论文摘要
针对25 nm商用Flash存储器,利用中国科学院新疆理化技术研究所的60Coγ射线源和兰州重离子加速器先后进行了总剂量效应和单粒子效应实验。实验中器件先辐照30 krad(Si)的γ射线,然后再辐照不同线性能量转移(Linear Energy Transfer,LET)的重离子,得到了不同条件下Flash存储器浮栅单元错误的退火特性。实验结果表明与只进行重离子辐照相比,总剂量和重离子协同作用下器件浮栅单元错误消失的比例会发生变化,且在不同LET离子的辐照下表现出相异的趋势。分析认为辐照总剂量会引起浮栅单元电荷丢失和电荷俘获,影响浮栅单元的错误退火特性。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 殷亚楠,刘杰,姬庆刚,赵培雄,刘天奇,叶兵,罗捷,孙友梅,侯明东
关键词: 存储器,重离子,射线,退火
来源: 核技术 2019年01期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,基础科学,信息科技
专业: 物理学,核科学技术,计算机硬件技术
单位: 中国科学院近代物理研究所,中国科学院大学,兰州大学
基金: 国家自然科学基金(No.11690041,No.U1532261,No.11675233和No.11505243)资助~~
分类号: TP333;O571
页码: 53-59
总页数: 7
文件大小: 601K
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