导读:本文包含了发射模型论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电感分断放电,阴极电子发射,椭圆积分,热场致电子发射
发射模型论文文献综述
赵永秀,刘树林,王瑶,王骑[1]（2019）在《安全火花试验电极热场致发射模型和温度效应的数值模拟研究》一文中研究指出研究安全火花试验装置的镉盘试验电极温度分布和热场致电子发射特性为研究感性电路分断放电特性和揭示其电弧放电机理奠定理论基础。根据量子理论,热场致电子发射电流密度主要取决于阴极表面温度和外加电场等因素。因此基于椭圆积分法,推导出阴极电子穿透率的数学表达式,得出热场致电子发射电流密度与温度及外加电场之间的关系表达式;综合考虑试验电极的微观表面形貌、发射电流密度、焦耳热和热传导效应,数值计算阴极微凸起的表面温度变化规律。实例模拟仿真结果表明:当镉盘阴极表面温度在熔点和沸点范围内时,热场致电子发射电流密度随外电场和阴极表面温度的增大而非线性增加;在不同外加电场下,阴极微凸起温度随放电时间呈非线性增长,且增长率越来越大;阴极微凸起顶端温度在极短时间(ns级)内上升到熔点,从而引起其顶端局部发生微爆炸电子发射。这为进一步研究感性电路分断放电的微观机理和本安非爆炸性评价奠定了理论基础。(本文来源于《电工技术学报》期刊2019年20期）
罗岚,杨斯媚,陈弟虎,粟涛[2]（2019）在《数字IC的射频电磁发射模型建模方法》一文中研究指出针对传统方法无法直接得到芯片内核到外部引脚传输路径特性的问题,提出了一种简单有效的数字IC的电磁发射建模方法。该模型由内部活动模型和传输路径模型组成。利用嵌入式环形振荡器的直流响应和外源射频干扰效应,直接测量出芯片内核到外部引脚路径的电压传输率,有效抽取出传输模型结构。利用晶体管级Hspice仿真得到内部活动模型,获得了完整的电磁发射模型。在SMIC 130nm工艺的测试芯片上应用该模型,对比模型仿真结果与实物测量结果,验证了该模型建模方法的正确性。该方法可用于系统设计阶段,对数字IC的电磁发射进行预测,使系统能满足电磁发射的要求。(本文来源于《微电子学》期刊2019年01期）
牛清勇,李天匀[3]（2015）在《水下气动发射模型内流场仿真分析》一文中研究指出利用FLUENT软件对某水下气动发射模型发射过程的内流场特性进行了仿真研究。基于标准κ-ε湍流模式和轴对称模型进行了瞬态内流场分析。使用自定义函数和动态层网格更新方法,对因阀开启和武器运动引起的内流场边界的变化进行了模拟。通过对发射气瓶在不同初压条件下的内流场仿真,分析了内弹道参数随时间的变化规律和发射装置内流场压强的空间分布规律。最后进行了水池发射试验,验证了仿真分析方法的有效性。(本文来源于《机床与液压》期刊2015年04期）
张正亮,华智林,庞宇,马勋,黄华伟[4]（2015）在《无线人体局域网基带发射模型研究》一文中研究指出随着无所不在的医疗保健时代的来临,人体局域网(BAN)受到了国内外研究人员的广泛关注。为了促进人体局域网技术的发展,IEEE 802.15-TG6小组拟定了BAN技术规范草案,该技术规范草案中定义了叁个物理层:窄频带、超宽带、人体通信。本文将对BAN窄带物理层发射模型进行研究。BAN基带发射模型包括信道编码、扩频、交织、扰码、调制。根据草案提出的规范,搭建BAN基带发射浮点数模型,并对搭建的模型进行仿真验证。结果表明,在适当的信噪比情况下,搭建的基带发射浮点数模型得到了较理想的误码率,满足了BAN通信技术的要求,为后续BAN物理层研究打下了基础,同时也有利于整个BAN物理层基带的完善。(本文来源于《生命科学仪器》期刊2015年01期）
