导读:本文包含了单电子隧穿论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:量子,电子,台阶,晶体管,方程,空穴,复合体。
单电子隧穿论文文献综述
李玉丹[1]（2011）在《单电子隧穿耦合量子点的输运和光学性质》一文中研究指出本文是在已经研究了单电子晶体管的隧穿特性的基础上,我们在单电子晶体管系统中,加入另外一个量子点,原来的主量子点和第二个量子点通过两个量子点中电子和空穴的Hubbard-like相互作用耦合到一起。利用格林函数的计算方法,分析此种耦合量子点系统的特性。本文安排如下：第一章,概述半导体量子点的一些基本知识,首先是简单介绍了量子点的概念,较为详细的介绍了量子点的一些独特的量子效应,接着阐述了一下耦合量子点系统,最后是量子点系统在实际中的应用及重要性。第二章,我们在单电子晶体管中引入另外一个P型量子点,叫做第二量子点,两个量子点耦合在一起。利用延迟格林函数法,得出了隧穿电流变化特性,并分析了第二量子点中空穴占据数不同对隧穿过程共振机制分布的影响。第叁章,在此章中,我们利用Keldysh非平衡格林函数法,主要计算并分析耦合量子点系统的光致发光谱,以及第二量子点中电子占据数的变化对其的影响。第四章,对本文的总结和展望。(本文来源于《山西大学》期刊2011-06-01）
罗佳亮,李垚[2]（2009）在《非对称性隧穿电容单电子器件模型与模拟》一文中研究指出在基于单电子晶体管的半经典理论和主方程模型的基础上,提出了一种采用非对称隧穿电容设计的单电子晶体管,并用计算机模拟了对称结构的单电子晶体管和非对称隧穿电容(电阻)结构单电子晶体管的特性.模拟结果表明,用主方程法模拟非对称隧穿电容(电阻)结构设计的晶体管,其伏安特性曲线除仍保留对称结构具有的周期性以外,还具有正弦态、电阻态、方波态、截止态四种形态.其性能也有差异.(本文来源于《中国科学技术大学学报》期刊2009年08期）
周孔丹,鲁华祥[3]（2008）在《单电子隧穿结电路在图像轮廓检测中的应用》一文中研究指出对细胞神经网络增强单电子电路的鲁棒性的机理进行了理论分析,构建了一种新型的基于细胞神经网络的单电子电路模型,并将其应用到图像检测方面,对单电子细胞神经网络在图像边缘检测方面的应用给出了实验结果。结果证明细胞神经网络是构建单电子电路的可靠网络,这为未来单电子电路鲁棒性的提高和其在图像处理方面的应用做了铺垫。(本文来源于《计算机工程与应用》期刊2008年16期）
张万成,吴南健[4]（2008）在《一种基于单电子隧穿结和MOS晶体管的混合随机数发生器(英文)》一文中研究指出提出了一种新颖的单电子随机数发生器(RNG).该随机数发生器由多个单电子隧穿结(MTJ)以及单电子晶体管(SET)/MOS管混合输出电路组成.MTJ被用于实现一个高频率的振荡器.它利用了电子隧穿的物理随机性得到了很大的振荡频率漂移.SET/MOS管输出电路放大并输出MTJ振荡器的输出信号.该信号经过一个低频信号采样后,产生随机数序列.所提出的随机数发生器使用简单的电路结构产生了高质量的随机数序列.它具有简单的结构,输出随机数的速度可以高达1GHz.同时,该电路还具有带负载能力以及很低的功耗.这种新颖的随机数发生器对未来的密码和通讯系统具有一定的应用前景.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年04期）
孟锋,蔡理,李芹,任培林[5]（2005）在《单电子隧道结隧穿特性研究与仿真》一文中研究指出基于单电子隧道结电压特征公式[1],借助Matlab拟合其隧穿特性曲线,给出了时不变和时变偏置电流作用下的I-V特性震荡曲线,并就仿真结果进行分析,将该模型应用于单电子盒进行仿真验证,出现了明显的库仑台阶,仿真曲线印证了理论分析结果。利用Matlab强大的计算功能进行单电子器件特性仿真对单电子器件的应用研究有重要意义。(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2005年11期）
周少华,赵光强,杨红官[6]（2005）在《非对称性隧穿势垒的单电子器件的存储特性电路模拟》一文中研究指出本文介绍了非对称性势垒单电子管(ATBs)的电路模拟和特性,以及采用准经典的MonteCarlo方法对Ge/Si复合纳米结构量子点MOSFET内存的电路模拟,得出由于台阶状复合势垒的作用,在擦写时间保持μs和ms量级的同时,存储时间可长达数年。从而解决了快速编程与长久存储之间的矛盾。(本文来源于《中国科技信息》期刊2005年19期）
