失配电流控制的高阶补偿带隙基准,在3V电源电压下,在-20℃-120℃温度范围内,带隙基准的温度系数最低为6.9ppm/℃。(本文来源于《微处理机》期刊2014年04期）
杨宁,史仪凯,袁小庆,庞明[10]（2014）在《高精度、低功耗带隙基准源及其电流源设计》一文中研究指出提出一种适用于红外焦平面阵列传感器的高精度BiCMOS电压基准和电流基准设计方案。该方案采用新型电压基准输出级降低Brokaw带隙基准源中的厄尔利效应使电流镜电流完全匹配,同时减小电压基准的输出阻抗;接着利用共源共栅结构的偏置电流提高带隙基准的电源抑制PSR(Power Supply Rejection)特性;最后通过4个MOSFET管将基准电压和电阻电压钳制相等,进而得到一个高精度、低温度系数的电流基准;而以单个二极管连接的MOSFET作为电流基准启动电路的方式,可更进一步降低电路复杂性。系统采用CSMC 0.5μm BiCMOS工艺,利用Cadence Spectre工具对电路进行仿真。结果表明,在电源电压5 V,-40℃到125℃温度范围内,基准电压和基准电流的温度系数分别为13×10-6/℃和31×10-6/℃,输出电流波动低于0.5%,整体电路的PSR为-86.83 dB,解决了恒定跨导基准源精度低的缺陷,符合红外焦平面阵列对基准源高精度、高PSR和低功耗的要求。(本文来源于《传感技术学报》期刊2014年01期）
带隙电流论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小进行调节。电路采用gpdk090 CMOS工艺,通过Spectre仿真,当电源电压为3.6 V、在-60℃~-120℃温度范围内、温度系数为14.4×10-6/℃时电源电压抑制比为78.3 d B,输出电压平均为1.162 V。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
带隙电流论文参考文献
[1].杜滨媛,陆建恩,蒋政,刘锡锋.一款带电流驱动能力的带隙基准[J].中国集成电路.2019
[2].张普杰,王卫东,李耀臻.电流模式的高阶曲率补偿CMOS带隙基准源[J].微型机与应用.2017
[3].尹洪剑,万辉,高炜祺.一种具有大电流驱动能力的低温漂带隙基准电压源[J].微电子学.2017
[4].李政达,黄鲁.一种具有鲁棒启动行为的自偏置电流模式带隙基准[J].微型机与应用.2017
[5].孙楷添,丁星火,张甘英.基于锗硅BiCMOS工艺的射频带隙基准电流源设计[J].电子与封装.2017
[6].肖丹,吴婷茜.一种新型低功耗电流模式CMOS带隙基准设计[J].电子器件.2017
[7].贝卡（Dondi,Rebecca,Cornelius）.低电压、电流模型带隙基准参考电路的设计[D].北京理工大学.2016
[8].范楚亮,陈向东,黄炎炎,叶福川.低电流比例失调的无电阻带隙基准电压源[J].电子元件与材料.2014
[9].朱光荣,尹岱,聂卫东,于宗光.失配电流控制的高阶带隙基准工艺健壮性研究[J].微处理机.2014
[10].杨宁,史仪凯,袁小庆,庞明.高精度、低功耗带隙基准源及其电流源设计[J].传感技术学报.2014
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