覃海娟[5]（2014）在《霍尔推力器壁面材料二次电子发射模型及鞘层特性研究》一文中研究指出霍尔推力器是一种将电能转化为动能的先进电推进装置,因其具有高效率、高比冲等优点而广泛适用于航天器的轨道提升、位置保持等空间推进任务。推力器通道内的等离子体和绝缘壁面材料碰撞时会在壁面附近形成鞘层。鞘层的厚度在德拜长度量级,因其尺度较小,不易用实验测量。而鞘层对推力器的放电效率、推力等性能具有重要影响。因此,深入研究不同壁面材料的鞘层特性对提高霍尔推力器各项性能指标具有重要意义。本文针对霍尔推力器放电通道中电子打到壁面发生弹性反射的情况,改进了壁面碳化硅和石墨材料的二次电子发射模型,数值研究了二次电子能量分布随入射电子温度的变化规律。结果表明：改进后的二次电子模型与实验数据吻合得较好,且出射电子流具体分布与实际物理规律一致。在改进的二次电子发射模型基础上,根据放电通道具有轴对称的几何特点,建立二维物理模型,确定边界条件,采用粒子模拟方法研究了四种壁面材料(氮化硼BN、碳化硅SiC、石墨C和叁氧化二铝Al203)的鞘层特性。结果表明：在相同电子温度下,C、BN、SiC和Al203壁面材料的二次电子发射系数依次增大；在鞘层0到5德拜范围内,BN、SiC、C和Al203鞘层电子数密度大小相同,均维持在同一个稳定值,而在鞘层0到5德拜范围内,电子数密度和鞘层电势均朝壁面方向下降,且在壁面附近达到各自的最小值。针对霍尔推力器常用的BN壁面材料,数值研究了鞘层内电子与壁面的碰撞频率以及近壁传导电流的分布规律。结果表明：电子与壁面的碰撞频率与鞘层内电子数密度成正比；随着电子温度升高,电子与壁面的碰撞频率增大。近壁传导电流的峰值随着电子数密度和温度的升高而增大,而峰值位置在通道内向壁面移动。(本文来源于《大连海事大学》期刊2014-11-20）
左应红,王建国,范如玉[6]（2014）在《真空二极管阴极表面场致发射模型的研究》一文中研究指出为研究真空二极管阴极表面场致发射模型的算法及数值模拟参数对场致发射过程的影响,建立了计算阴极表面电场强度的有限差分近似模型和高斯定理模型,并基于高斯定理模型自行编程对不同间隙距离的二极管进行模拟计算。模拟得到了场致发射过程中阴极表面电场随时间的演变特性及阴极表面稳态电场与外加电场之间的关系,还将阴极表面稳态电场的模拟结果与理论分析结果进行了对比。研究结果表明,空间网格划分数目的多寡对基于高斯定理场致发射模型计算得到的阴极表面电场的影响不大;每个宏电子包含真实电子的数目、二极管间隙距离、二极管外加电场强度等参数均会对数值模拟结果产生显着影响。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2014年06期）
游检卫,张剑锋,李韵,王洪广[7]（2013）在《Vaughan二次电子发射模型的深入研究与拓展》一文中研究指出当前国际上基于Vaughan二次电子模型的材料数据库十分丰富,且其数据均经过大量实验验证,具有很高的实验精度和可信度。为了将这些数据库融入到自主开发的电磁粒子联合模拟平台,完善和提高电磁粒子混合算法的计算精度,在对经典Vaughan模型做了深入研究的基础上,成功地推导出产生二次电子数目的计算方法。此外,为了使经典Vaughan二次电子发射理论更便捷和完整地应用到实际工程应用当中,还对二次电子出射能量以及二次电子出射角度的计算等实际问题做了进一步的拓展性研究。数值计算结果验证了拓展后Vaughan模型算法的准确性和鲁棒性。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2013年11期）
方哲,郁滨,岳云天[8]（2013）在《串行传输线同步信号辐射发射模型研究》一文中研究指出在同步信号自身频谱特性研究基础上,利用天线效应和极子积分方法,建立了串行传输线同步信号的单线辐射发射模型。分析提出传输线上电流分布的近似驻波状态,并以此为条件推导出串行传输线辐射发射模型的近似解,通过对模型近似解的进一步分析,得到串行同步信号谐波分量的辐射发射规律,给出了串行传输线同步信号辐射发射极值频率、基波频率和同步信号占空比间确定的函数关系。针对串行传输线辐射发射的实验测试结果表明,所建模型可以准确描述串行传输线同步信号的电磁信息辐射泄漏特性。同时,与其他模型对比分析可知,该模型对串行传输线同步信号时频域辐射泄漏规律的刻画更为准确全面。(本文来源于《仪器仪表学报》期刊2013年10期）