吴卓杰,朱卡的,袁晓忠,郑杭[7]（2005）在《电声子相互作用对量子点分子中单电子隧穿的影响》一文中研究指出研究了双量子点系统中的电子隧穿动力学过程,在考虑电子与声子相互作用的情况下用基于正则变换的微扰方法解析地得到了电子动态隧穿电流的表达式.并且详细分析电子与声子耦合引起的退相干问题,在此基础上指出了可能的退耦机理.(本文来源于《物理学报》期刊2005年07期）
刘彦欣,王永昌,杜少毅[8]（2004）在《单电子叁势垒隧穿结I-V特性研究》一文中研究指出在正统理论的基础上 ,提出了单电子叁势垒隧穿结模型的主方程 ,并用线性方程组解法求出了其稳态解 .通过数值模拟 ,得到了该系统的I V特性曲线 .发现其有别于双势垒隧穿结的情况 ,在传统库仑台阶的平台处曲线存在波纹状结构 ,分析得出这是由于第二个库仑岛上的电子数变化对I V曲线的影响 .此外 ,研究了各物理参数对I V曲线的影响 ,发现叁结系统可以降低对温度的要求 ,并应用Fermi能级处的能级间隔估算出出现库仑台阶现象的最高温度Tmax,为相关单电子器件的参数选择提供了理论依据(本文来源于《物理学报》期刊2004年08期）
杜磊,庄奕琪[9]（2002）在《单电子晶体管隧穿电阻的量子计算》一文中研究指出单电子晶体管是一种新型量子器件 ,有可能代替当前集成电路中的硅晶体管 .这种器件的工作原理是单电子通过电极与库仑岛之间势垒层的隧道贯穿量子效应 .但是 ,描述单电子晶体管I V特性的正统理论却是一种唯象理论 ,对于半导体单电子晶体管往往只能给出定性的结果 ,不能给出隧道结电阻的微观解释及定量计算方法 .文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发 ,推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式 .在此基础上 ,研究了隧穿电阻的特性及量子力学的计算方法 .计算结果与实验结果符合较好 ,可用于分析单电子晶体管栅极几何设计参量对于其I V特性的影响 .(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊2002年03期）
江鹏,何声太,时东霞,张昊旭,高鸿钧[10]（2001）在《单电子隧穿器件的研究进展》一文中研究指出单电子隧穿现象作为纳米电子学及超高密度信息存储的理论基础已经引起了全世界科学界的广泛关注。与之相关的研究工作正在成为凝聚态物理的研究热点之一。本文从单电子隧穿现象的起源入手 ,概述了单电子隧穿现象的半经典理论及其器件的研究进展 ,并简述了其潜在的应用价值。(本文来源于《真空科学与技术》期刊2001年04期）
单电子隧穿论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在基于单电子晶体管的半经典理论和主方程模型的基础上,提出了一种采用非对称隧穿电容设计的单电子晶体管,并用计算机模拟了对称结构的单电子晶体管和非对称隧穿电容(电阻)结构单电子晶体管的特性.模拟结果表明,用主方程法模拟非对称隧穿电容(电阻)结构设计的晶体管,其伏安特性曲线除仍保留对称结构具有的周期性以外,还具有正弦态、电阻态、方波态、截止态四种形态.其性能也有差异.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单电子隧穿论文参考文献
[1].李玉丹.单电子隧穿耦合量子点的输运和光学性质[D].山西大学.2011
[2].罗佳亮,李垚.非对称性隧穿电容单电子器件模型与模拟[J].中国科学技术大学学报.2009
[3].周孔丹,鲁华祥.单电子隧穿结电路在图像轮廓检测中的应用[J].计算机工程与应用.2008
[4].张万成,吴南健.一种基于单电子隧穿结和MOS晶体管的混合随机数发生器(英文)[J].半导体学报.2008
[5].孟锋,蔡理,李芹,任培林.单电子隧道结隧穿特性研究与仿真[J].微电子学与计算机.2005
[6].周少华,赵光强,杨红官.非对称性隧穿势垒的单电子器件的存储特性电路模拟[J].中国科技信息.2005
[7].吴卓杰,朱卡的,袁晓忠,郑杭.电声子相互作用对量子点分子中单电子隧穿的影响[J].物理学报.2005
[8].刘彦欣,王永昌,杜少毅.单电子叁势垒隧穿结I-V特性研究[J].物理学报.2004
[9].杜磊,庄奕琪.单电子晶体管隧穿电阻的量子计算[J].西安电子科技大学学报.2002
[10].江鹏,何声太,时东霞,张昊旭,高鸿钧.单电子隧穿器件的研究进展[J].真空科学与技术.2001
论文知识图