杨文晋,李永东,刘纯亮[9]（2013）在《高入射能量下的金属二次电子发射模型》一文中研究指出基于高入射能量电子产生二次电子发射的物理过程,分别对高入射能量电子产生的真二次电子和背散射电子的概率进行理论分析与建模.利用Bethe能量损失模型和内二次电子逸出概率分布,推导出高入射能量电子产生有效真二次电子发射的系数与入射能量的关系式;根据高入射能量电子在材料内部被吸收的规律,推导出高入射能量电子产生背散射电子的系数与入射能量之间的关系式.结合两者得到高入射能量下金属的二次电子发射模型.利用该模型计算得到典型金属材料Au,Ag,Cu,Al的二次电子发射系数,理论计算结果与采用Casino软件模拟金属内部散射过程得到的数值模拟结果相符.(本文来源于《物理学报》期刊2013年08期）
彭凯,夏蒙重,杨超,刘大刚[10]（2012）在《3维楔形阴极场致发射模型》一文中研究指出分析了场致发射的物理机理,在3维Yee网格模型的基础上导出并实现了场致发射的发射条件,并引入Pade网格算法加密尖端网格。以一个楔形阴极场致发射模型为例得到了场致发射的伏安特性曲线,并且在高电压时得到了3/2次方的空间电荷限制流。同时为了解决粒子数与网格的巨大引起的计算量大的问题,引入了消息传递机制并行算法,得到3.0以上的并行加速比。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2012年07期）
发射模型论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对传统方法无法直接得到芯片内核到外部引脚传输路径特性的问题,提出了一种简单有效的数字IC的电磁发射建模方法。该模型由内部活动模型和传输路径模型组成。利用嵌入式环形振荡器的直流响应和外源射频干扰效应,直接测量出芯片内核到外部引脚路径的电压传输率,有效抽取出传输模型结构。利用晶体管级Hspice仿真得到内部活动模型,获得了完整的电磁发射模型。在SMIC 130nm工艺的测试芯片上应用该模型,对比模型仿真结果与实物测量结果,验证了该模型建模方法的正确性。该方法可用于系统设计阶段,对数字IC的电磁发射进行预测,使系统能满足电磁发射的要求。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
发射模型论文参考文献
[1].赵永秀,刘树林,王瑶,王骑.安全火花试验电极热场致发射模型和温度效应的数值模拟研究[J].电工技术学报.2019
[2].罗岚,杨斯媚,陈弟虎,粟涛.数字IC的射频电磁发射模型建模方法[J].微电子学.2019
[3].牛清勇,李天匀.水下气动发射模型内流场仿真分析[J].机床与液压.2015
[4].张正亮,华智林,庞宇,马勋,黄华伟.无线人体局域网基带发射模型研究[J].生命科学仪器.2015
[5].覃海娟.霍尔推力器壁面材料二次电子发射模型及鞘层特性研究[D].大连海事大学.2014
[6].左应红,王建国,范如玉.真空二极管阴极表面场致发射模型的研究[J].真空科学与技术学报.2014
[7].游检卫,张剑锋,李韵,王洪广.Vaughan二次电子发射模型的深入研究与拓展[J].强激光与粒子束.2013
[8].方哲,郁滨,岳云天.串行传输线同步信号辐射发射模型研究[J].仪器仪表学报.2013
[9].杨文晋,李永东,刘纯亮.高入射能量下的金属二次电子发射模型[J].物理学报.2013
[10].彭凯,夏蒙重,杨超,刘大刚.3维楔形阴极场致发射模型[J].强激光与粒子束.2012